【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置及晶圆清洗槽宽度自动调节系统。
技术介绍
1、随着半导体工艺的逐步进步，近来半导体工艺对颗粒的要求程度非常严格，芯片图案的缩小使得以前没有问题的微小颗粒，在现在精细的半导体生产工艺中产生多种不良反应。在化学机械抛光cmp中，进行研磨抛光时产生的颗粒及污泥附着在晶圆上，若在清洁模块的清洁环节中不能将之有效去除，可能会诱发芯片图案动作特性上的致命缺陷。现有的清洗模块其一般包括有两个滚刷，滚刷表面包覆有海绵，两个滚刷之间形成清洗槽以用来放置待清洗的晶圆，两个滚刷分别由两个滚刷电机驱动转动对晶圆的两侧进行清洗，清洗模块的底部还有带动晶圆转动的驱动结构，在清洗过程中添加化学剂与去离子水对晶圆进行清洗，进而能够对晶圆的两侧表面进行充分的清洗。
2、而对于清洗模块清洗槽的宽度一般是在使用之前进行控制调整，再将晶圆放入进行清洗。但是由于每一次清洗的晶圆的规格都有可能不同，因此清洗模块在清洗晶圆时有可能会存在清洗槽的槽宽与待清洗的晶圆的尺寸不匹配，此时则会对晶圆在清洗模块中的转速有影响。若晶圆在清洗时的转速偏低则会影响到晶圆表面的清洗效果。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足之处，本技术提供了一种晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置及晶圆清洗槽宽度自动调节系统。晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置能够自动识别在清洗模块中清洗的晶圆的厚度，晶圆清洗槽宽度自动调节系统能够根据识别出的晶圆的厚度自动调整清洗模块的清洗槽的槽宽，使得清洗模
2、根据本技术的第一个方面，提供了一种晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置，包括设置在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面的光学检测组件，用于获取光源干涉信号输出至第一处理单元；和
3、第一处理单元，用于将接收到的光源干涉信号转换为晶圆厚度。
4、本技术的晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置能够通过设置在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面的光学检测组件，并利用第一处理单元对光学检测组件获取的光源干涉信号进行计算，以对放置在清洗模块内的待清洗的晶圆进行厚度检测，进而能够直接检测出晶圆的厚度。通过检测得到晶圆的厚度，即可根据晶圆的厚度对清洗模块的清洗槽的槽宽，以保证晶圆在清洗模块中进行清洗时的转速，保证晶圆表面的清洗效果。
5、在一些实施方式中，所述光学检测组件为包括发射端和接收端的干涉仪。
6、由此，通过这样设置，能够通过干涉仪对晶圆表面发射近红外光源，以对下表面反射回光路系统的光与上表面的光形成的干涉条纹进行解析，以对晶圆的厚度进行检测。
7、在一些实施方式中，所述干涉仪的发射端在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面上的安装位置设置成能够使发射出的光源与在清洗模块内清洗的晶圆表面垂直并能够发射至在清洗模块内清洗的晶圆表面上，所述干涉仪的接收端设置在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面上的与发射端相对的位置。
8、由此，通过这样设置，能够通过干涉仪对晶圆表面发射近红外光源，以对下表面反射回光路系统的光与上表面的光形成的干涉条纹进行解析，以对晶圆的厚度进行检测。
9、根据本技术的第二个方面，提供了一种晶圆清洗槽宽度自动调节系统，用于清洗模块，包括检测单元、第二处理单元和调整单元，
10、所述检测单元为上述第一方面的晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置，
11、所述调整单元用于控制清洗模块上的两个滚刷之间的距离，
12、所述检测单元与所述第二处理单元连接，所述第二处理单元与调整单元连接，所述第二处理单元用于接收检测单元输出的晶圆厚度，并向调整单元发出控制信号。
13、本技术的晶圆清洗槽宽度自动调节系统能够通过检测单元检测得到的在清洗模块内的待清洗晶圆的厚度，之后可以利用第二处理单元根据检测得到的厚度确定出该厚度的晶圆在清洗模块中清洗时的最佳清洗的槽宽，进而再通过第二处理单元对调整单元发出控制信号，利用调整单元对清洗模块中的两个滚刷之间的距离进行调整，从而能够实现根据清洗模块中的待清洗晶圆自适应地自动调节清洗模块的清洗槽的槽宽，从而能够保证晶圆在清洗模块中进行清洗时的转速，保证晶圆表面的清洗效果。
14、在一些实施方式中，所述第二处理单元包括服务器。
15、由此，通过这样设置，能够利用服务器接收检测单元发送的检测结果信息，并能够利用服务器的计算性能根据检测结果计算清洗槽的宽度目标值，进而可以根据宽度目标值对调整单元下发相应的指令，使得调整单元对两个滚刷之间的距离进行调整，使得清洗模块内的清洗槽的槽宽适合当前在清洗模块内清洗的晶圆。
16、在一些实施方式中，所述调整单元包括用于驱动两个滚刷相互靠近或相互远离的驱动组件，所述第二处理单元用于通过所述控制信号控制驱动组件使得两个滚刷相互靠近或相互远离。
17、由此，通过这样设置，能够利用驱动组件驱动两个滚刷相互靠近或相互远离，以实现调整清洗槽的槽宽。
