【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微带天线，具体涉及一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对。
技术介绍
1、近年来，随着第五代移动通信技术(5g)的不断发展与普及应用，对移动通信设备中的天线需求越来越大，同时也对天线设计提出了更高的要求。
2、传统的移动电话通常是在边框区域布置天线，但随着天线需求数量的不断增加，边框区域愈发拥挤。如果将这些边框上的天线集成到真实设备上，天线的性能则会受到影响。边框区域的天线通常需要足够的离地间隙，以满足带宽需求。
3、现如今移动电话中天线的发展趋势是离地间隙更小、屏体比更大。于是天线设计者们便把目光转向了手机后盖区域，不占用内部空间和离地间隙。为了与移动电话的后盖集成，天线需要具有低剖面的完整接地层以避免损坏手机主板，而微带天线便是一种合适的选择。然而已知的传统微带天线由于其剖面低，品质因数高的原因，导致微带天线实际使用会受到其低增益、低效率和最重要的低带宽的固有性质的限制。因此如何在保持低剖面的情况下能够扩展带宽，保持效率，一直是天线设计的一项挑战。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，在严格限制天线剖面高度的前提下，实现了宽工作频段和高天线效率特性，同时在不引入额外去耦结构的情况下，相距极近的两个天线单元之间仍具有良好的隔离度，天线对本专利技术的双天线对，在保持低剖面特性的基础上，具有工作频带宽、总效率高、单元间隔离度高的特点，且具有工作效率高，整体结构简单，易于集
2、为实现上述技术目的，本专利技术采取的技术方案为：
3、一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，包括金属地板、第一天线单元和第二天线单元；
4、所述金属地板位于双天线对整体结构的最下方；
5、第一天线单元和第二天线单元位于金属地板的上方，且关于金属地板中心点呈中心对称分布；
6、第一天线单元和第二天线单元结构完全相同，第一天线单元包括第一辐射贴片、具有弧边的第一金属柱、第一集总电容和第一馈电端口，相应的，第二天线单元包括第二辐射贴片、具有弧边的第二金属柱、第二集总电容和第二馈电端口。
7、为优化上述技术方案，采取的具体措施还包括：
8、上述的第一辐射贴片位于第一天线单元的顶层，第一金属柱位于第一辐射贴片的下方，所述第一金属柱的下方为金属地板；
9、所述第一集总电容位于第一辐射贴片的长边一侧，连接第一辐射贴片与金属地板；
10、所述第一馈电端口位于第一辐射贴片的短边一侧；
11、所述第二辐射贴片位于第二天线单元的顶层，第二金属柱位于第二辐射贴片的下方，所述第二金属柱的下方为金属地板；
12、所述第二集总电容位于第二辐射贴片的长边一侧，连接第二辐射贴片与金属地板；
13、所述第二馈电端口位于第二辐射贴片的短边一侧。
14、上述的第一辐射贴片与第二辐射贴片均为矩形，长度l1为42mm，宽度w1为24.5mm，厚度为0.1mm。
15、上述的第一金属柱和第二金属柱关于金属地板中心点对称摆放，宽度lz为7.5mm，弧边半径为8.5mm，高度h为0.5mm。
16、上述的第一馈电端口与第一集总电容一侧的边沿距离l2为13.75mm，第二馈电端口与第二集总电容一侧的边沿距离l2为13.75mm；
17、第一集总电容与第一馈电端口一侧的边沿距离l3为20.5mm，第二集总电容与第二馈电端口一侧的边沿距离l3为20.5mm。
18、上述的第一集总电容、第二集总电容的电容值一致。
19、上述的金属地板、第一金属柱、第二金属柱、第一辐射贴片与第二辐射贴片均采用铜材料。
20、上述的第一辐射贴片、第二辐射贴片与金属地板之间为空气介质。
21、上述的金属地板为矩形，厚度为1mm，长为145mm，宽为76mm。
22、上述的双天线对总共所投影面积为1.345λ0×0.368λ0，剖面高度为0.009λ0，λ0是中心频率在自由空间中所对应的波长。
23、本专利技术具有以下有益效果：
24、1.本专利技术相比于其他传统微带天线，通过在原始微带贴片天线的基础上，加入具有弧边的金属柱元件和电容元件，产生了多模谐振，剖面高度极低，在保持极低剖面特性的基础上(剖面高度为0.5mm，即0.009λ0，其中λ0是中心频率对应的波长)，实现了宽带特性，同时对辐射贴片提供支撑，增加机械稳定性。
25、2.本专利技术相比传统微带天线，在实现低剖面高度宽频段特性的同时，天线的效率也得到了保障，最终天线的总效率在工作频段内达到43％-78％。
26、3.本专利技术相比传统微带天线对，在不引入额外去耦结构的情况下，相距较近的双天线对仍具有高隔离度特性，在工作频段内均大于15db。
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1.一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，包括金属地板、第一天线单元(1)和第二天线单元(2)；
2.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一辐射贴片(3)位于第一天线单元(1)的顶层，第一金属柱(5)位于第一辐射贴片(3)的下方，所述第一金属柱(5)的下方为金属地板(11)；
3.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一辐射贴片(3)与第二辐射贴片(4)均为矩形，长度L1为42mm，宽度W1为24.5mm，厚度为0.1mm。
4.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一金属柱(5)和第二金属柱(6)关于金属地板(11)中心点对称摆放，宽度Lz为7.5mm，弧边半径为8.5mm，高度h为0.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一馈电端口(9)与第一集总电容(7)一侧的边沿距离L2为13.75mm，第二馈电端口(10)与第二集总电容(8)一侧的边沿距离L2为
6.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一集总电容(7)、第二集总电容(8)的电容值一致。
7.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述金属地板(11)、第一金属柱(5)、第二金属柱(6)、第一辐射贴片(3)与第二辐射贴片(4)均采用铜材料。
8.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一辐射贴片(3)、第二辐射贴片(4)与金属地板(11)之间为空气介质。
9.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述金属地板(11)为矩形，厚度为1mm，长为145mm，宽为76mm。
10.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述双天线对总共所投影面积为1.345λ0×0.368λ0，剖面高度为0.009λ0，λ0是中心频率在自由空间中所对应的波长。
...【技术特征摘要】
1.一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，包括金属地板、第一天线单元(1)和第二天线单元(2)；
2.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一辐射贴片(3)位于第一天线单元(1)的顶层，第一金属柱(5)位于第一辐射贴片(3)的下方，所述第一金属柱(5)的下方为金属地板(11)；
3.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一辐射贴片(3)与第二辐射贴片(4)均为矩形，长度l1为42mm，宽度w1为24.5mm，厚度为0.1mm。
4.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一金属柱(5)和第二金属柱(6)关于金属地板(11)中心点对称摆放，宽度lz为7.5mm，弧边半径为8.5mm，高度h为0.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种低剖面多模宽带高隔离微带双天线对，其特征在于，所述第一馈电端口(9)与第一集总电容(7)一侧的边沿距离l2为13.75mm，第二馈电端口...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵兴，孙艺峰，柳清源，胡铭昊，朱欣宇，应昊明，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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