半导体结构及其形成方法技术

技术编号：42803043 阅读：3 留言：0更新日期：2024-09-24 20:48

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；栅极结构，位于所述基底的顶部；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基底中；源漏互连线，位于所述源漏掺杂层的顶部，且所述源漏互连线与所述源漏掺杂层电连接；栅极互连线，位于所述栅极结构侧部的基底顶部，且所述栅极互连线包括共用部以及与共用部的一端电连接的多个分支部，所述共用部的另一端与所述栅极结构电连接。实现对半导体结构的可靠性进行更全面的监控，同时，也提高了对半导体结构面积的利用率。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着市场的发展，高压ldmos的应用越来越广泛，但是高压ldmos的热载流子效应在可靠性测试中一直是个薄弱项的存在，为了更好的改善和提高高压ldmos的热载流子效应性能，有时候需要对器件进行电性测试以便于更好的检测到器件沟道内部的电荷分布和移动状态。

2、另外，在半导体结构制造过程中，金属离子污染是比较严重的问题，为了评估产品金属离子污染后对器件的影响，也需要对器件进行电荷泵测试(charge pumping)。

3、目前，半导体结构的电性测试可靠性仍有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高半导体结构的可靠性和面积利用率。

2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底；栅极结构，位于所述基底的顶部；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基底中；源漏互连线，位于所述源漏掺杂层的顶部，且所述源漏互连线与所述源漏掺杂层电连接；栅极互连线，位于所述栅极结构侧部的基底顶部，且所述栅极互连线包括共用部以及与共用部的一端电连接的多个分支部，所述共用部的另一端与所述栅极结构电连接。

3、相应的，本专利技术实施例还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底的顶形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂层，所述源漏掺杂层的顶部形成有与其电连接的源漏互连线；在所述栅极结构侧部的基

4、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：

5、本专利技术实施例提供的半导体结构的形成方法中，在所述栅极结构侧部的基底顶部形成栅极互连线，所述栅极互连线包括共用部以及与共用部的一端电连接的多个分支部，所述共用部的另一端与所述栅极结构电连接。即本专利技术实施例形成的栅极互连线具有多个分支部，在后续对半导体结构进行电性测试的过程中，能够对源漏互连线加载电性信号、以及对不同的分支部加载电性信号，从而达到对半导体结构进行不同电性测试的需求，实现对半导体结构的可靠性进行更全面的监控，同时，也提高了对半导体结构面积的利用率。

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【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：保护二极管，位于所述基底的顶部，且所述保护二极管与多个所述分支部中的至少其中一个相电连接。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护二极管的材料包括硅、多晶硅和金属材料中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：介电层，位于所述基底的顶部，且所述介电层覆盖所述栅极结构和源漏互连线的侧壁、以及所述栅极互连线的侧壁。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括芯片区以及位于所述芯片区之间的切割道区，所述栅极结构、源漏掺杂层、以及所述源漏互连线位于所述芯片区中；

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一通孔互连结构，位于所述源漏掺杂层的顶部，所述源漏掺杂层通过所述第一通孔互连结构与所述源漏互连线电连接；

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一通孔互连结构的材料包括钨、钼和钌中的一种或多种；</p>

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏互连线的材料包括铜、铝、钛、氮化钛、铊和氮化铊中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极互连线的材料包括铜、铝、钛、氮化钛、铊和氮化铊中的一种或多种。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极互连线之后，还包括：在所述基底顶部形成保护二极管，所述保护二极管与多个所述分支部中的至少其中一个相电连接。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述基底的顶部还形成有介电层，所述介电层覆盖所述栅极结构和源漏互连线的侧壁；

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极互连槽的工艺包括干法刻蚀工艺。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除高于所述介电层顶部的导电材料层的工艺包括化学机械研磨工艺。

15.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述基底包括芯片区以及位于所述芯片区之间的切割道区，所述栅极结构和源漏掺杂层、以及所述源漏互连线位于所述芯片区中；

16.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述源漏掺杂层的顶部还形成有第一通孔互连结构，所述源漏掺杂层通过所述第一通孔结构与所述源漏互连线电连接，所述栅极结构和源漏掺杂层侧部的基底顶部还形成有第二通孔互连结构，所述第二通孔互连结构与所述基底相电连接，所述栅极结构的顶部还形成有第三通孔互连结构，所述第三通孔互连结构与所述栅极结构电连接；

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【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护二极管的材料包括硅、多晶硅和金属材料中的一种或多种。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一通孔互连结构的材料包括钨、钼和钌中的一种或多种；

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏互连线的材料包括铜、铝、钛、氮化钛、铊和氮化铊中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极互连线的材料包括铜、铝、钛、氮化钛、铊和氮化铊中的一种或多种。

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【专利技术属性】
技术研发人员：杨凤娟，刘涛，杨莉娟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人