【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及固体摄像装置和电子设备。
技术介绍
1、对于固体摄像装置，需要使像素晶体管小型化、降低固体摄像装置的噪声等。例如，考虑通过使包括在比较器或模数(ad)转换器内的差分对电路中的输入晶体管和参照晶体管的尺寸不同来降低噪声。因此，可以通过调整输入晶体管与参照晶体管之间的跨导比来降低噪声。
2、引用文献列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利申请特开第2019-140531号公报
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题
2、然而，固体摄像装置的噪声不仅受到输入晶体管和参照晶体管的跨导的影响，还受到负载晶体管的跨导的影响。因此，在上述方法中，难以充分降低噪声。此外，由于跨导通常随着像素晶体管的小型化而变化，因此难以实现像素晶体管的小型化和噪声的降低两者。
3、因此，本公开提供了一种能够以适当的方式降低噪声的固体摄像装置和电子设备。
4、技术问题的解决方案
5、本公开的第一方面的固体摄像装置包括：第一基板，其包括光电二极管和传输晶体管；和第二基板，其包括用于比较器的有源负载电路和差分对电路，其中所述有源负载电路包括第一晶体管，所述差分对电路包括第二晶体管，并且所述第一晶体管的跨导小于所述第二晶体管的跨导。结果，例如，可以以适当的方式降低固体摄像装置的噪声，使得诸如更容易实现像素晶体管的小型化和固体摄像装置的噪声降低两者。
6、此外，在第一方面中，在平面图中，所述第一晶体管的源极区
7、此外，在第一方面中，在平面图中，所述第一晶体管的源极区域和漏极区域的面积可以分别比所述第二晶体管的源极区域和漏极区域的面积更狭小。结果，例如，可以通过改变源极区域、漏极区域和ldd区域的总面积中的ldd区域的面积来调整各晶体管的跨导。
8、此外，在第一方面中，所述第一晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度可以比所述第二晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度更厚。结果，例如，可以通过使用侧壁绝缘膜作为掩模形成ldd区域来调整ldd区域的面积。
9、此外，在第一方面中，所述第一晶体管的源极区域侧和漏极区域侧的ldd区域的宽度可以等于所述第一晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度，并且所述第二晶体管的源极区域侧和漏极区域侧的ldd区域的宽度可以等于所述第二晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度。结果，例如，可以通过使用侧壁绝缘膜作为掩模形成ldd区域来调整ldd区域的面积。
10、此外，在第一方面中，所述第一晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度可以等于所述第二晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度。结果，例如，可以通过使用侧壁绝缘膜以外的膜作为掩模形成ldd区域来调整ldd区域的面积。
11、此外，在第一方面中，所述第一晶体管的源极区域侧和漏极区域侧的ldd区域的宽度可以不同于所述第一晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度，并且所述第二晶体管的源极区域侧和漏极区域侧的ldd区域的宽度可以不同于所述第二晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度。结果，例如，可以通过使用侧壁绝缘膜以外的膜作为掩模形成ldd区域来调整ldd区域的面积。
12、此外，在第一方面中，所述第一晶体管的源极区域与所述第一晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积以及所述第一晶体管的漏极区域与所述第一晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积可以分别小于所述第二晶体管的源极区域与所述第二晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积以及所述第二晶体管的漏极区域与所述第二晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积。结果，例如，可以通过与接触插塞的总接触面积来调整各晶体管的跨导。
13、此外，在第一方面中，所述第一晶体管的所述接触插塞的一部分可以布置在绝缘膜上。结果，例如，可以通过在源极区域和漏极区域与接触插塞之间插入绝缘膜来调整上述总接触面积。
14、此外，在第一方面中，所述绝缘膜可以是所述第一晶体管的侧壁绝缘膜。结果，例如，可以通过以重叠方式将接触插塞布置在侧壁绝缘膜上来调整上述总接触面积。
15、此外，在第一方面中，所述绝缘膜可以是在平面图中包围所述第一晶体管的源极区域和漏极区域的元件隔离绝缘膜。结果，例如，可以通过以重叠方式将接触插塞布置在元件隔离绝缘膜上来调整上述总接触面积。
16、此外，在第一方面中，在平面图中，所述第一晶体管的各接触插塞的面积可以小于所述第二晶体管的各接触插塞的面积。结果，例如，可以通过调整各接触插塞的面积来调整上述总接触面积。
17、此外，在第一方面中，在平面图中，所述第一晶体管的各接触插塞的形状可以与所述第二晶体管的各接触插塞的形状相似。结果，例如，可以通过增大或减小各接触插塞的平面形状来调整上述总接触面积。
18、此外，在第一方面中，在平面图中，所述第一晶体管的各接触插塞的形状可以与所述第二晶体管的各接触插塞的形状不相似。结果，例如，可以通过使各接触插塞的平面形状自由变形来调整上述总接触面积。
19、此外，在第一方面中，所述第一晶体管的所述接触插塞的数量可以少于所述第二晶体管的所述接触插塞的数量。结果，例如，可以通过调整接触插塞的数量来调整上述总接触面积。
20、此外，在第一方面中，在平面图中，所述第一晶体管的各接触插塞的面积可以等于所述第二晶体管的各接触插塞的面积。结果，例如，可以通过调整具有相同平面形状的接触插塞的数量来调整上述总接触面积。
21、此外，在第一方面中，所述第一晶体管可以是第一导电类型的晶体管，并且所述第二晶体管可以是不同于所述第一导电类型的第二导电类型的晶体管。结果，例如，可以使用p型晶体管形成有源负载电路和差分对电路中的一者，并且可以使用n型晶体管形成有源负载电路和差分对电路中的另一者。
22、此外，在第一方面中，所述第一晶体管和所述第二晶体管可以设置在同一半导体基板上。结果，例如，有源负载电路和差分对电路可以设置在同一半导体基板上。
23、此外，在第一方面中，所述第一基板可以布置在所述第二基板上，并且所述第二基板可以布置在第三基板上。结果，例如，可以以适当的方式降低具有三层结构的固体摄像装置的噪声。
