【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片制造领域，尤其涉及一种存储阵列、电子设备、存储器及存储阵列的制造方法。
技术介绍
1、存储器，比如动态随机存取内存器(dynamic random assess memory，dram)，能够实现数据的存储和读取。随着物联网、大数据以及人工智能的快速发展，对于存储器的存储密度有了更高的要求。
2、目前，随着摩尔定律的不断发展，dram的微缩化设计已经接近极限，其能够达到存储密度不能满足不断提升的需求。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种存储阵列、电子设备、存储器及存储阵列的制造方法，用于解决存储器存储密度小的技术问题。
2、为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：
3、第一方面，提供了一种存储阵列，该存储阵列包括：衬底、晶体管、第一源线和第一位线；晶体管包括第一沟道层、第一绝缘层、第一导电层、第一极化层和第一栅极；第一绝缘层设置在衬底上；沿平行于衬底的方向，第一沟道层、第一导电层分别设置在第一绝缘层相对的两侧；第一极化层设置在第一导电层背离第一绝缘层的一侧；第一栅极设置在第一极化层背离第一导电层的一侧；第一源线和第一位线均与第一沟道层连接；沿平行于衬底的方向，第一源线和第一位线间隔设置。
4、基于上述对本申请实施例提供的存储阵列的结构的描述，可知，该存储阵列包括根据被施加电压改变极化状态的第一极化层，沿平行于衬底的方向，第一极化层的两侧分别设置有第一导电层和第一栅极。第一沟道层、第一绝缘层也是沿平行于衬底的方
5、以及，当第一栅极通入不同的电压值时，能够改变第一极化层的极化状态。以及，通过第一源线和第一位线的电压差，能够完成存储阵列的读写操作。采用的与门(and)架构工艺兼容性高且难度低。
6、第一方面可行的实现方式中，第一源线和第一位线均设置在第一沟道层背离第一绝缘层的一侧；沿平行于衬底的方向，第一沟道层具有相对的第一部分和第二部分，第一源线与第一部分电连接，第一位线与第二部分电连接。
7、第一源线、第一位线放置在第一沟道层的外侧，可以有效提高第一沟道层面积与第一极化层的面积比，增大器件操作窗口，有利于多值存储。第一源线、第一位线放置在第一沟道层的外侧，第一栅极设置在第一极化层背离第一沟道层的一侧，即第一栅极在第一沟道层的内侧，能够实现第一极化层和第一栅极的面积的调整，能够增大器件操作窗口，有利于多值存储。同时，解决多值存储的串扰问题。
8、第一方面可行的实现方式中，第一沟道层、第一绝缘层均呈半环形结构；第一导电层呈柱状；第一极化层呈条状结构；第一栅极呈条状结构。
9、第一沟道层、第一绝缘层采用半环形结构，在保证第一沟道层、第一绝缘层表面积的同时，能够减小存储阵列的体积，有利于提高存储阵列的存储密度。以及，第一沟道层面积与第一极化层的面积比也会有效提升，增大器件操作窗口，有利于实现多值存储。
10、第一方面可行的实现方式中，第一沟道层、第一绝缘层均呈半圆环形结构；第一导电层的沿平行于衬底的截面为半圆形。
11、第一方面可行的实现方式中，第一沟道层、第一绝缘层均呈半椭圆环形结构；第一导电层的沿平行于衬底的截面为椭圆的至少部分。
12、通过采用半椭圆环形结构，便于加工，同时能够减小存储阵列的体积，有利于提高存储阵列的存储密度。
13、第一方面可行的实现方式中，沿垂直于衬底的方向，第一极化层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面比第二表面靠近第一导电层；第一沟道层、第一绝缘层和第一导电层均与第一表面接触。
14、第一方面可行的实现方式中，沿垂直于衬底的方向，第一沟道层、第一绝缘层、第一导电层、第一极化层和第一栅极平齐。
15、这样，存储阵列的存储单元结构规整，有利于堆叠。
16、第一方面可行的实现方式中，第一栅极呈柱状结构；第一栅极具有呈曲面形的第一侧壁、平行于衬底且相对的第三表面和第四表面；第一侧壁、第三表面和第四表面上均形成有第一极化层；背离第一栅极的一侧，第一极化层具有呈曲面形的第二侧壁、平行于衬底且相对的第五表面和第六表面；第二侧壁、第五表面和第六表面上均形成有第一导电层；背离第一极化层的一侧，第一导电层具有呈曲面形的第三侧壁、平行于衬底且相对的第七表面和第八表面；第三侧壁、第七表面和第八表面上均形成有第一绝缘层；背离第一导电层的一侧，第一绝缘层呈曲面形的第四侧壁；第四侧壁上形成有第一沟道层。
17、这样，存储阵列便于加工，有利于降低成本。
18、第一方面可行的实现方式中，沿平行于衬底的方向，第一栅极的截面为椭圆的至少部分。
19、第一方面可行的实现方式中，沿平行于衬底的方向，第一栅极的截面为矩形。
20、第一方面可行的实现方式中，沿平行于衬底的方向，第一栅极的截面为圆形的至少部分。
21、第一方面可行的实现方式中，存储阵列还包括：第二极化层，沿平行于衬底的方向，设置在第一栅极背离第一极化层的一侧；第二导电层，沿平行于衬底的方向，设置在第二极化层背离第一栅极的一侧；第二绝缘层，沿平行于衬底的方向，设置在第二导电层背离第二极化层的一侧；第二沟道层，沿平行于衬底的方向，设置在第二绝缘层背离第二导电层的一侧；第二源线和第二位线，均设置在第二沟道层背离第二绝缘层的一侧；沿平行于衬底的方向，第二沟道层具有相对的第三端和第四端，第二源线与第三端电连接，第二位线与第四端电连接。
22、通过共用第一栅极，能够提升存储阵列的存储密度。
23、第一方面可行的实现方式中，第一沟道层与第二沟道层关于第一栅极呈中心对称；第一绝缘层与第二绝缘层关于第一栅极呈中心对称；第一导电层与第二导电层关于第一栅极呈中心对称；第一极化层与第二极化层关于第一栅极呈中心对称。
24、第一方面可行的实现方式中，第一源线和第二源线关于第一栅极呈中心对称；和/或，第一位线和第二位线关于第一栅极呈中心对称。
25、第一方面可行的实现方式中，沿垂直于第一栅极的方向，第一源线的中心位于第一直线上，第二源线的中心位于第二直线上，第一直线和第二直线之间有间隙。
26、这样，第一源线和第二源线错开，有利于减小存储阵列的体积，提升存储阵列的存储密度。
