【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种晶圆切割方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、激光隐切是利用激光加工的特性，通过将硅晶圆局部加热并瞬间冷却，使局部区域发生压缩或者膨胀，从而在晶圆内部形成有序的热应力场，最终形成一个有微缺陷、可断离的薄层，实现对硅晶圆的划片。对不同材料的衬底进行激光隐切所需的激光不同。在切割一种材料衬底的激光照射在另一种材料衬底上时会产生熔融颗粒，当这些颗粒附着在衬底表面后无法被清洗去除。
2、然而，在现有技术中，对两种材料构成的晶圆进行切割时，由于切割设备的精度控制原因，切割一种材料衬底的激光易照射到另一种材料衬底上，致使熔融颗粒的产生，导致芯片生产的良品率较低。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种晶圆切割方法、装置、电子设备及存储介质，以提高芯片生产的良品率。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种晶圆切割方法，待切割晶圆包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底相互贴合；该晶圆切割方法包括：
3、获取第一激光的光斑大小和所述第一激光的机械移动误差；其中，所述机械移动误差为产生所述第一激光的激光切割组件在移动过程中所产生的误差；其中，所述第一激光为切割所述第一衬底所需的激光；
4、根据所述第一激光光斑大小和所述机械移动误差计算修正深度；
5、根据所述修正深度对所述第一衬底的各切割道进行二次加工，以形成修正切割道；
6、控制所述第一激光沿所述修正切割道对所述第一衬底进行
7、控制第二激光沿所述第二衬底的各切割道对所述第二衬底进行切割；其中，所述第二激光为切割所述第二衬底所需的激光。
8、可选地，获取第一激光的光斑大小的具体方法包括：
9、提供测试晶圆；
10、控制所述第一激光在所述测试晶圆上切割出多个切口；
11、获取所述测试晶圆各个切口的宽度；
12、根据所述测试晶圆各个切口的宽度和所述测试晶圆中切口的数量计算所述第一激光的光斑大小。
13、可选地，获取第一激光的机械移动误差的具体方法包括：
14、提供测试晶圆和预设切割深度；
15、控制所述第一激光根据所述预设切割深度对所述测试晶圆进行切割；
16、获取所述测试晶圆的实际切割深度；
17、根据所述预设切割深度和所述实际切割深度计算所述第一激光的机械移动误差。
18、可选地，所述修正切割道的深度小于所述第一衬底的厚度。
19、可选地，所述第一激光的波长与所述第二激光的波长不同。
20、可选地，所述根据所述修正深度对所述第一衬底的各切割道进行二次加工，以形成修正切割道的具体方法包括：
21、在所述第一衬底表面沉积光刻胶；
22、根据所述第一衬底各切割道的位置对所述第一衬底表面的光刻胶进行曝光和显影；
23、对所述第一衬底进行刻蚀，以形成修正切割道；
24、去除所述第一衬底表面的光刻胶。
25、根据本专利技术的另一方面，还提供了一种晶圆切割装置，待切割晶圆包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底相互贴合；该晶圆切割装置包括：
26、获取模块，用于获取第一激光的光斑大小和所述第一激光的机械移动误差；其中，所述机械移动误差为产生所述第一激光的激光切割组件在移动过程中所产生的误差；其中，所述第一激光为切割所述第一衬底所需的激光；
27、计算模块，用于根据所述第一激光光斑大小和所述机械移动误差计算修正深度；
28、光刻刻蚀模块，用于根据所述修正深度对所述第一衬底的各切割道进行二次加工，以形成修正切割道；
29、第一切割模块，用于控制所述第一激光沿所述修正切割道对所述第一衬底进行切割；
30、第二切割模块，用于控制第二激光沿所述第二衬底的各切割道对所述第二衬底进行切割；其中，所述第二激光为切割所述第二衬底所需的激光。
31、根据本专利技术的又一方面，还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
32、至少一个处理器；以及
33、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
34、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行以上任一实施例所述的晶圆切割方法。
35、根据本专利技术的又一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现以上任一实施例所述的晶圆切割方法。
36、本专利技术实施例通过第一激光光斑大小和机械移动误差计算修正深度，并根据修正深度对第一衬底表面的切割道进行修正，以避免切割第一衬底的第一激光照射到第二衬底上，有利于避免熔融颗粒的产生，提高芯片生产的良品率。
37、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种晶圆切割方法，其特征在于，待切割晶圆包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底相互贴合；该晶圆切割方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，获取第一激光的光斑大小的具体方法包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，获取第一激光的机械移动误差的具体方法包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述修正切割道的深度小于所述第一衬底的厚度。
5.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一激光的波长与所述第二激光的波长不同。
6.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述根据所述修正深度对所述第一衬底的各切割道进行二次加工，以形成修正切割道的具体方法包括：
7.一种晶圆切割装置，其特征在于，待切割晶圆包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底相互贴合；该晶圆切割装置包括：
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，待切割晶圆包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底相互贴合；该晶圆切割方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，获取第一激光的光斑大小的具体方法包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，获取第一激光的机械移动误差的具体方法包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述修正切割道的深度小于所述第一衬底的厚度。
5.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一激光的波长与所述第二激光的...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡秋娴，杨美辰，张华，
申请(专利权)人：苏州矽劼微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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