【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于碳化硅外延片加工制造，具体地说，本专利技术涉及一种碳化硅外延片的前处理方法。
技术介绍
1、4h-sic(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料。近20年来材料生长技术水平不断提升，材料品质逐步提高。
2、目前，sic功率器件的外延均采用同质外延的方式生长，以期用更低的晶格失配和热膨胀失配来获得更高的外延层晶格质量。但对于同质外延而言，反应气体不可避免的会钻入衬底的背部，在外延的过程中会同步的在背面形成一圈圆环状的sic残留物。这一圆环状的残留物是不被期待的，因为它们会在后续的薄膜工艺和高温工艺中进一步恶化，影响晶圆边缘处的翘曲度，从而影响光刻工艺中的片内均匀性，严重的甚至会造成局部的散焦现象，从而降低了整片的良率。
3、针对上述问题，现有技术中采用的方式是在外延结束后进行化学机械抛光(cmp)，通过物理抛光的方式将外延片背面的残留物去除。这一方法虽然可以很好的解决残留物对后续工艺的影响，但是由于残余物本身也是sic，因此对抛光头和抛光垫的等级要求更高，磨碳化硅比磨硅用的耗材更多。因此针对sic的抛光工艺，其成本会相应增加，根据测算，在外延后增加一步cmp工艺(化学机械抛光)，分摊至单片上的成本会增加约1000元人民币，占其售价的10％，这无疑是一笔不小的开销，导致生产成本提高，而且对外延片的正面也有一定的损伤。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种碳化硅外延片
2、为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，包括：
3、形成第一薄膜层，所述第一薄膜层位于衬底层的第一表面；
4、形成外延层，所述外延层位于所述衬底层的第二表面；
5、形成第二薄膜层，所述第二薄膜层位于所述外延层远离所述衬底层的一侧。
6、在形成所述第二薄膜层之后，所述的碳化硅外延片的前处理方法还包括：
7、打标；
8、去除所述第一薄膜层和所述第二薄膜层。
9、通过湿法腐蚀工艺去除所述第一薄膜层和所述第二薄膜层。
10、所述第一薄膜层的材质为sin、碳膜或石墨。
11、所述第一薄膜层的厚度为48～52nm。
12、利用cvd工艺，在含有nh3、n2、sih4的混合气氛中，在第一温度条件下生长所述第一薄膜层。
13、所述第一温度为350～450℃。
14、所述第二薄膜层的材质为氧化硅。
15、所述第二薄膜层的厚度为98～102nm。
16、利用cvd工艺，在含有四乙氧基硅烷和氧气的混合气氛中，在第二温度条件下生长所述第二薄膜层。
17、所述第二温度为350～450℃。
18、本专利技术的碳化硅外延片的前处理方法，通过设置薄膜层，阻止反应气体钻入碳化硅衬底的背部，避免在外延的过程中在碳化硅衬底背面同步生长残留物，可以降低生产成本，且对外延片正面造成的损伤更小，改善sic外延片的平坦度，工艺难度低，容易实施。
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1.碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，在形成所述第二薄膜层之后，还包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，通过湿法腐蚀工艺去除所述第一薄膜层和所述第二薄膜层。
4.根据权利要求1所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，所述第一薄膜层的材质为SiN、碳膜或石墨。
5.根据权利要求1所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度为48～52nm。
6.根据权利要求1至5任一所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，利用CVD工艺，在含有NH3、N2、SiH4的混合气氛中，在第一温度条件下生长所述第一薄膜层。
7.根据权利要求6所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，所述第一温度为350～450℃。
8.根据权利要求1至5任一所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，所述第二薄膜层的材质为氧化硅。
9.根据权利要求1至5任一所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特
10.根据权利要求1至5任一所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，利用CVD工艺，在含有四乙氧基硅烷和氧气的混合气氛中，在第二温度条件下生长所述第二薄膜层。
11.根据权利要求10所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，所述第二温度为350～450℃。
...【技术特征摘要】
1.碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，在形成所述第二薄膜层之后，还包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，通过湿法腐蚀工艺去除所述第一薄膜层和所述第二薄膜层。
4.根据权利要求1所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，所述第一薄膜层的材质为sin、碳膜或石墨。
5.根据权利要求1所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，所述第一薄膜层的厚度为48～52nm。
6.根据权利要求1至5任一所述的碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，利用cvd工艺，在含有nh3、n2、sih4的混合气氛中，在第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘辉，伍术，钟敏，罗成志，刘小平，石建威，仇成功，张会娟，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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