System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半固态电解电容器的制造方法技术_技高网

半固态电解电容器的制造方法技术

技术编号:42826523 阅读:20 留言:0更新日期:2024-09-24 21:02
本发明专利技术公开一种半固态电解电容器的制造方法。所述方法包括提供电容器素子、将电容器素子含浸于分散液中、烘烤经分散液含浸的电容器素子、将经烘烤的电容器素子含浸于电解液中以及封装经所述电解液含浸的电容器素子。其中,分散液是由具有至少一种磺酸基的聚噻吩及具有至少一种磺酸基的聚硒吩中的至少一种所形成的导电性聚合物,以在降低电容器制造成本的同时,不过度影响电容器的电气性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电解电容器的制造方法,且特别是涉及一种半固态电解电容器的制造方法


技术介绍

1、电容器被广泛应用于各种电子设备当中,现有的电容器根据介电材料的不同可以分成液态电容与固态电容,其中,液态电容的介电材料为电解液,其具有容量大、耐压值高且价格便宜的优点,但在受热时电解液的体积会增大或产生气泡,容易导致爆浆的情形发生。

2、相较之下,固态电容的介电材料则为导电性高分子,具有环保、低阻抗、耐高温、可靠性高及使用寿命长等优点,因此目前广泛应用于高质量的电子产品,例如:计算机、摄影机、led看板、游戏机、液晶显示器、通信基地台等。然而,固态电容昂贵的制造成本使得现有的电容器仍然具有可改善空间。


技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种半固态电解电容器的制造方法。

2、为了解决上述的技术问题,本专利技术所采用的一种技术方案是提供一种半固态电解电容器的制造方法,其包括:提供电容器素子、将所述电容器素子含浸于分散液中、烘烤经所述分散液含浸的电容器素子,以形成导电固体层、将经烘烤的电容器素子含浸于电解液中,使所述电解液渗入所述导电固体层的缝隙中,以及封装经所述电解液含浸的电容器素子。其中,所述分散液是由具有至少一种磺酸基的聚噻吩及具有至少一种磺酸基的聚硒吩中的至少一种聚合单体所形成的导电性聚合物。

3、进一步地,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式如式(i)所示,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式如式(ii)所示:

4、

5、其中,x和y各自独立选自由氧原子、硫原子和-nr1所构成的群组;r1是选自由氢原子、碳数为1至18的烷基和芳香基所构成的群组;k为1至50之间的任意整数;

6、其中,z为-(ch2)m-cr2r3-(ch2)n-;r2是选自由下列所构成的群组:氢原子、-(ch2)p-o-(ch2)q-so3-m+、-(ch2)p-nr4[(ch2)q-so3-m+]、-(ch2)p-nr4[ar-so3-m+]和-(ch2)p-o-ar-[(ch2)q-so3-m+]r;r3是选自由下列所构成的群组:-(ch2)p-o-(ch2)q-so3-m+、-(ch2)p-nr4[(ch2)q-so3-m+]、-(ch2)p-nr4[ar-so3-m+]和-(ch2)p-o-ar-[(ch2)q-so3-m+]r;m为0至3的整数,n为0至3的整数,p为0至6的整数,q为0或1,r为1至4的整数,ar为亚芳基;r4是选自由氢原子、经取代或未取代且碳数为1至18的烷基和经取代或未取代且碳数为5至14的芳香基所构成的群组;m+为金属阳离子。

7、进一步地,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式如式(iii)或式(iv)所示,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式如式(v)或式(vi)所示:

8、

9、

10、其中,k为1至50之间的任意整数,z为-(ch2)m-cr2r3-(ch2)n-;r2是选自由氢原子、-(ch2)p-o-(ch2)q-so3-m+、-(ch2)p-nr4[(ch2)q-so3-m+]、-(ch2)p-nr4[ar-so3-m+]和-(ch2)p-o-ar-[(ch2)q-so3-m+]r所构成的群组;r3是选自由-(ch2)p-o-(ch2)q-so3-m+、-(ch2)p-nr4[(ch2)q-so3-m+]、-(ch2)p-nr4[ar-so3-m+]和-(ch2)p-o-ar-[(ch2)q-so3-m+]r所构成的群组;m为0至3的整数,n为0至3的整数,p为0至6的整数,q为0或1,r为1至4的整数,ar为亚芳基;r4是选自由氢原子、经取代或未取代且碳数为1至18的烷基和经取代或未取代且碳数为5至14的芳香基所构成的群组;m+为金属阳离子。

11、进一步地,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式表示为式(vii)至式(xii)中的一种,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式表示为式(xiii)至式(xviii)中的一种:

12、

13、

14、其中,ar为亚芳基;r4是选自由氢原子、经取代或未取代且碳数为1至18的烷基和经取代或未取代且碳数为5至14的芳香基所构成的群组;m+为金属阳离子;p为0至6的整数,q为0或1,r为1至4的整数。

15、进一步地,分散液包含具有不同聚合单体的第一分散液及第二分散液。

16、进一步地,所述电容器素子先含浸于所述第一分散液1至3次,再含浸于所述第二分散液1至3次。

17、进一步地,所述电容器素子交替含浸于所述第一分散液及所述第二分散液1至3次。

18、进一步地,所述电解液包含溶剂、锂盐及添加剂,所述溶剂选自由γ-丁内酯(gbl)、环丁砜、乙二醇(eg)、二甘醇、三甘醇、聚乙二醇、聚丙二醇所组成的群组。

19、进一步地,所述导电固体层与所述电解液形成所述半固态电解电容器的介电物质,且在所述介电物质中,所述电解液的含量小于或等于40%。

20、本专利技术的有益效果在于,本专利技术所提供的半固态电解电容器的制造方法,其能通过“将所述电容器素子含浸于分散液中,其中,所述分散液是由具有至少一种磺酸基的聚噻吩及具有至少一种磺酸基的聚硒吩中的至少一种聚合单体所形成的导电性聚合物”以及“将经烘烤的电容器素子含浸于电解液中,使所述电解液渗入所述导电固体层的缝隙中”的技术方案,以在降低电容器制造成本的同时,不过度影响电容器的电气性能。

21、为使能进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明,然而所提供的详细说明仅用于提供参考与说明,并非用来对本专利技术加以限制。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式如式(I)所示,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式如式(II)所示:

3.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式如式(III)或式(IV)所示,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式如式(V)或式(VI)所示:

4.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式表示为式(VII)至式(XII)中的一种,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式表示为式(XIII)至式(XVIII)中的一种:

5.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述分散液包含具有不同聚合单体的第一分散液及第二分散液。

6.如权利要求5所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述电容器素子先含浸于所述第一分散液1至3次,再含浸于所述第二分散液1至3次。

7.如权利要求5所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述电容器素子交替含浸于所述第一分散液及所述第二分散液1至3次。

8.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述电解液的电导率为0.01至2mS之间。

9.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述电解液包含溶剂、锂盐及添加剂,所述溶剂选自由γ-丁内酯、环丁砜、乙二醇、二甘醇、三甘醇、聚乙二醇、聚丙二醇所组成的群组。

10.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述导电固体层与所述电解液形成所述半固态电解电容器的介电物质,且在所述介电物质中,所述电解液的含量小于或等于40%。

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【技术特征摘要】

1.一种半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式如式(i)所示,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式如式(ii)所示:

3.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式如式(iii)或式(iv)所示,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式如式(v)或式(vi)所示:

4.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述具有至少一种磺酸基的聚噻吩的化学结构式表示为式(vii)至式(xii)中的一种,所述具有至少一种磺酸基的聚硒吩的化学结构式表示为式(xiii)至式(xviii)中的一种:

5.如权利要求1所述的半固态电解电容器的制造方法,其特征在于,所述分散液包含具有不同聚合单体的第...

【专利技术属性】
技术研发人员:林杰苏忠瑞
申请(专利权)人:钰邦科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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