System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体模块制造技术_技高网

半导体模块制造技术

技术编号:42813361 阅读:8 留言:0更新日期:2024-09-24 20:54
本发明专利技术提供一种能够降低寄生电感的半导体模块。本发明专利技术的半导体模块具备半导体芯片Q1~Q4、第一电源端子51、第二电源端子52、第一中点端子61以及第二中点端子62,并构成桥接电路,其特征在于:第一电源端子51与第二电源端子52相邻,第一中点端子61与第二中点端子62相邻,在使用时,在第一电源端子51和第二电源端子52处电流逆向流动,并且在第一中点端子61和第二中点端子62处电流逆向流动,第一电源端子51的外引线部和第二电源端子52的外引线部、以及第一中点端子61的外引线部和第二中点端子62的外引线部配置在半导体模块1的同一侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体模块


技术介绍

1、以往,由多个半导体芯片构成桥接电路已被广泛应用。在桥接电路中,由于电路内的寄生电感,有时会产生损耗和振铃。特别是在使用宽带隙半导体作为半导体芯片的情况下,由于其高转换速率和高工作频率,电路内的寄生电感就会成为易产生损耗和振铃的主要原因。寄生电感的大小取决于布线路径的长度(也称为电流路径长度),因此,考虑为了降低寄生电感而进行模块化(例如,参照专利文献1)。

2、在专利文献1所公开的半导体装置900中,第一半导体芯片q1及第四半导体芯片q4都导通时的电流路径如图7的实线a所示,从第一电源端子911经过第一半导体芯片q1到达第一中点端子921,并在从第一中点端子921经过未图示的负载后,从第二中点端子922经过第四半导体芯片q4到达第二电源端子912。

3、另一方面,第三半导体芯片q3及第二半导体芯片q2都导通时的电流路径如图7的虚线b所示,从第一电源端子911经过第三半导体芯片q3到达第二中点端子922,并从第二中点端子922经过未图示的负载后,从第一中点端子921经过第二半导体芯片q2到达第二电源端子912。

4、另外,当第一半导体芯片q1和第四半导体芯片q4都导通时,第三半导体芯片q3和第二半导体芯片q2都断开,而当第三半导体芯片q3和第二半导体芯片q2都导通时,第一半导体芯片q1和第四半导体芯片q4都断开,在后述中,省略了半导体芯片处于断开状态的记载。

5、【先行技术文献】

6、【专利文献1】国际公开第2020/241239号

7、然而,具有上述电流路径的半导体模块只是单纯地进行了模块化,因此降低寄生电感的效果不充分。

8、本专利技术就是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种能够降低寄生电感的半导体模块。


技术实现思路

1、本专利技术的半导体模块具备多个半导体芯片、第一电源端子、第二电源端子、第一中点端子、以及第二中点端子,并构成桥接电路,其特征在于:所述第一电源端子与所述第二电源端子相邻,所述第一中点端子与所述第二中点端子相邻,在使用时,所述第一电源端子和所述第二电源端子处电流逆向流动,且所述第一中点端子和所述第二中点端子处电流逆向流动,所述第一电源端子外引线部和所述第二电源端子的外引线部、以及所述第一中点端子的外引线部和所述第二中点端子的外引线部配置在所述半导体模块的同一侧。

2、专利技术效果

3、在本专利技术的半导体模块中,第一电源端子与第二电源端子相邻,第一中点端子与第二中点端子相邻,在使用时,在第一电源端子和第二电源端子处电流逆向流动,并且在第一中点端子和第二中点端子处电流逆向流动。因此,本专利技术的半导体模块能够抵消在第一电源端子和第二电源端子中产生的磁场,且能够抵消在第一中点端子和第二中点端子中产生的磁场,因此,是一种能够降低寄生电感的半导体模块。

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【技术保护点】

1.一种半导体模块,具备多个半导体芯片、第一电源端子、第二电源端子、第一中点端子、以及第二中点端子,并构成桥接电路,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其特征在于:

4.根据权利要求2或3所述的半导体模块,其特征在于:

【技术特征摘要】

1.一种半导体模块,具备多个半导体芯片、第一电源端子、第二电源端子、第一中点端子、以及第二中点端子,并构成桥接电路,其特征在于:

2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:森永雄司
申请(专利权)人:新电元工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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