System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法技术_技高网

一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法技术

技术编号:42813642 阅读:1 留言:0更新日期:2024-09-24 20:54
本发明专利技术提供了一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法。该方法包括:将二氧化硅纳米颗粒分散在树脂中,再在树脂中加入引发剂后混合均匀,制得二氧化硅的树脂悬浮液;将所述二氧化硅树脂悬浮液经微流控芯片剪切,紫外灯固化后,制得树脂/二氧化硅基光子晶体;在所述树脂/二氧化硅基光子晶体的表面部分包裹薄膜,得到被部分保护的光子晶体;将所述被部分保护的光子晶体经刻蚀液浸泡后,用清水洗涤多次,剥离薄膜,得到异质结光子晶体。本发明专利技术方法是一套能够批量、快速、可控的制备异质结光子晶体的新方法,能够大大推动异质结光子晶体的实际应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及异质结光子晶体,尤其涉及一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法


技术介绍

1、光子晶体是一种介电常数呈现严格周期性变化的光学材料,如自然界中常见的蛋白石宝石“欧泊石”,就是球形二氧化硅纳米颗粒经长期沉积后形成的具有周期性结构的天然光子晶体材料,在自然光下呈现鲜艳的结构色。这种介电常数的周期性调制使得停止带隙中的具有某些波长或频率的光被禁止传播,光子的操纵成为可能,被用作最常用的光操纵材料。

2、异质结光子晶体由两个或多个具有不同化学成分和性质的部分组成能够表现出至少两种结构颜色,使异质结光子晶体在传感、药物交付、信息加密和显示等领域具有很好的应用前景。这种多停止带隙光子晶体材料的发展,对光子晶体功能化应用非常重要。为了制造具有所需结构和功能的异质结光子晶体,可以使用自上而下的方法,而这种方法的高成本和有限的产量限制了其广泛应用。相反,自下而上的策略,如种子乳液聚合、模板形成和自组装,具有效率高、成本低的优点。然而,在颗粒形态和尺寸的精确可控性以及大规模生产方面仍然存在挑战。

3、因此,如何开发一种能够可控地快速制备具有异质结结构的光子晶体的方法,是一个亟待解决的问题。


技术实现思路

1、本专利技术的实施例提供了一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法,以实现有效地快速制备出所需尺寸的树脂/二氧化硅基异质结光子晶体。

2、为了实现上述目的,本专利技术采取了如下技术方案。

3、一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法,包括:</p>

4、将二氧化硅纳米颗粒分散在树脂中,再在树脂中加入引发剂后混合均匀,制得二氧化硅的树脂悬浮液;

5、将所述二氧化硅树脂悬浮液经微流控芯片剪切,紫外灯固化后,制得树脂/二氧化硅基光子晶体;

6、在所述树脂/二氧化硅基光子晶体的表面部分包裹薄膜,得到被部分保护的光子晶体;

7、将所述被部分保护的光子晶体经刻蚀液浸泡后,用清水洗涤多次,剥离薄膜,得到异质结结构的光子晶体。

8、优选地,所述引发剂为光引发剂,添加量为体系质量的0.5%~5.0%。

9、优选地,所述二氧化硅纳米颗粒的粒径是150~300纳米,所述树脂为光固化树脂。

10、优选地,所述二氧化硅纳米颗粒在树脂中的质量分数为15%~30%。

11、优选地,所述微流控芯片为“单相”、“双相”以及“多相”微流控芯片。

12、优选地,所述光子晶体形状为均质球形、核壳球形、饼状、子弹形以及蘑菇形形状。

13、优选地,所述紫外灯固化时间为1~2小时。

14、优选地,所述薄膜为有机聚合物或无机薄膜。

15、优选地,所述清水洗涤的温度为25~30℃。

16、优选地,所述刻蚀液为质量分数为2%~10%的氢氟酸溶液,反应时长为1~10分钟,反应温度为25~30℃,氢氟酸刻蚀基本化学反应式如下:sio2+4hf=sif4↑+2h2o。

17、由上述本专利技术的实施例提供的技术方案可以看出,本专利技术实施例方法获得的异质结光子晶体具有尺寸均一和异质结结构可控的优点,能够极大地提升制备效率和产率,具有快速、批量的优点。

18、本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。

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【技术保护点】

1.一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述引发剂为光引发剂,添加量为体系质量的0.5%~5.0%。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述二氧化硅纳米颗粒的粒径为150~300纳米,所述树脂为光固化树脂。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述二氧化硅纳米颗粒在树脂中的质量分数为15%~30%。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微流控芯片为“单相”、“双相”以及“多相”微流控芯片。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光子晶体形状为均质球形、核壳球形、饼状、子弹形以及蘑菇形形状。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述紫外灯固化时间为1~2小时。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述薄膜为有机聚合物或无机薄膜。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述清水洗涤的温度为25~30℃。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述刻蚀液为质量分数为2%~10%的氢氟酸溶液,反应时长为1~10分钟,反应温度为25~30℃,氢氟酸刻蚀基本化学反应式如下:SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O。

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【技术特征摘要】

1.一种通过刻蚀法制备异质结光子晶体的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述引发剂为光引发剂,添加量为体系质量的0.5%~5.0%。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述二氧化硅纳米颗粒的粒径为150~300纳米,所述树脂为光固化树脂。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述二氧化硅纳米颗粒在树脂中的质量分数为15%~30%。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微流控芯片为“单相”、“双相”以及“多相”微流控芯片。

6.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔秋红王启凯
申请(专利权)人:北京交通大学
类型:发明
国别省市:

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