【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种发光器件、所述发光器件的制备方法、以及包括所述发光器件的显示装置。
技术介绍
1、目前广泛使用的发光器件为有机发光二极管(oled)和量子点发光二极管(qled)。oled由于具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示
中的主流技术。qled具有出射光颜色饱和以及波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了oled的有力竞争者。
2、传统的oled和qled器件结构一般包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，发光二极管的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
3、然而，现有的发光器件的寿命较短。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，旨在改善现有的发光器件使用寿命较短的问题。
2、本申请实施例是这样实现的，一种发光器件，包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，所述发光层的材料包括发光材料和电荷储存材料，其中，
3、所述发光材料的导带能级与所述电荷储存材料的导带能级相差0～0.2ev；和/或，
4、所述发光材料的价带能级与所述电荷储存材料的价带能级相差0～0.2ev。
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所
6、所述电荷储存材料包括间接带隙半导体材料和有机磷光材料中的一种或几种；和/或
7、所述电荷储存材料的平均粒径为5～50nm；和/或
8、所述发光材料的平均粒径为5～20nm。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述间接带隙半导体材料包括iva族单质、iva族的化合物或合金、iiia族和va族的化合物或合金、via族和vib族的化合物、via族和ib族的化合物、via族和ⅲa族的化合物、via族和ⅱb族的化合物、via族和ⅱb族的化合物、ⅷ族和ⅳb族以及ⅵa族的化合物中的一种或几种；和/或
10、所述有机磷光材料包括绿色磷光材料、红色磷光材料、蓝色磷光材料中的一种或几种；和/或
11、所述发光材料包括4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(iii)]、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱]、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料、dbp荧光材料、延迟荧光材料、tta材料、tadf材料、含有b-n共价键合的聚合物、hlct材料、exciplex发光材料、cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste、sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste、gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、cuins2、cuinse2、agins2、cdse/cdses/cds、inp/znses/zns、cdznse/znse/zns、cdses/znses/zns、cdse/zns、cdse/znse/zns、znse/zns、znsete/zns、cdse/cdznses/zns、inp/znse/zns、amx3及bmx3中的一种或几种，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一种或几种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的一种或几种；b为有机胺阳离子，选自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述iva族单质包括ge、sn中的一种或几种；和/或
13、所述iva族的化合物包括sic、gec、snc中的一种或几种；和/或
14、所述iiia族和va族的化合物包括bn、bp、bas、b12as2、alp、gap中的一种或几种；和/或
15、所述via族和vib族的化合物包括mos2、cr2s3、ws2中的一种或几种；和/或
16、所述via族和ib族的化合物包括cuo、cus2中的一种或几种；和/或
17、所述via族和ⅲa族的化合物包括in2o3、gase中的一种或几种；和/或
18、所述via族和ⅱb族的化合物包括zno、cdo中的一种或几种；和/或
19、所述iva族和via族的化合物包括sno2、pbo中的一种或几种；和/或
20、所述ⅷ族和ⅳb族以及ⅵa族的化合物包括cotio3；和/或
21、所述绿色磷光材料包括三(2-苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱、ir(dppy)3、ir(buppy)3、(pbi)2ir(acac)、(cbi)2ir(acac)、(tbi)2ir(acac)中的一种或几种；和/或
22、所述红色磷光材料包括1,6-二溴芘、双(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶-n,c3')(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基-异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(iii)、ir(piq-f)2(acac)、ir(piq-f)3、异喹啉类依配合物、三(1-苯基-异喹啉)合铱(iii)、ir(fliq)3、异喹啉配体的三环金属铱配合物、(peq)2ir(acac)、(mpeq)2ir(acac)、烷烯基喹啉配体的铱配合物、(nazo)2ir(fppz)、(nazo)2ir(本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，所述发光层的材料包括发光材料和电荷储存材料，其中，
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，
5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
6.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～5任一项所述的发光器件，或者如权利要求6～10任一项所述的制备方法制得的发光器件。
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，所述发光层的材料包括发光材料和电荷储存材料，其中，
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，
5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
6.一种发光器件的制备方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚振垒，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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