【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种tcp设备的石英盖板及其镀膜方法。
技术介绍
1、变压器耦合等离子体(transformer coupled plasma，tcp)设备是一种常用的刻蚀设备，其通过在腔室顶部的绝缘板(被称为“窗口(window)”，通常由石英材料构成，以下简称为“石英盖板”)上的感应线圈上施加射频电场，使得反应气体中的初始电子获得能量，从而轰击气体内的粒子，产生等离子体，进而实现刻蚀。
2、在刻蚀制程中，四氟化碳(cf4)、溴化氢(hbr)等腐蚀性气体以及等离子体会对石英盖板的表面产生强腐蚀作用，而从石英盖板表面释放的颗粒会在晶圆上产生缺陷，导致晶圆的报废；同时，石英盖板随着使用时间(lifetime)的增加，石英的消耗也会随之增加，其会在密封面内边形成明显蚀刻痕迹，从而提高了泄漏率；另外，随着使用时间的增加，位于线圈下方的石英盖板由于腐蚀的原因会产生气泡状的刻痕，会导致颗粒物缺陷，从而影响产品良率。
3、鉴于此，相关技术中，为降低上述问题所造成的影响，通常需要及时更换tcp设备的石英盖板，从而造成零部件的使用时间短，提高了制造成本。因此，亟待提供一种方法以提高刻蚀工艺中石英部件的耐腐蚀性。
技术实现思路
1、本申请提供了一种tcp设备的石英盖板及其镀膜方法，可以解决相关技术中通过定期更换tcp设备的石英盖板所造成的制造成本较高的问题。
2、一方面，本申请实施例提供了一种tcp设备的石英盖板的镀膜方法，其特征在于，包括
3、提供一石英盖板，所述石英盖板在tcp设备工作时固定在tcp设备的射频线圈的下方，所述石英盖板由石英材料构成，所述石英盖板具有正面以及与所述正面相对的反面，所述正面是在其工作时与等离子体接触的表面；
4、在所述石英盖板的正面喷涂三氧化二钇涂层，所述三氧化二钇涂层用于设置有所述石英盖板的tcp设备工作时，保护所述石英盖板被刻蚀反应气体和/或等离子腐蚀。
5、在一些实施例中，所述三氧化二钇涂层的厚度为1微米至50微米。
6、在一些实施例中，所述三氧化二钇涂层的粗糙度小于0.5。
7、在一些实施例中，所述刻蚀反应气体包括四氟化碳和/或溴化氢。
8、另一方面，本申请实施例提供了一种tcp设备的石英盖板，包括：
9、石英盖板，所述石英盖板在tcp设备工作时固定在tcp设备的射频线圈的下方，所述石英盖板由石英材料构成，所述石英盖板具有正面以及与所述正面相对的反面，所述正面是在其工作时与等离子体接触的表面；
10、三氧化二钇涂层，所述三氧化二钇涂层用于设置有所述石英盖板的tcp设备工作时，保护所述石英盖板被刻蚀反应气体和/或等离子腐蚀。
11、在一些实施例中，所述三氧化二钇涂层的厚度为1微米至50微米。
12、在一些实施例中，所述三氧化二钇涂层的粗糙度小于0.5。
13、在一些实施例中，所述刻蚀反应气体包括四氟化碳和/或溴化氢。
14、本申请技术方案，至少包括如下优点：
15、通过在tcp设备的石英盖板的正面喷涂三氧化二钇涂层，从而当设置有该石英盖板的tcp设备工作时，能够降低该石英盖板被刻蚀反应气体和/或等离子腐蚀的腐蚀度，在一定程度上提高了生产效率，降低了生产成本。
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1.一种TCP设备的石英盖板的镀膜方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三氧化二钇涂层的厚度为1微米至50微米。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述三氧化二钇涂层的粗糙度小于0.5。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀反应气体包括四氟化碳和/或溴化氢。
5.一种TCP设备的石英盖板，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的石英盖板，其特征在于，所述三氧化二钇涂层的厚度为1微米至50微米。
7.根据权利要求6所述的石英盖板，其特征在于，所述三氧化二钇涂层的粗糙度小于0.5。
8.根据权利要求5至7任一所述的石英盖板，其特征在于，所述刻蚀反应气体包括四氟化碳和/或溴化氢。
【技术特征摘要】
1.一种tcp设备的石英盖板的镀膜方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三氧化二钇涂层的厚度为1微米至50微米。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述三氧化二钇涂层的粗糙度小于0.5。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀反应气体包括四氟化碳和/或溴化氢。
...【专利技术属性】
技术研发人员：季鑫，曹春生，杜廷卫，童光辉，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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