【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工，尤其涉及上腔盖组件及晶圆暂存装置。
技术介绍
1、随着智能制造、电子设备等产业快速崛起和半导体技术的发展，市场对芯片的需求量日益增长，半导体设备的稳定性及产能则成为各个厂商关注的重点。半导体加工设备一般设置有暂存腔(loadlock chamber,llc)来缩短单片工艺时间，暂存腔设置在半导体加工设备的前端模块(efem)和中转模块(whc)之间；晶圆在中转模块连接的反应腔内完成镀膜后由真空机械手传送至暂存腔内，并在暂存腔内进行冷却，而后由大气机械手将晶圆从暂存腔内取出并传送至前端模块的料盒内。
2、半导体加工设备的暂存腔设置有上腔盖，上腔盖能够打开，并在关闭时封闭暂存腔。冷却气体进入封闭的暂存腔，通过腔体内气体置换实现对晶圆的冷却；现有的暂存腔内部和上腔盖内侧均为平面结构，无法对冷却气体进行导流，冷却气体在暂存腔内的流动性较差，冷却气体置换时间长，冷却效率较低，而且，冷却气体的流动是随机的，很难对晶圆进行均匀冷却，进而影响晶圆质量的稳定性。
技术实现思路
1、本技术的一个目的在于提供上腔盖组件，能够有效导流冷却气体，并缩短冷却气体的置换时间，提高冷却效率，对晶圆进行均匀冷却。
2、为达此目的，本技术一方面采用以下技术方案：
3、提供上腔盖组件，用于密封晶圆缓存腔体，晶圆缓存腔体具有出气口，所述上腔盖组件包括：
4、上腔盖本体，所述上腔盖本体开设有进气口，所述进气口连通外部冷却供气机构，所述上腔盖本体朝向所述晶
5、在其中一个实施例中，所述冷却流道包括第一冷却流道和第二冷却流道，所述第一冷却流道和所述第二冷却流道相互连通，所述凸起和所述晶圆缓存腔体的侧腔壁之间形成所述第一冷却流道，若干所述凸起之间形成所述第二冷却流道。
6、在其中一个实施例中，所述第一冷却流道为环形流道；和/或，所述第二冷却流道为直线流道。
7、在其中一个实施例中，所述第二冷却流道沿所述上腔盖本体的径向延伸；和/或，所述第二冷却流道的两端均连通所述第一冷却流道。
8、在其中一个实施例中，所述凸起具有避让部，所述避让部环绕所述进气口以形成第三冷却流道，所述第三冷却流道连通所述第一冷却流道。
9、在其中一个实施例中，所述进气口和所述第二冷却流道间隔设置。
10、在其中一个实施例中，所述凸起包括侧壁和顶板，所述侧壁垂直于所述上腔盖本体，和/或，所述顶板沿水平面延伸。
11、在其中一个实施例中，所述进气口和所述出气口对称设置于所述晶圆缓存腔体的轴线两侧。
12、在其中一个实施例中，所述上腔盖组件还包括进气机构，所述进气机构用于可拆卸连接所述外部冷却供气机构，所述进气机构包括扩散器，所述扩散器连接于所述进气口，所述扩散器用于过滤所述进气口进入的冷却气体。
13、本技术的另一个目的在于提供晶圆暂存装置，其具有的上腔盖组件具有对冷却气体进行流动导向的冷却流道，缩短冷却气体的置换时间，对晶圆进行均匀冷却以保证稳定性，提高晶圆暂存装置的冷却效率和工作可靠性。
14、为达此目的，本技术另一方面采用以下技术方案：
15、提供晶圆暂存装置，包括如上述的上腔盖组件，所述晶圆暂存装置还包括晶圆缓存腔体，所述晶圆缓存腔体用于容置晶圆，所述上腔盖组件可拆卸连接于所述晶圆缓存腔体，所述上腔盖组件的进气口朝向所述晶圆的上表面。
16、本技术的有益效果：
