【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及医疗器械，具体涉及一种用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统、装置及用途。
技术介绍
1、痤疮是炎症性毛囊皮脂腺疾病，具有病程长、易复发等特点，主要临床表现为丘疹、囊肿、瘢痕、结节、白头、粉刺等，多伴随皮脂溢出，是一种比较严重的损容性，甚至是毁容性的皮肤科多发病。痤疮在全球范围内发病普遍，是最常见的皮肤病。中国痤疮患病率为39.2%，欧洲为 57.8%，在青少年中的发病率为12%~99%，成年人中的发病率可达 50%。而部分成年女性患者的痤疮，可能在青春期开始发病，在成年后持续或再次发作。
2、痤疮的发病与机体免疫失衡、痤疮丙酸杆菌（ propionibacterium acnes， p.acnes）的增殖、炎性因子的作用、雄激素的作用、毛囊皮脂腺导管角化异常、遗传等多种因素相关。痤疮患者皮肤生长的过程中，毛囊口出现角栓现象，皮脂腺分泌皮脂的功能加强，为 p.acnes的增殖提供了有利条件。同时， p.acnes会分解大量的饱和脂肪酸，产生很多的游离脂肪酸。这些脂肪酸大量地浸润到皮肤内，引起皮肤的应激反应，造成红肿和粉刺等，损害皮肤组织。
3、临床一般采用局部外用药和口服抗生素来进行痤疮治疗，用于根治相关致病菌，然而，抗生素耐药问题日益凸显，且对于重度痤疮患者，上述治疗方式的疗效有限，亟需新型治疗手段，以无痛、高效的方式进行痤疮治疗。
4、等离子体
5、本领域也已有相关研究，尝试利用低温等离子体对痤疮进行治疗。例如，在毕业论文“《皮肤热疗方法治疗皮炎的研究》，杨帆”中提出了热疗和低温等离子体联合应用于痤疮治疗的方法。然而，该研究同样指出，在不进行热疗的情况下，单独使用低温等离子体处理痤疮没有明显的治疗效果。多种技术联用的治疗方案对于设备要求更高，且治疗成本也较高，因此，其推广受到较大的限制。进一步探索是否有可能实现单独使用低温等离子体处理一种方法实现痤疮的治疗，这仍然是本领域亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的问题，本专利技术提供一种用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统、装置及用途。
2、一种用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，包括：
3、气体控制模块，被配置为控制气体组分和流速，使得工作气体环境由98% v/v-99%v/v的he和1% v/v-2% v/v的o2组成；
4、电压控制模块，被配置为控制生成低温等离子体射流的电极的脉冲电压，使得脉冲电压大小为4 kv-10 kv。
5、优选的，所述电极为双环电极，所述工作气体环境由98% v/v的he和2% v/v的o2组成。
6、优选的，所述脉冲电压大小为10kv。
7、优选的，所述电极为针环电极，所述工作气体环境由99% v/v的he和1% v/v的o2组成。
8、优选的，所述脉冲电压大小为4kv。
9、优选的，通过所述气体控制模块进行控制，所述工作气体的流速控制为1~10m/s。
10、优选的，通过所述电压控制模块进行控制，使得所述脉冲电压的重复频率为5~20khz，脉冲宽度为100ns~1μs。
11、本专利技术还提供一种用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理装置，包括低温等离子体射流发生装置，所述发生装置中集成有上述用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统。
12、优选的，所述发生装置包括电极，所述电极为双环电极或针环电极。
13、本专利技术还提供上述用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统或低温等离子体射流处理装置用于构建痤疮治疗装置中的用途。
14、通过本专利技术提供的系统和装置，通过对工作气体环境、电压等参数的控制，能够实现基于大气压低温等离子体射流处理的痤疮治疗方法。本专利技术的技术方案具有如下有益的技术效果：
15、1、本专利技术所需的装置比较简单，处理手段容易，无需其他联合治疗手段，不使用抗生素，仅需数分钟的处理，大大降低治疗的难度和时间成本；
16、2、本专利技术中，大气压低温等离子体射流可以直接接触皮肤，温度接近室温，几乎不会引起皮肤表面温升，放电强度比较温和，也不会引起明显的皮肤损伤和痛感，无明显不良反应和副作用。
17、综上所述，本专利技术具有装置简单、处理温度低、无痛感、处理效果好、无明显不良反应等优点，且不需要其他手段联合治疗，处理时长仅为数分钟，有效解决了现有痤疮治疗方案存在的问题，有望成为新兴的痤疮治疗手段，具有很好的应用前景。
18、显然，根据本专利技术的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段，在不脱离本专利技术上述基本技术思想前提下，还可以做出其它多种形式的修改、替换或变更。
19、以下通过实施例形式的具体实施方式，对本专利技术的上述内容再作进一步的详细说明。但不应将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于以下的实例。凡基于本专利技术上述内容所实现的技术均属于本专利技术的范围。
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1.一种用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于，包括：
2.按照权利要求1所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：所述电极为双环电极，所述工作气体环境由98% v/v的He和2% v/v的O2组成。
3.按照权利要求2所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：所述脉冲电压大小为10kV。
4.按照权利要求1所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：所述电极为针环电极，所述工作气体环境由99% v/v的He和1% v/v的O2组成。
5.按照权利要求4所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：所述脉冲电压大小为4kV。
6.按照权利要求1所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：通过所述气体控制模块进行控制，所述工作气体的流速控制为1~10m/s。
7.按照权利要求1所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：通过所述电压控制模块进行控制，使得所述脉冲电压的重复频率为5~20kHz，脉冲宽度为100ns~
8.一种用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理装置，其特征在于：包括低温等离子体射流发生装置，所述发生装置中集成有权利要求1-7任一项所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统。
9.按照权利要求8所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理装置，其特征在于：所述发生装置包括电极，所述电极为双环电极或针环电极。
10.权利要求1-7任一项所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，或权利要求8或9所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理装置用于构建痤疮治疗装置中的用途。
...【技术特征摘要】
1.一种用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于，包括：
2.按照权利要求1所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：所述电极为双环电极，所述工作气体环境由98% v/v的he和2% v/v的o2组成。
3.按照权利要求2所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：所述脉冲电压大小为10kv。
4.按照权利要求1所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：所述电极为针环电极，所述工作气体环境由99% v/v的he和1% v/v的o2组成。
5.按照权利要求4所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：所述脉冲电压大小为4kv。
6.按照权利要求1所述的用于治疗痤疮的低温等离子体射流处理系统，其特征在于：通过所述气体控制模...
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