【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式一般涉及磁存储装置及其制造方法。
技术介绍
1、已知有将磁阻效应元件作为存储元件而使用的磁存储装置(mram：magnetoresistive random access memory，磁阻随机存取存储器)。磁阻效应元件与开关元件串联连接而作为存储单元发挥功能。
技术实现思路
1、实施方式的磁存储装置具备开关元件、磁阻效应元件以及设置在上述开关元件与上述磁阻效应元件之间的电极，上述电极包括与上述开关元件相接的第1子电极、与上述磁阻效应元件相接的第2子电极、以及设置在上述第1子电极与上述第2子电极之间的第3子电极，上述第1子电极以及上述第2子电极包含选自碳(c)以及氮化碳(cn)中的至少一种元素或化合物，上述第3子电极包含选自高熔点金属元素、以及高熔点金属元素的化合物中的至少一种元素或化合物。
【技术保护点】
1.一种磁存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的磁存储装置，
3.根据权利要求1所述的磁存储装置，
4.根据权利要求1所述的磁存储装置，
5.根据权利要求1所述的磁存储装置，
6.根据权利要求1所述的磁存储装置，
7.根据权利要求1所述的磁存储装置，
8.根据权利要求1所述的磁存储装置，
9.根据权利要求1所述的磁存储装置，
10.根据权利要求9所述的磁存储装置，
11.根据权利要求9所述的磁存储装置，
12.根据权利要求9所述的磁存储装置，
13.根据权利要求1所述的磁存储装置，
14.一种磁存储装置的制造方法，包括：
15.一种磁存储装置的制造方法，包括：
16.根据权利要求15所述的磁存储装置的制造方法，
【技术特征摘要】
1.一种磁存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的磁存储装置，
3.根据权利要求1所述的磁存储装置，
4.根据权利要求1所述的磁存储装置，
5.根据权利要求1所述的磁存储装置，
6.根据权利要求1所述的磁存储装置，
7.根据权利要求1所述的磁存储装置，
8.根据权利要求1所述的磁存储装置，
9.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：岛野拓也，吉野健一，泽田和也，秋山直纪，赵亨峻，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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