17、本技术所提供的上腔盖组件，其上腔盖本体朝向晶圆缓存腔体的一侧设置有若干凸起，凸起和晶圆缓存腔体的内腔壁之间和/或若干凸起之间形成冷却流道，冷却流道连通进气口和出气口。冷却流道可以位于凸起和晶圆缓存腔体的内腔壁之间，也可以位于相邻的两个凸起之间，冷却气体在冷却流道内流动，冷却流道能够对冷却气体进行导向，使冷却气体按照设定路径流动，对晶圆缓存腔体内的晶圆进行均匀的冷却，使晶圆整体降温速率尽可能一致，保证晶圆性能的稳定性。而且，上腔盖本体的凸起朝向晶圆缓存腔体内延伸，减小腔体体积，可以看出由于凸起的存在，腔内高度明显减小，在不影响晶圆缓存腔体功能的前提下缩短冷却气体的置换时间，进而缩短冷却时间，提高冷却效率，利于提高晶圆加工效率。
18、本技术所提供的晶圆暂存装置，包括上述的上腔盖组件，其进气口朝向晶圆的上表面，能够对晶圆的表面进行快速、均匀降温。上腔盖组件具有的上腔盖本体朝向晶圆缓存腔体的一侧设置有若干凸起，凸起和晶圆缓存腔体的内腔壁之间、若干凸起之间形成连通进气口和出气口的冷却流道，冷却流道能够对冷却气体进行导向，使冷却气体按照设定路流动，对晶圆缓存腔体内的晶圆进行均匀冷却，使晶圆整体降温速率尽可能一致，保证晶圆性能的稳定性。而且，凸起能够减小腔体体积，缩短冷却气体的置换时间，进而缩短冷却时间，提高晶圆暂存装置的冷却效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.上腔盖组件，用于密封晶圆缓存腔体(100)，晶圆缓存腔体(100)具有出气口，其特征在于，所述上腔盖组件包括：
2.根据权利要求1所述的上腔盖组件，其特征在于，所述冷却流道包括第一冷却流道(13)和第二冷却流道(14)，所述第一冷却流道(13)和所述第二冷却流道(14)相互连通，所述凸起(12)和所述晶圆缓存腔体(100)的侧腔壁之间形成所述第一冷却流道(13)，若干所述凸起(12)之间形成所述第二冷却流道(14)。
3.根据权利要求2所述的上腔盖组件，其特征在于，所述第一冷却流道(13)为环形流道；和/或，所述第二冷却流道(14)为直线流道。
4.根据权利要求3所述的上腔盖组件，其特征在于，所述第二冷却流道(14)沿所述上腔盖本体(1)的径向延伸；和/或，所述第二冷却流道(14)的两端均连通所述第一冷却流道(13)。
5.根据权利要求2所述的上腔盖组件，其特征在于，所述凸起(12)具有避让部(121)，所述避让部(121)环绕所述进气口(11)以形成第三冷却流道(15)，所述第三冷却流道(15)连通所述第一冷却流道(13)。<...
【技术特征摘要】
1.上腔盖组件，用于密封晶圆缓存腔体(100)，晶圆缓存腔体(100)具有出气口，其特征在于，所述上腔盖组件包括：
2.根据权利要求1所述的上腔盖组件，其特征在于，所述冷却流道包括第一冷却流道(13)和第二冷却流道(14)，所述第一冷却流道(13)和所述第二冷却流道(14)相互连通，所述凸起(12)和所述晶圆缓存腔体(100)的侧腔壁之间形成所述第一冷却流道(13)，若干所述凸起(12)之间形成所述第二冷却流道(14)。
3.根据权利要求2所述的上腔盖组件，其特征在于，所述第一冷却流道(13)为环形流道；和/或，所述第二冷却流道(14)为直线流道。
4.根据权利要求3所述的上腔盖组件，其特征在于，所述第二冷却流道(14)沿所述上腔盖本体(1)的径向延伸；和/或，所述第二冷却流道(14)的两端均连通所述第一冷却流道(13)。
5.根据权利要求2所述的上腔盖组件，其特征在于，所述凸起(12)具有避让部(121)，所述避让部(121)环绕所述进气口(11)以形成第三冷却流道(15)，所述第三冷却流道(15)连通所述第一冷却流道(13)。
6.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，沈文杰，潘文博，苏坤，张凌峰，朱凌锋，朱雪伟，
申请(专利权)人：浙江求是创芯半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。