18、根据本技术的第三个方面，提供了另一种晶圆清洗槽宽度自动调节系统，用于清洗模块，包括检测单元和调整单元，
19、所述调整单元用于控制清洗模块上的两个滚刷之间的距离，
20、所述检测单元包括设置在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面的光学检测组件和处理单元；
21、所述光学检测组件用于获取光源干涉信号输出至处理单元；
22、所述处理单元与调整单元连接，用于根据接收到的光源干涉信号向所述调整单元发出控制信号。
23、本技术的晶圆清洗槽宽度自动调节系统能够通过检测单元的光学检测组件与处理单元检测得到的在清洗模块内的待清洗晶圆的厚度，之后还可以继续利用处理单元根据检测得到的厚度确定出该厚度的晶圆在清洗模块中清洗时的最佳清洗的槽宽，进而再通过处理单元对调整单元发出控制信号，利用调整单元对清洗模块中的两个滚刷之间的距离进行调整，从而能够实现根据清洗模块中的待清洗晶圆自适应地自动调节清洗模块的清洗槽的槽宽，从而能够保证晶圆在清洗模块中进行清洗时的转速，保证晶圆表面的清洗效果。与上述第二方面的晶圆清洗槽宽度自动调节系统相比，能够减少整体系统中使用的处理单元的数量，以降低系统的复杂度以及构建成本。
24、在一些实施方式中，所述处理单元为服务器。
25、由此，通过这样设置，能够利用服务器接收检测单元发送的检测结果信息，并能够利用服务器的计算性能根据检测结果计算清洗槽的宽度目标值，进而可以根据宽度目标值对调整单元下发相应的指令，使得调整单元对两个滚刷之间的距离进行调整，使得清洗模块内的清洗槽的槽宽适合当前在清洗模块内清洗的晶圆。
26、在一些实施方式中，所述调整单元包括用于驱动两个滚刷相互靠近或相互远离的驱动组件，所述处理单元用于基于所述控制信号控制驱动组件使得两个滚刷相互靠近或相互远离。
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置，其特征在于：包括设置在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面的光学检测组件，用于获取光源干涉信号输出至第一处理单元；和
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置，其特征在于：所述光学检测组件为包括发射端和接收端的干涉仪。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置，其特征在于：所述干涉仪的发射端在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面上的安装位置设置成能够使发射出的光源与在清洗模块内清洗的晶圆表面垂直并能够使光源发射至在清洗模块内清洗的晶圆表面上，所述干涉仪的接收端设置在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面上的与发射端相对的位置。
4.一种晶圆清洗槽宽度自动调节系统，用于清洗模块，其特征在于：包括检测单元、第二处理单元和调整单元，
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗槽宽度自动调节系统，其特征在于：所述第二处理单元包括服务器。
6.根据权利要求4所述的晶圆清洗槽宽度自动调节系统，其特征在于：所述调整单元包括用于驱动两个滚刷相互靠近或相互远离的驱动组件，所述第二处理单元用于通过所述控制信号
7.一种晶圆清洗槽宽度自动调节系统，用于清洗模块，其特征在于：包括检测单元和调整单元，
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗槽宽度自动调节系统，其特征在于：所述处理单元为服务器。
9.根据权利要求7所述的晶圆清洗槽宽度自动调节系统，其特征在于：所述调整单元包括用于驱动两个滚刷相互靠近或相互远离的驱动组件，所述处理单元用于基于所述控制信号控制驱动组件使得两个滚刷相互靠近或相互远离。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置，其特征在于：包括设置在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面的光学检测组件，用于获取光源干涉信号输出至第一处理单元；和
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置，其特征在于：所述光学检测组件为包括发射端和接收端的干涉仪。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗模块用晶圆厚度检测装置，其特征在于：所述干涉仪的发射端在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面上的安装位置设置成能够使发射出的光源与在清洗模块内清洗的晶圆表面垂直并能够使光源发射至在清洗模块内清洗的晶圆表面上，所述干涉仪的接收端设置在晶圆清洗模块的外壳体的内侧面上的与发射端相对的位置。
4.一种晶圆清洗槽宽度自动调节系统，用于清洗模块，其特征在于：包括检测单元、第二处理单元和调整单元，
5...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡鑫，余威明，魏志杰，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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