System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 储存装置和操作该储存装置的方法制造方法及图纸_技高网

储存装置和操作该储存装置的方法制造方法及图纸

技术编号:42831513 阅读:38 留言:0更新日期:2024-09-24 21:05
提供了储存装置,操作储存装置的方法,以及控制器。该储存装置包括:非易失性存储器,其包括多个用户块;以及控制器,其被配置为以超块为单位管理多个用户块。控制器可以超块的第一页为单位执行第一编程操作,并且可以预定数量的超页为单位管理与第一编程操作关联的温度信息。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种储存装置和操作该储存装置的方法


技术介绍

1、半导体存储器装置是利用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)和磷化铟(inp)的半导体材料实施的存储器装置。通常,半导体存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、易失性存储器装置当其电源中断时丢失其中存储的数据。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、同步dram(sdram)等。此外,非易失性存储器装置即使其电源中断也保留其中存储的数据。非易失性存储器装置包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom

3、(eprom)、电可擦除和可编程rom(eeprom)、闪速存储器装置、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻ram(reram)、铁电ram(fram)等。

4、闪速存储器由于其诸如操作速度快和功耗低的特征而被用于各种领域。通常,由于闪速存储器的特性受在执行编程操作的时间点处的温度影响,因此需要存储在执行编程操作时的温度的信息并且在闪速存储器的操作中利用存储的温度的信息。在这种情况下,存储的温度信息的量随着闪速存储器的容量增大而增大。因此,对通过更有效地管理温度信息来允许工作存储器用量减少的技术的需求增加。


技术实现思路

1、示例实施例提供了一种更有效地存储温度信息以减少工作存储器用量的储存装置及操作该储存装置的方法。

2、根据示例实施例,一种储存装置包括:非易失性存储器,其包括多个用户块;以及控制器,其被配置为以超块为单位管理多个用户块。控制器可以超块的第一页为单位执行第一编程操作,并且可以预定数量的超页为单位管理与第一编程操作关联的第一温度信息。

3、储存装置可包括温度传感器和工作存储器。控制器可基于第一编程操作通过温度传感器获得温度信息,将获得的温度信息与预定数量的超页的标识信息匹配,并且将匹配的温度信息存储在工作存储器中。

4、非易失性存储器可包括当多个用户块中的用户块变为坏块时替换坏块的多个保留块,并且控制器可以页为单位对多个保留块执行第二编程操作,并且可以预定数量的页为单位管理与第二编程操作关联的温度信息。

5、控制器可基于第二编程操作通过温度传感器获得温度信息,将获得的温度信息与预定数量的页的标识信息匹配,并且将匹配的温度信息存储在工作存储器中。

6、控制器可更新加载至工作存储器中的温度表中的获得的温度信息,并且温度表可包括其中以超块为单位管理关于多个用户块的温度信息的第一区域和其中以块为单位管理关于多个保留块的温度信息的第二区域。

7、第一区域可包括其中以预定数量的超页为单位存储关于超块中的每一个中包括的用户块的温度信息的第一子温度表,并且第二区域可包括其中以预定数量的页为单位存储关于保留块中的每一个的温度信息的第二子温度表。

8、控制器可被配置为:当在多个用户块中包括执行编程操作的位置时更新第一区域中的获得的温度信息,并且当在多个保留块中包括执行编程操作的位置时更新第二区域中的获得的温度信息。

9、控制器可被配置为在空闲时间或在储存装置断电的同时将存储在工作存储器中的温度表存储在非易失性存储器中,并且当储存装置通电时将存储在非易失性存储器中的温度表加载至工作存储器中。

10、控制器可基于加载至工作存储器中的温度表执行读操作。

11、非易失性存储器可为nand闪速存储器,并且工作存储器可包括dram和sram中的至少一种。

12、根据示例实施例,一种操作包括具有多个用户块的非易失性存储器的储存装置的方法包括:以多个用户块组成的超块的超页为单位执行第一编程操作;以及以预定数量的超页为单位管理与第一编程操作关联的温度信息。

13、以预定数量的超页为单位管理与第一编程操作关联的温度信息可包括:基于第一编程操作获得温度信息;以及将获得的温度信息与预定数量的超页的标识信息匹配并且存储匹配的温度信息。

14、非易失性存储器可包括当多个用户块中的用户块变为坏块时替换坏块的多个保留块。所述方法可包括:以页为单位对多个保留块执行第二编程操作;以及以预定数量的页为单位管理与第二编程操作关联的温度信息。

