【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种浅沟槽隔离结构的形成方法及cmos图像传感器的形成方法。
技术介绍
1、移动设备及日新月异的拍照功能已经成为我们日常生活的一个重要组成部分。目前大多数移动设备，如手机、平板电脑和笔记本电脑等，都至少装有一个或者多个cmos图像传感器(cmos image sensor，cis)。为了获得更佳的拍摄效果，对于cis器件的性能要求也越来越高。cis主要由逻辑区和像素区组成，其中，像素区承担了器件重要的传感功能，是影响器件性能的重要因素。提高器件的像素性能具有重要意义，其中，白色像素(whitepixel)性能即最重要的像素指标之一，是器件设计及生产过程中重点关注因素。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法及cmos图像传感器的形成方法，以解决如何改善白色像素的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：
3、提供一衬底，所述衬底内形成有浅沟槽，所述浅沟槽从所述衬底的表面延伸至所述衬底的内部，所述浅沟槽的底壁和侧壁的表面上形成有杂质；
4、执行第一离子注入工艺在所述浅沟槽内注入第一离子，以在所述浅沟槽的底壁和侧壁上形成吸杂层，所述吸杂层用于吸附所述浅沟槽的底壁和侧壁的表面上的杂质；
5、执行第二离子注入工艺在所述浅沟槽内注入第二离子，以在所述浅沟槽内形成第一隔离层，所述第一隔离层位于所述吸杂层上；
6、在所述浅沟槽内形成第二
7、可选的，所述第一离子注入工艺为毯式离子注入工艺。
8、可选的，所述第一离子注入工艺中的第一离子为碳离子或者氮离子。
9、可选的，所述第一离子注入工艺中的第一离子浓度为1012atoms/cm3至1016atoms/cm3。
10、可选的，所述第一离子注入工艺的能量为3kev至15kev。
11、可选的，所述第二离子注入工艺为场效离子注入工艺。
12、可选的，所述第二离子注入工艺中的第二离子为p型离子。
13、可选的，在执行所述第一离子注入工艺之前，所述衬底上形成有介质层和硬掩模层，所述浅沟槽贯穿所述介质层和所述硬掩模层并延伸至所述衬底中，且所述浅沟槽的底壁和侧壁表面形成有修复层，所述修复层用于修复所述浅沟槽底壁和侧壁表面的损伤和缺陷。
14、可选的，所述浅沟槽的底壁和侧壁表面上的杂质为形成所述浅沟槽的干法刻蚀工艺中产生的金属杂质离子。
15、基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种cmos图像传感器的形成方法，包括上述任一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法形成的浅沟槽隔离结构。
16、在本专利技术提供的浅沟槽隔离结构的形成方法及cmos图像传感器的形成方法中，执行第一离子注入工艺在所述浅沟槽内注入第一离子以在所述浅沟槽的底壁和侧壁上形成吸杂层，吸杂层用于吸附浅沟槽的底壁和侧壁的表面上的杂质；执行第二离子注入工艺在浅沟槽内注入第二离子，以在浅沟槽内形成第一隔离层，第一隔离层位于吸杂层上。形成浅沟槽的干法刻蚀工艺中不可避免对浅沟槽的表面结构产生损伤和缺陷，容易引入金属杂质离子，在第二离子注入工艺之前增加第一离子注入工艺在浅沟槽的底壁和侧壁注入第一离子，第一离子吸附浅沟槽的底壁和侧壁表面的金属杂质离子，改善浅沟槽的底壁和侧壁表面缺陷，并对白色像素有一定的改善。以及通过第二离子注入工艺在浅沟槽内注入第二离子形成第一隔离层增强了相邻像素单元(pixel to pixel)的iso能力。
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1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺为毯式离子注入工艺。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺中的第一离子为碳离子或者氮离子。
4.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺中的第一离子浓度为1012atoms/cm3至1016atoms/cm3。
5.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的能量为3KeV至15KeV。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子注入工艺为场效离子注入工艺。
7.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子注入工艺中的第二离子为P型离子。
8.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第一离子注入工艺之前，所述衬底上形成有介质层和硬掩模层，所述浅沟槽贯穿所述介质层
9.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽的底壁和侧壁表面上的杂质为形成所述浅沟槽的干法刻蚀工艺中产生的金属杂质离子。
10.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括采用权利要求1～9任一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法形成的浅沟槽隔离结构。
...【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺为毯式离子注入工艺。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺中的第一离子为碳离子或者氮离子。
4.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺中的第一离子浓度为1012atoms/cm3至1016atoms/cm3。
5.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的能量为3kev至15kev。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子注入工艺为场效离子注入工艺。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：顾勤勤，梅翠玉，姜东伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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