System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种量子点的制备方法技术_技高网

一种量子点的制备方法技术

技术编号:42821752 阅读:1 留言:0更新日期:2024-09-24 20:59
一种量子点的制备方法,属于量子点材料领域。量子点的制备方法包括将阳离子前驱体与有机酸配体混合,形成第一体系;使阴离子前驱体在所述第一体系中反应,形成团簇;在非配位溶剂中,所述团簇发生反应,形成量子点;其中,所述阳离子前驱体与所述阴离子前驱体的摩尔比>1:1。该制备方法可以获得波长范围更广、纯度更高的量子点。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及量子点材料领域,具体而言,涉及一种量子点的制备方法


技术介绍

1、量子点材料的研究涉及多个交叉领域的学科。这一点从其多种多样的名称能够得以反映。

2、例如,化学家称之为胶体颗粒;晶体学家称之为微晶;材料学家称之为超微粒;原子分子学家称之为团簇、大分子;由于这种临界尺寸发生在纳米范围,许多人又称之为纳米材料;固体和理论物理学家则形象地称之为量子点。

3、常见的量子点材料有ii-vi族、iii-v族、i-iii-vi族等。目前合成的量子点大都含重金属元素cd(镉),极大限制了量子点的应用。而inp(磷化铟)能够很好的解决这个问题,是无镉材料较好的选择。

4、inp是一种重要的iii-v族化合物半导体材料。近几年,随着光电集成芯片、高速电子器件的发展,作为器件衬底的磷化铟材料越来越被重视,inp量子点材料已被广泛用于高速、高频、毫米波高电子迁移率晶体管(hemt)、异质结双极晶体管(hbt)、激光器、发光二极管、探测器、抗辐射太阳电池、光电集成电路等领域。

5、现有制备inp的技术所制备的inp量子点存在波长范围窄、纯度不高且量子产率低等缺点。


技术实现思路

1、有鉴于上述的不足,本申请提供了一种量子点的制备方法,以解决现有技术中inp量子点的缺陷问题。

2、本申请是这样实现的:

3、在第一方面,本申请的示例提供了一种量子点的制备方法,其包括:

4、将阳离子前驱体与有机酸配体混合,形成第一体系

5、使阴离子前驱体在第一体系中反应,形成团簇;

6、在非配位溶剂中,团簇发生反应,形成量子点;

7、其中,阳离子前驱体与阴离子前驱体的摩尔比>1:1。

8、在本申请的一些示例中,阳离子前驱体包括醋酸锌、醋酸铜、醋酸铟、醋酸镉、氯化铟、氯化锌和氯化铅中的任意一种或多种的组合。

9、在本申请的一些示例中,阴离子前驱体包括p-top,p-ode,s-top,s-ode,se-top和se-ode中的一种或多种。

10、在本申请的一些示例中,有机配体酸包括十酸、十一烯酸、十二酸、十四酸、十六酸、十八酸、油酸和硬脂酸中的一种或多种。

11、在本申请的一些示例中,非配位溶剂包括1-十二碳烯、1-十三碳烯、1-十四碳烯、1-十五碳烯、1-十六碳烯、1-十七碳烯、1-十八碳烯、1-十九碳烯和1-二十碳烯中的至少一种或多种。

12、在本申请的一些示例中,阳离子前驱体与有机酸配体的摩尔比为1:5~2:1,阳离子前驱体与阴离子前驱体的摩尔比为2:1~10:1。

13、在本申请的一些示例中,在150至200℃的温度下,阴离子前驱体在第一体系中反应。

14、在本申请的一些示例中,在250至310℃的温度下,非配位溶剂与团簇反应。

15、在本申请的一些示例中,该制备方法是在真空条件或惰性气体下进行的。

16、在第二方面,本申请的示例提供了一种量子点的制备方法,其包括:

17、提供根据上述方案所获得量子点核;

18、对量子点核包覆壳层。

19、在本申请的一些示例中,壳层包括硫化锌、硒化锌和硫化镉中的任意一种或多种的组合。

20、在以上实现过程中,本申请实施例提供的制备方法可以获得富含阳离子的量子点,从而可以拓宽量子点的光谱范围、降低杂质含量。并且,该量子点在光谱范围内的可调节范围比较大,对应的量子点的直径可调节范围也比较大,且量子点的半峰宽更窄、量子点效率更高。此外,由于预先形成团簇,从而可以有效地调控阴离子前驱体的活性,使得量子点的成核和生长更加缓慢和均匀,从而提高了量子点的尺寸的均一性。

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【技术保护点】

1.一种量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体包括醋酸锌、醋酸铜、醋酸铟、醋酸镉、氯化铟、氯化锌和氯化铅中的任意一种或多种的组合;

3.根据权利要求2所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体与所述阴离子前驱体的摩尔比为2:1~10:1。

4.根据权利要求2或3所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体与有机酸配体的摩尔比为1:5~2:1。

5.根据权利要求2所述的量子点的制备方法,其特征在于,在150至200℃的温度下,所述阴离子前驱体在所述第一体系中反应。

6.根据权利要求2或5所述的量子点的制备方法,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法是在惰性气体中进行的。

8.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法是在真空环境中进行的。

9.一种量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

10.根据权利要求9所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述壳层包括硫化锌、硒化锌和硫化镉中的任意一种或多种的组合。

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【技术特征摘要】

1.一种量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体包括醋酸锌、醋酸铜、醋酸铟、醋酸镉、氯化铟、氯化锌和氯化铅中的任意一种或多种的组合;

3.根据权利要求2所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体与所述阴离子前驱体的摩尔比为2:1~10:1。

4.根据权利要求2或3所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体与有机酸配体的摩尔比为1:5~2:1。

5.根据权利要求2所述的量子点的制备方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁云程陆玲
申请(专利权)人:合肥福纳科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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