27、第一方面可行的实现方式中，存储阵列中，偶数行的存储单元排布一致，奇数行的存储单元排布一致，且沿平行于第一字线的方向，奇数行的存储单元和偶数行的存储单元错开排布。
28、这样，使得第一源线和第三源线均位于第一直线上，第二源线和第四源线均位于第二直线本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储阵列，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述第一沟道层、所述第一绝缘层均呈半环形结构；所述第一导电层呈柱状；所述第一极化层呈条状结构；所述第一栅极呈条状结构。
3.根据权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述第一沟道层、所述第一绝缘层均呈半圆环形结构；
4.根据权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述第一沟道层、所述第一绝缘层均呈半椭圆环形结构；
5.根据权利要求2-4任一项所述的存储阵列，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的存储阵列，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，沿平行于衬底的方向，所述第一栅极的截面为椭圆的至少部分。
9.根据权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，沿平行于衬底的方向，所述第一栅极的截面为矩形。
10.根据权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，沿平行于衬底的方向，所述第一栅极的截面为圆形的至少部分。
11.根据权利要求
12.根据权利要求11所述的存储阵列，其特征在于，所述第一沟道层与所述第二沟道层关于所述第一栅极呈中心对称；所述第一绝缘层与所述第二绝缘层关于所述第一栅极呈中心对称；所述第一导电层与所述第二导电层关于所述第一栅极呈中心对称；所述第一极化层与所述第二极化层关于所述第一栅极呈中心对称。
13.根据权利要求11或12所述的存储阵列，其特征在于，所述第一源线和所述第二源线关于所述第一栅极呈中心对称；
14.根据权利要求13所述的存储阵列，其特征在于，沿垂直于所述第一栅极的方向，所述第一源线的中心位于第一直线上，所述第二源线的中心位于第二直线上，所述第一直线和所述第二直线之间有间隙。
15.根据权利要求1-14任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述第一极化层的材质包括铁电材料。
16.根据权利要求1-15任一项所述的存储阵列，其特征在于，
17.根据权利要求1-16任一项所述的存储阵列，其特征在于，
18.根据权利要求1-17任一项所述的存储阵列，其特征在于，
19.一种存储器，其特征在于，包括：
20.一种电子设备，其特征在于，包括：
21.一种存储阵列的制造方法，其特征在于，包括：
22.根据权利要求21所述的存储阵列的制造方法，其特征在于，
23.根据权利要求22所述的存储阵列的制造方法，其特征在于，形成所述沟道层时，沿平行于所述衬底的方向，使得所述沟道层的宽度小于所述第一通孔的宽度，以形成第二通孔；
24.根据权利要求23所述的存储阵列的制造方法，其特征在于，所述第三通孔设置有两对，两对所述第一通孔关于所述第一通孔的径向对称。
25.根据权利要求23或24所述的存储阵列的制造方法，其特征在于，形成所述第一源线和所述第一位线之后，在所述第一沟道层上形成第一绝缘层之前，所述制造方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储阵列，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述第一沟道层、所述第一绝缘层均呈半环形结构；所述第一导电层呈柱状；所述第一极化层呈条状结构；所述第一栅极呈条状结构。
3.根据权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述第一沟道层、所述第一绝缘层均呈半圆环形结构；
4.根据权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述第一沟道层、所述第一绝缘层均呈半椭圆环形结构；
5.根据权利要求2-4任一项所述的存储阵列，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的存储阵列，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，沿平行于衬底的方向，所述第一栅极的截面为椭圆的至少部分。
9.根据权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，沿平行于衬底的方向，所述第一栅极的截面为矩形。
10.根据权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，沿平行于衬底的方向，所述第一栅极的截面为圆形的至少部分。
11.根据权利要求1-10任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述存储阵列还包括：
12.根据权利要求11所述的存储阵列，其特征在于，所述第一沟道层与所述第二沟道层关于所述第一栅极呈中心对称；所述第一绝缘层与所述第二绝缘层关于所述第一栅极呈中心对称；所述第一导电层与所述第二导电层关于所述第一栅极呈中心对称；所述第一极化层与所述第二极化层关于所述第一栅极呈中心对称。
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【专利技术属性】
技术研发人员：吕杭炳，汪超，徐彦楠，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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