【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片制造，具体而言，涉及一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法、装置及设备。
技术介绍
1、在电路设计上，金属-氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, mosfet）简称mos器件，通常使用mos器件作为开关控制器件，但是，mos器件除了具有开关功能之外，mos器件下深阱还有隔离作用。mos隔离器件，顾名思义是指使用mos器件进行电性隔离，隔离的原因各式各样，例如：隔离噪声，隔离闩锁效应（latch-up），电性隔离或者工艺特殊需求等，不同的隔离原因对应于不同的隔离器件需求。
2、然而，在半导体工艺中针对mos器件隔离阱规则通常仅仅是依据物理几何设计规则来调配mos器件隔离阱，以满足mos隔离需求，缺少对于电性规则的考量，这造成无法根据实际设计需求去灵活调配mos隔离器件问题，同时，由于mos隔离器件调配不当和/或选择不当，也会导致半导体芯片制造成本增加，可靠性降低，及其实际产品电源转换效率降低的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法、装置及设备，以解决因mos隔离器件调配和/或选择不当，导致半导体芯片制造成本高，可靠性降低及其实际产品的电源转换效率低的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法，包括：
3、确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系
4、根据版图依赖关系，建立与隔离器件的工艺要求对应的隔离器件模型；
5、利用隔离器件模型构建待设计半导体芯片对应的仿真电路，并利用仿真电路进行集成电路仿真，以获取电路仿真结果；
6、根据电路仿真结果及版图依赖关系，对仿真电路中的隔离阱版图依赖参数进行优化，以利用优化后的仿真电路进行实际的半导体芯片制造。
7、可选地，确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系，包括：选取多个处于预设宽度范围内的耐压氧化层凹槽宽度，并确定每个耐压氧化层凹槽宽度对应的测量耐压值；对处于预设宽度范围内的耐压氧化层凹槽宽度与测量耐压值之间的关系进行拟合，以确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系。
8、可选地，工艺要求包括预估耐压值，根据电路仿真结果及版图依赖关系，对仿真电路中的隔离阱版图依赖参数进行优化，包括：获取电路仿真结果中隔离器件的仿真测试耐压值；将仿真测试耐压值与预估耐压值进行比较，以确定当前取值下的隔离阱版图依赖参数对应的仿真电路是否符合耐压要求；若不符合耐压要求，则根据版图依赖关系对仿真电路中隔离阱版图依赖参数的当前取值进行优化调整，以利用优化调整后的当前取值重新进行集成电路仿真。
9、可选地，工艺要求包括低开关电阻要求及预估耐压值，建立与隔离器件的工艺要求对应的隔离器件模型，包括：将版图依赖关系加入到初始隔离器件模型中，并基于加入版图依赖关系的初始隔离器件模型，建立与低开关电阻要求及预估耐压值对应的低压隔离器件模型。
10、可选地，通过以下方式利用优化后的仿真电路进行实际的半导体芯片制造：在实际半导体芯片制造过程中，按照目标耐压氧化层凹槽宽度在隔离器件中设置阻塞层，以利用阻塞层防止额外掺杂进入隔离器件，目标耐压氧化层凹槽宽度为优化后的隔离阱版图依赖参数对应的耐压氧化层凹槽宽度。
11、可选地，根据所述版图依赖关系，对所述仿真电路中隔离阱版图依赖参数的当前取值进行优化调整，包括：根据版图依赖关系，选取与仿真测试耐压值对应的隔离阱版图依赖参数的取值作为最新的当前取值，以利用最新的当前取值重新构建仿真电路。
12、可选地，通过以下方式确定当前取值下的隔离阱版图依赖参数对应的仿真电路是否符合耐压要求：确定仿真测试耐压值是否小于预估耐压值；若小于预估耐压值，则确定当前取值下的隔离阱版图依赖参数对应的仿真电路不符合耐压要求。
13、可选地，在确定仿真测试耐压值是否小于预估耐压值之后，还包括：若大于预估耐压值，则根据仿真测试耐压值与预估耐压值的比值，确定当前取值下的隔离阱版图依赖参数对应的仿真电路是否符合过耐压条件；若符合过耐压条件，则确定当前取值下的隔离阱版图依赖参数对应的仿真电路不符合耐压要求。
14、第二方面，本申请实施例还提供了一种半导体芯片设计中隔离器件的确定装置，所述装置包括：
15、依赖关系确定模块，用于确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系，隔离阱版图依赖参数是表征隔离器件中耐压氧化层凹槽宽度的参数；
16、器件模型建立模块，用于根据版图依赖关系，建立与隔离器件的工艺要求对应的隔离器件模型；
17、集成电路仿真模块，用于利用隔离器件模型构建待设计半导体芯片对应的仿真电路，并利用仿真电路进行集成电路仿真，以获取电路仿真结果；
18、仿真电路优化模块，用于根据电路仿真结果及版图依赖关系，对仿真电路中的隔离阱版图依赖参数进行优化，以利用优化后的仿真电路进行实际的半导体芯片制造。
19、第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如上述的半导体芯片设计中隔离器件的确定方法的步骤。
20、本申请实施例带来了以下有益效果：
21、本申请实施例提供的一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法、装置及设备，能够通过版图依赖关系反映电性规则，并通过版图依赖关系来构建及优化半导体芯片设计，以为待设计半导体芯片中的隔离器件调配合适的隔离阱版图依赖参数，避免了仅依据物理几何设计规则来调配mos隔离器件隔离阱的问题，与现有技术中的半导体芯片设计中隔离器件的确定方法相比，解决了因mos器件调配不当，导致半导体芯片制造成本高，可靠性降低及其电源转换效率降低的问题。
22、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺要求包括预估耐压值，所述根据所述电路仿真结果及所述版图依赖关系，对所述仿真电路中的隔离阱版图依赖参数进行优化，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺要求包括低开关电阻要求及预估耐压值，所述建立与所述隔离器件的工艺要求对应的隔离器件模型，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过以下方式利用优化后的仿真电路进行实际的半导体芯片制造：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述版图依赖关系，对所述仿真电路中隔离阱版图依赖参数的当前取值进行优化调整，包括：
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过以下方式确定当前取值下的隔离阱版图依赖参数对应的仿真电路是否符合耐压要求：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在确定所述仿真测试耐压值是否小于
9.一种半导体芯片设计中隔离器件的确定装置，其特征在于，包括：
10.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储介质和总线，所述存储介质存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储介质之间通过总线通信，所述处理器执行所述机器可读指令，以执行如权利要求1至8中任一项所述的半导体芯片设计中隔离器件的确定方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片设计中隔离器件的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定隔离阱版图依赖参数与耐压值之间的版图依赖关系，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺要求包括预估耐压值，所述根据所述电路仿真结果及所述版图依赖关系，对所述仿真电路中的隔离阱版图依赖参数进行优化，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺要求包括低开关电阻要求及预估耐压值，所述建立与所述隔离器件的工艺要求对应的隔离器件模型，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过以下方式利用优化后的仿真电路进行实际的半导体芯片制造：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述版图...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋德舟，赵斌，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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