【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板以及显示面板。
技术介绍
1、低温多晶硅薄膜晶体管是液晶显示器和有机发光二极管等显示装置有源驱动、周边电路的关键部件。目前低温多晶硅薄膜晶体管存在驼峰效应，亚阈值区电性较差，使得高规格产品充电能力受限；驼峰效应的成因：目前工艺制造的低温多晶硅薄膜晶体管可视作由两侧的边缘薄膜晶体管与位于中间的主体薄膜晶体管并联组成，边缘薄膜晶体管的阈值电压（vth）相对主体薄膜晶体管偏负，导致主体薄膜晶体管亚阈值区电流异常增大。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法以及显示面板，可以降低薄膜晶体管存有驼峰效应的风险。
2、一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：
3、基板；以及
4、薄膜晶体管，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，所述有源层包括沟道、第一接触部和第二接触部，所述沟道包括主体部和边缘部，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟道远离所述基板的一侧，所述栅极设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧，所述源极连接于所述第一接触部，所述漏极连接于所述第二接触部；
5、在所述阵列基板的平面视图中，一所述边缘部位于所述主体部的一侧；
6、其中，在所述第二方向上，所述边缘部具有小于90度的坡度角；所述边缘部的缺陷态密度大于所述主体部的缺陷态密度。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述边缘部的缺陷态密度大于或等于所述主体部的缺陷态密度的5
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述主体部的缺陷态密度介于1×1020个/ev至3×1020个/ev之间。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述边缘部的载流子迁移率小于所述主体部的载流子迁移率。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述沟道的材料包括多晶硅，所述边缘部的结晶度小于所述主体部的结晶度。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述边缘部的坡度角介于30度至80度之间。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述主体部的厚度介于300埃至600埃之间。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，一所述边缘部位于所述主体部的一侧，另一所述边缘部位于所述主体部的另一侧。
14、可选的，在本申请的一些实施例中，在所述阵列基板的平面视图中，在第一方向上，所述第一接触部、所述沟道和所述第二接触部依次排布设置；在与所述第一方向垂直的第二方向上，一所述边缘部位于所述主体部的一侧，另一所述边缘部位于所述主体部的另一侧。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括遮光层、缓冲层、层间介质层、平坦层和像素电极，所述遮光层位于所述基板上，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述基板，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层，所述层间介质层覆盖所述栅极，所述源极和所述漏极设置在所述层间介质层远离所述基板的一侧，所述平坦层覆盖所述源极和所述漏极，所述像素电极设置在所述平坦层远离所述基板的一侧，所述像素电极连接于所述源极或所述漏极。
16、另一方面，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
17、在基板上依次形成半导体层和光刻胶层；
18、图案化所述光刻胶层形成光刻胶图案；
19、以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀所述半导体层以形成有源层，所述有源层包括沟道、第一接触部和第二接触部，所述沟道包括主体部和边缘部，所述边缘部具有小于90度的坡度角，所述主体部被所述光刻胶图案覆盖，所述边缘部被裸露；
20、以所述光刻胶图案为掩模，采用离子轰击所述有源层的边缘部以使所述边缘部的缺陷态密度大于所述主体部的缺陷态密度；
21、去除所述光刻胶图案，依次在所述有源层形成栅极绝缘层和栅极，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟道远离所述基板的一侧，所述栅极设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧；
22、在所述栅极上形成与其绝缘设置的源极和漏极，所述源极连接于所述第一接触部，所述漏极连接于所述第二接触部。
23、可选的，在本申请的一些实施例中，所述离子的活泼性小于氧气等离子体的活泼性。
24、又一方面，本申请实施例还提供一种显示面板，其包括如上述任意一项实施例所述的阵列基板。
25、本申请实施例的阵列基板包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，有源层包括沟道、第一接触部和第二接触部，沟道包括主体部和边缘部，栅极绝缘层至少覆盖沟道远离所述基板的一侧，栅极设置于栅极绝缘层远离基板的一侧，源极连接于第一接触部，漏极连接于第二接触部；边缘部具有小于90度的坡度角；其中，边缘部的缺陷态密度大于主体部的缺陷态密度。
26、本申请实施例采用边缘部的缺陷态密度大于主体部的缺陷态密度的设置，由于边缘部的缺陷态密度较大，使得在相同的栅极电压下，边缘部更难以开启，边缘薄膜晶体管受到抑制，从而达到改善薄膜晶体管驼峰效应的效果。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述边缘部的缺陷态密度大于或等于所述主体部的缺陷态密度的5倍。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述主体部的缺陷态密度介于1×1020个/eV至3×1020个/eV之间。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述边缘部的载流子迁移率小于所述主体部的载流子迁移率。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道的材料包括多晶硅，所述边缘部的结晶度小于所述主体部的结晶度。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述边缘部的坡度角介于30度至80度之间。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述主体部的厚度介于300埃至600埃之间。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，一所述边缘部位于所述主体部的一侧，另一所述边缘部位于所述主体部的另一侧。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板的平面视图中，在第一方向上，所述第一
10.根据权利要求1至5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层、缓冲层、层间介质层、平坦层和像素电极，所述遮光层位于所述基板上，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述基板，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层，所述层间介质层覆盖所述栅极，所述源极和所述漏极设置在所述层间介质层远离所述基板的一侧，所述平坦层覆盖所述源极和所述漏极，所述像素电极设置在所述平坦层远离所述基板的一侧，所述像素电极连接于所述源极或所述漏极。
11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述离子的活泼性小于氧气等离子体的活泼性。
13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-10任意一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述边缘部的缺陷态密度大于或等于所述主体部的缺陷态密度的5倍。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述主体部的缺陷态密度介于1×1020个/ev至3×1020个/ev之间。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述边缘部的载流子迁移率小于所述主体部的载流子迁移率。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道的材料包括多晶硅，所述边缘部的结晶度小于所述主体部的结晶度。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述边缘部的坡度角介于30度至80度之间。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述主体部的厚度介于300埃至600埃之间。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，一所述边缘部位于所述主体部的一侧，另一所述边缘部位于所述主体部的另一侧。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，在所述阵列...
【专利技术属性】
技术研发人员：李壮，熊文慧，艾飞，宋德伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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