【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
1、作为半导体器件用的材料，有碳化硅。碳化硅与硅比较，具有带隙约3倍、击穿电场强度约10倍、热传导率约3倍这样优异的物性。如果运用该特性，则例如能够实现高耐压、低损耗并且能够高温动作的mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor)。
2、使用了碳化硅的mosfet为了提高性能，期望减少作为性能指标之一的导通电阻与输出电荷量之积(ron×qoss)。输出电荷量(qoss)是用于对mosfet的漏极与源极间的电容进行充电的电荷量。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备：碳化硅层，具有第一面和与所述第一面对置的第二面；第一电极，设于所述碳化硅层的所述第一面一侧；第二电极，设于所述碳化硅层的所述第二面一侧；第一导电型的第一碳化硅区域，设于所述碳化硅层之中；第二导电型的第二碳化硅区域，设于所述碳化硅层之中，且设于所述第一碳化硅区域与所述第一面之间；第一导电型的第三碳化硅区域，设于所述碳化硅层之中，且设于所述第二碳化硅区域与所述第一面之间，与所述第一电极相接；栅极电极，设于所述碳化硅层的所述第一面一侧，与所述第二碳化硅区域对置；以及栅极绝缘层，设于所述栅极电极与所述第二碳化硅区域之间；所述第一碳化硅区域包含：第一区域；多个第二区域，设于所述第一区域与所述第二碳化硅区域之间，与所述第二碳化硅区域相接；以及多个第三区域，设于所述第一区域与所述第二碳化硅区域之间，与所述
2、根据实施方式，可提供能够减少导通电阻与输出电荷量之积的半导体装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
9.一种半导体装置，其特征在于，具备：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。