15、以预定数量的页为单位管理与第二编程操作关联的温度信息可包括:基于第二编程操作获得温度信息;以及将获得的温度信息与预定数量的页的标识信息匹配并且存储匹配的温度信息。

16、存储匹配的温度信息可包括更新温度表中的获得的温度信息,并且温度表可包括其中以超块为单位管理关于多个用户块的温度信息的第一区域和其中以块为单位管理关于多个保留块的温度信息的第二区域。

17、第一区域可包括其中以预定数量的超页为单位存储关于超块中的每一个中包括的用户块的温度信息的第一子温度表,并且第二区域可包括其中以预定数量的页为单位存储关于保留块中的每一个的温度信息的第二子温度表。

18、更新温度表中的获得的温度信息可包括:当在多个用户块中包括执行第一编程操作的位置时更新第一区域中的获得的温度信息,并且当在多个保留块中包括执行第二编程操作的位置时更新第二区域中的获得的信息。

19、所述方法可包括基于温度表执行读操作。

20、根据示例实施例,一种控制包括多个用户块的非易失性存储器的操作的控制器包括工作存储器和处理器,该处理器被配置为以超块为单位管理多个用户块。处理器可以超块的超页为单位执行第一编程操作,并且可以预定数量的超页为单位将与第一编程操作关联的温度信息存储在工作存储器中。

21、非易失性存储器可包括当多个用户块中的用户块变为坏块时替换坏块的多个保留块,并且处理器可以块为单位对多个保留块执行第二编程操作,并且可以预定数量的页为单位将与第二编程操作关联的温度信息存储在工作存储器中。

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【技术保护点】

1.一种储存装置,包括:

2.根据权利要求1所述的储存装置,还包括:

3.根据权利要求2所述的储存装置,其中:

4.根据权利要求3所述的储存装置,其中,所述控制器基于所述第二编程操作通过所述温度传感器获得所述第二温度信息,将获得的所述第二温度信息与所述预定数量的页的标识信息匹配,并且将匹配的第二温度信息存储在所述工作存储器中。

5.根据权利要求4所述的储存装置,其中:

6.根据权利要求5所述的储存装置,其中:

7.根据权利要求5所述的储存装置,其中,所述控制器被配置为:

8.根据权利要求5所述的储存装置,其中,所述控制器被配置为:

9.根据权利要求5所述的储存装置,其中,所述控制器基于加载至所述工作存储器中的温度表执行读操作。

10.根据权利要求2所述的储存装置,其中:

11.一种操作储存装置的方法,所述储存装置包括非易失性存储器,所述非易失性存储器包括多个用户块,所述方法包括:

12.根据权利要求11所述的方法,其中,管理所述第一温度信息包括:p>

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述非易失性存储器包括当所述多个用户块中的用户块变为坏块时替换所述坏块的多个保留块,并且所述方法还包括:

14.根据权利要求13所述的方法,其中,管理所述第二温度信息包括:

15.根据权利要求14所述的方法,其中,存储所述匹配的第一温度信息或所述匹配的第二温度信息包括:

16.根据权利要求15所述的方法,其中:

17.根据权利要求15所述的方法,其中,更新所述温度表中的获得的所述第一温度信息或获得的所述第二温度信息包括:

18.根据权利要求15所述的方法,还包括:

19.一种控制包括多个用户块的非易失性存储器的操作的控制器,所述控制器包括:

20.根据权利要求19所述的控制器,其中:

...

【技术特征摘要】

1.一种储存装置,包括:

2.根据权利要求1所述的储存装置,还包括:

3.根据权利要求2所述的储存装置,其中:

4.根据权利要求3所述的储存装置,其中,所述控制器基于所述第二编程操作通过所述温度传感器获得所述第二温度信息,将获得的所述第二温度信息与所述预定数量的页的标识信息匹配,并且将匹配的第二温度信息存储在所述工作存储器中。

5.根据权利要求4所述的储存装置,其中:

6.根据权利要求5所述的储存装置,其中:

7.根据权利要求5所述的储存装置,其中,所述控制器被配置为:

8.根据权利要求5所述的储存装置,其中,所述控制器被配置为:

9.根据权利要求5所述的储存装置,其中,所述控制器基于加载至所述工作存储器中的温度表执行读操作。

10.根据权利要求2所述的储存装置,其中:

11.一种操作储存装置的方法,所述储存装置包括非易失性存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员:金钟华康贞旭
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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