24、本公开的第二方面的电子设备是一种包括摄像装置的电子设备，所述摄像装置包括：第一基板，其包括光电二极管和传输晶体管；和第二基板，其包括用于比较器的有源负载电路和差分对电路，其中所述有源负载电路包括第一晶体管，所述差分对电路包括第二晶体管，并且所述第一晶体管的跨导小于所述第二晶体管的跨导。结果，例如，结果，例如，可以以适当的方式降低摄像装置的噪声，使得诸如更容易实现像素晶体管的小型化和摄像装置的噪声降低两者。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种固体摄像装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中在平面图中，所述第一晶体管的源极区域侧和漏极区域侧的LDD区域的面积分别大于所述第二晶体管的源极区域侧和漏极区域侧的LDD区域的面积。
3.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中在平面图中，所述第一晶体管的源极区域和漏极区域的面积分别比所述第二晶体管的源极区域和漏极区域的面积更狭小。
4.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度比所述第二晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度更厚。
5.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中
6.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度等于所述第二晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度。
7.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中
8.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的源极区域与所述第一晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积以及所述第一晶体管的漏极区域与所述第一晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积分别小于所述第二晶体管的源极区
9.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的所述接触插塞的一部分布置在绝缘膜上。
10.根据权利要求9所述的固体摄像装置，其中所述绝缘膜是所述第一晶体管的侧壁绝缘膜。
11.根据权利要求9所述的固体摄像装置，其中所述绝缘膜是在平面图中包围所述第一晶体管的源极区域和漏极区域的元件隔离绝缘膜。
12.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其中在平面图中，所述第一晶体管的各接触插塞的面积小于所述第二晶体管的各接触插塞的面积。
13.根据权利要求12所述的固体摄像装置，其中在平面图中，所述第一晶体管的各接触插塞的形状与所述第二晶体管的各接触插塞的形状相似。
14.根据权利要求12所述的固体摄像装置，其中在平面图中，所述第一晶体管的各接触插塞的形状与所述第二晶体管的各接触插塞的形状不相似。
15.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的所述接触插塞的数量少于所述第二晶体管的所述接触插塞的数量。
16.根据权利要求15所述的固体摄像装置，其中在平面图中，所述第一晶体管的各接触插塞的面积等于所述第二晶体管的各接触插塞的面积。
17.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中
18.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在同一半导体基板上。
19.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中所述第一基板布置在所述第二基板上，并且所述第二基板布置在第三基板上。
20.一种电子设备，其包括摄像装置，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种固体摄像装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中在平面图中，所述第一晶体管的源极区域侧和漏极区域侧的ldd区域的面积分别大于所述第二晶体管的源极区域侧和漏极区域侧的ldd区域的面积。
3.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中在平面图中，所述第一晶体管的源极区域和漏极区域的面积分别比所述第二晶体管的源极区域和漏极区域的面积更狭小。
4.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度比所述第二晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度更厚。
5.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中
6.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度等于所述第二晶体管的侧壁绝缘膜的膜厚度。
7.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其中
8.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的源极区域与所述第一晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积以及所述第一晶体管的漏极区域与所述第一晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积分别小于所述第二晶体管的源极区域与所述第二晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积以及所述第二晶体管的漏极区域与所述第二晶体管的一个以上接触插塞之间的总接触面积。
9.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其中所述第一晶体管的所述接触插塞的一部分布置在绝缘膜上。
10.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：大内秀益，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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