【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子功率器件测试，具体涉及一种评估线性mosfet应用能力的测试系统和方法。
技术介绍
1、线性金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，mosfet)具有较宽的安全工作区(safe operating area，soa)范围，可以承受更大的电流，且具有较好的导通特性。常常应用于特殊领域，如热插拔、浪涌抑制器、稳压电源等领域。在这些特殊领域中，线性mosfet确保系统处在可靠的工作环境，线性mosfet作为限制电流电压的主要功率芯片，其工作的安全性，决定系统整体的可靠性。如果能够预先对线性mosfet的应用能力进行评估，则可以根据其应用能力选取合适的线性mosfet，从而保障基于线性mosfet的系统的可靠性。
2、然而，现有技术中对线性mosfet应用能力评估仍不明确，因此无法确定线性mosfet的自身承受能力及其与应用场景的匹配性。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种评估线性mosfet应用能力的测试系统和方法，具体包括：
2、第一方面，本专利技术提供了一种评估线性mosfet应用能力的测试系统，包括：
3、基于线性mosfet的待测回路、信号发生装置、探测装置和显示装置；
4、基于线性mosfet的待测回路包括待测线性mosfet、直流电压源和阻性负载；
5、待测线性mosfet的
6、探测装置的探测端连接基于线性mosfet的待测回路中的相应待测点，输出端连接显示装置；
7、直流电压源，用于在开启时使基于线性mosfet的待测回路内形成电流回路；
8、信号发生装置，用于根据生成的状态控制信号控制待测线性mosfet工作在饱和区，并进一步生成不同峰值的目标脉冲信号，将目标脉冲信号传输至待测线性mosfet的栅源之间，以控制待测线性mosfet的开关状态，并调节待测线性mosfet的栅极电压；
9、探测装置，用于探测基于线性mosfet的待测回路的回路电流，以及待测线性mosfet的栅极电压和漏极电压，并将探测结果传输至显示装置，以供显示装置根据探测结果生成并显示相应波形，波形用于评估线性mosfet的应用能力。
10、第二方面，本专利技术还提供了一种评估线性mosfet应用能力的测试方法，应用于评估线性mosfet应用能力的测试系统，测试系统包括基于线性mosfet的待测回路、信号发生装置、探测装置和显示装置，
11、基于线性mosfet的待测回路包括待测线性mosfet、直流电压源和阻性负载；
12、待测线性mosfet的漏极经阻性负载后与直流电压源的正极连接，待测线性mosfet的源极与直流电压源的负极连接并接地；
13、探测装置的探测端连接基于线性mosfet的待测回路中的相应待测点，输出端连接显示装置；
14、测试方法包括：
15、s1，控制直流电压源开启，以使基于线性mosfet的待测回路中形成电流回路；
16、s2，控制信号发生装置生成目标状态控制信号，并输出至待测线性mosfet的栅源之间，以控制待测线性mosfet工作在饱和区；
17、s3，控制信号发生装置生成目标脉冲信号，并输出至待测线性mosfet的栅源之间，以控制待测线性mosfet的开关状态并调节待测线性mosfet的栅极电压；
18、s4、控制探测装置探测基于线性mosfet的待测回路的回路电流以及待测线性mosfet的栅极电压和漏极电压，并将探测结果传输至显示装置，以使显示装置根据探测结果生成并显示相应波形，波形用于评估待测线性mosfet的应用能力；
19、s5、控制信号发生装置调节所生成的目标脉冲信号，以增大待测线性mosfet的栅极电压，并返回执行s4，直至待测线性mosfet失效。
20、本专利技术的有益效果：
21、本专利技术提供的评估线性mosfet应用能力的测试系统和方法，包括基于线性mosfet的待测回路、信号发生装置、探测装置和显示装置；基于线性mosfet的待测回路包括待测线性mosfet、直流电压源和阻性负载；待测线性mosfet的漏极经阻性负载后与直流电压源的正极连接，待测线性mosfet的源极与直流电压源的负极连接并接地；探测装置的探测端连接基于线性mosfet的待测回路中的相应待测点，输出端连接显示装置；直流电压源，用于在开启时使基于线性mosfet的待测回路内形成电流回路；信号发生装置，用于根据生成的状态控制信号控制待测线性mosfet工作在饱和区，并进一步生成不同峰值的目标脉冲信号，将目标脉冲信号传输至待测线性mosfet的栅源之间，以控制待测线性mosfet的开关状态，并调节待测线性mosfet的栅极电压；探测装置，用于探测基于线性mosfet的待测回路的回路电流，以及待测线性mosfet的栅极电压和漏极电压，并将探测结果传输至显示装置，以供显示装置根据探测结果生成并显示相应波形，波形用于评估线性mosfet的应用能力，基于该测试系统能够实现对线性mosfet应用场景的模拟以及线性mosfet的应用能力评估，系统架构可行性高、电流电压等测试条件易于改变、器件易于更换，测试效率高；评估使用的数据获取方便、数据采用波形的表现形式具有较高的可读性，使得该测试系统具有较高的应用价值。
22、以下将结合附图及实施例对本专利技术做进一步详细说明。
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1.一种评估线性MOSFET应用能力的测试系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于，还包括处理装置；
3.根据权利要求1或2所述的测试系统，其特征在于，所述信号发生装置包括驱动电源、信号发生器和驱动装置；
4.根据权利要求1或2所述的测试系统，其特征在于，所述探测装置包括：电流探测单元、高压差分探测单元和低压差分探测单元；
5.一种评估线性MOSFET应用能力的测试方法，其特征在于，应用于评估线性MOSFET应用能力的测试系统，所述测试系统包括基于线性MOSFET的待测回路、信号发生装置、探测装置和显示装置，
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述测试系统还包括：处理装置；
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述信号发生装置包括驱动电源、信号发生器和驱动装置；
【技术特征摘要】
1.一种评估线性mosfet应用能力的测试系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于，还包括处理装置；
3.根据权利要求1或2所述的测试系统，其特征在于，所述信号发生装置包括驱动电源、信号发生器和驱动装置；
4.根据权利要求1或2所述的测试系统，其特征在于，所述探测装置包括：电流探测单元、高压差分探测单元和低压差分探测单元；
【专利技术属性】
技术研发人员：王舶男，郑天浩，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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