【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器测试方法，尤其涉及一种能够缩短测试时间的存储器测试方法及装置。
技术介绍
1、在存储器研发的过程中，需要对工艺后产生的晶圆(wafer)进行测试程序，以判断晶圆上的晶粒(die)的功能是否正常。每一次的测试程序是由代表不同的电性物理意义的许多测试程序所组成。目前，完成所有测试程序需要花费非常多的时间，并且只会得到一次性的结果。即使进行测试程序的途中有部分测试程序造成严重的良率损失，也需要再调整测试程序的顺序来重新进行测试程序，才会知道后续测试程序的测试结果是否有问题。此外，当临时想增加测试程序、减少测试程序、对调程序测试顺序或修改程序的条件时，也都需要重新执行所有测试程序，导致花费大量的测试时间。因此，如何在有限的测试成本中得到更多的有效数据及缩短测试时间，成为本领域日益重要的课题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种存储器测试方法及装置，能够在有限的测试成本中得到更多的有效数据及大幅地缩短测试时间。
2、本专利技术的存储器测试方法包括下列步骤：使用包含n个测试程序的测试程序群来分别对m个晶粒进行测试，以产生独立的n个测试数据，其中n及m为大于1的正整数；以及对n个测试数据执行神经网络运算，以估计m个晶粒通过测试程序群的良率。
3、本专利技术的存储器测试装置包括夹具、存储装置以及测试控制装置。夹具用以夹持待测的m个晶粒。存储装置用以存储测试程序群。测试控制装置耦接夹具以及存储装置。测试控制装置用以使用包含n个测试程序的测试程序群来分
4、基于上述，本专利技术的存储器测试方法及装置能够得到每一支测试程序“独立”的测试数据(测试结果)。利用这些“独立”的测试数据进行神经网络运算，以快速地估计晶粒的良率。由此，得到更多的有效数据及大幅地缩短测试时间。
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1.一种存储器测试方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，使用包含所述N个测试程序的所述测试程序群来分别对所述M个晶粒进行测试，以产生独立的所述N个测试数据的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，每个所述N个测试数据包括分别对应于所述M个晶粒的M个子测试数据。
4.根据权利要求3所述的存储器测试方法，其特征在于，每个所述M个子测试数据包括晶粒位置信息、行修补数量信息、列修补数量信息以及行与列修补位置信息。
5.根据权利要求3所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述N个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述M个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，以所述测试顺序为基准，根据所述N个晶粒测试信息依序计算每个所述N个测试程序的阶段性良率的步骤包括：
7.根据权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述N个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述M个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤
8.根据权利要求7所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述N个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述M个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤还包括：
9.根据权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述N个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述M个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤还包括：
10.根据权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述N个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述M个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤还包括：
11.一种存储器测试装置，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器测试装置，其特征在于，所述测试控制装置将K的初始值设为1，使用所述测试程序群中的第K个测试程序分别对所述M个晶粒进行测试，以产生对应于所述第K个测试程序的所述测试数据，且存储对应于所述第K个测试程序的所述测试数据至所述存储装置，
13.根据权利要求11所述的存储器测试装置，其特征在于，每个所述N个测试数据包括分别对应于所述M个晶粒的M个子测试数据。
14.根据权利要求13所述的存储器测试装置，其特征在于，每个所述M个子测试数据包括晶粒位置信息、行修补数量信息、列修补数量信息以及行与列修补位置信息。
15.根据权利要求13所述的存储器测试装置，其特征在于，所述测试控制装置对每个所述N个测试数据的M个子测试数据进行译码，以取得分别针对所述N个测试程序的N个修补地址数据，并根据所述N个修补地址数据，取得分别针对所述N个测试程序的N个晶粒测试信息，且以测试顺序为基准，根据所述N个晶粒测试信息依序计算每个所述N个测试程序的阶段性良率。
16.根据权利要求15所述的存储器测试装置，其特征在于，所述测试控制装置分析所述N个晶粒测试信息，以取得所述M个晶粒通过每个所述N个测试程序后的多个良品晶粒以及各所述多个良品晶粒的修补数，将所述测试顺序中的第1个测试程序所对应的所述多个良品晶粒作为初始的共通良品晶粒群，并根据所述共通良品晶粒群中所述多个良品晶粒的数量来计算所述第1个测试程序的阶段性良率，
17.根据权利要求15所述的存储器测试装置，其特征在于，所述存储器测试装置还包括显示装置，所述显示装置耦接所述测试控制装置，
18.根据权利要求17所述的存储器测试装置，其特征在于，所述测试控制装置根据所述N个晶粒测试信息，分别累加在所述N个测试程序之间相同的修补地址的修补数，并将所累加的修补数以关联于修补地址的方式在所述显示装置上进行显示。
19.根据权利要求15所述的存储器测试装置，其特征在于，所述测试控制装置分析所述N个晶粒测试信息，以取得所述M个晶粒通过每个所述N个测试程序后的多个良品晶粒、所述多个良品晶粒的数量以及各所述多个良品晶粒的修补地址，并根据所述N个测试程序之间共通的所述多个良品晶粒的数量以及共通的修补地址，对所述N个测试程序的所述测试顺序进行排序。
20.根据权利要求15所述的存储器测试装置，其特征在于，所述存储器测试装置还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器测试方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，使用包含所述n个测试程序的所述测试程序群来分别对所述m个晶粒进行测试，以产生独立的所述n个测试数据的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的存储器测试方法，其特征在于，每个所述n个测试数据包括分别对应于所述m个晶粒的m个子测试数据。
4.根据权利要求3所述的存储器测试方法，其特征在于，每个所述m个子测试数据包括晶粒位置信息、行修补数量信息、列修补数量信息以及行与列修补位置信息。
5.根据权利要求3所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述n个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述m个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，以所述测试顺序为基准，根据所述n个晶粒测试信息依序计算每个所述n个测试程序的阶段性良率的步骤包括：
7.根据权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述n个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述m个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤还包括：
8.根据权利要求7所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述n个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述m个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤还包括：
9.根据权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述n个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述m个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤还包括：
10.根据权利要求5所述的存储器测试方法，其特征在于，对所述n个测试数据执行所述神经网络运算，以估计所述m个晶粒通过所述测试程序群的良率的步骤还包括：
11.一种存储器测试装置，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器测试装置，其特征在于，所述测试控制装置将k的初始值设为1，使用所述测试程序群中的第k个测试程序分别对所述m个晶粒进行测试，以产生对应于所述第k个测试程序的所述测试数据，且存储对应于所述第k个测试程序的所述测试数据至所述存储装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈仕宏，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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