【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及蚀刻方法。
技术介绍
1、在制造半导体元件时通过等离子体蚀刻在晶片(wafer)上形成布线，但布线的微细化不断进展，变得要求线宽20nm以下的布线。因此，当在等离子体蚀刻中在晶片上产生、残存直径100nm以下的微小的颗粒(particle)时，有可能发生布线短路、成为之后的蚀刻和/或沉积工序等的障碍、无法形成布线。其结果，由于在晶片内产生无法获得如设计那样的电特性的区域，因此，半导体元件的生产率会降低。由此，在等离子体蚀刻中优选不容易产生颗粒。作为不容易产生颗粒的等离子体蚀刻法，已知在常温以上的温度下进行蚀刻的高温蚀刻法。
2、另一方面，对于在制造半导体元件时所使用的等离子体蚀刻，要求侧蚀刻率低。即，在高深宽比的开口部的蚀刻中，优选掩模(mask)正下的蚀刻对象物层(例如含硅层)的横向上的蚀刻不容易发生。高温蚀刻法虽然不容易产生颗粒，但不能说侧蚀刻率足够低。作为侧蚀刻率低的等离子体蚀刻法，已知在0℃以下的温度下进行蚀刻的低温蚀刻法(例如参照专利文献1)。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本国特许公开公报2019年第153771号
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、然而，低温蚀刻法虽然侧蚀刻率低，但有时会产生蚀刻速度低、蚀刻的选择性低这一问题。以下将进行详细描述。
3、在蚀刻气体中有可能混入杂质(例如来自于蚀刻气体的制造工序的杂质)，所混入的杂质有可能在蚀刻时冷凝而使
4、例如，当在形成孔的蚀刻中在孔内发生杂质的冷凝时，蚀刻气体向孔的底部流通会受到阻碍，因此，有可能发生蚀刻停止(蚀刻不进展而停滞的现象)而蚀刻速度降低。另外，当在形成孔的蚀刻中在孔内发生杂质的冷凝时，所冷凝的杂质会成为蚀刻剂而进行不希望的化学性的蚀刻，因此，有可能产生弯曲(bowing：向相对于蚀刻方向的横向的蚀刻进展而侧壁成为凹形的现象)而蚀刻的选择性降低。特别是，高沸点的杂质在低温蚀刻中容易发生凝聚，因此，容易产生上述问题。
5、本专利技术的课题在于，提供不易发生弯曲和蚀刻停止的低温蚀刻方法。
6、用于解决课题的技术方案
7、为了解决所述课题，本专利技术的一个技术方案为如以下的[1]～[9]所述。
8、[1]一种蚀刻方法，包括：
9、蚀刻工序，使具有蚀刻对象物的被蚀刻部件的温度为0℃以下，使含有蚀刻化合物的蚀刻气体与所述被蚀刻部件接触，来对所述蚀刻对象物进行蚀刻，所述蚀刻对象物含有硅，
10、所述蚀刻气体含有或者不含有高沸点杂质，在含有所述高沸点杂质的情况下，所含有的全部种类的所述高沸点杂质的浓度的总和为500体积ppm以下，所述高沸点杂质是在分子内具有氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氢原子以及氧原子中的至少一种原子且在101kpa的压力下的沸点为20℃以上的化合物。
11、[2]根据[1]所述的蚀刻方法，所含有的全部种类的所述高沸点杂质的浓度的总和为0.01体积ppm以上且300体积ppm以下。
12、[3]根据[1]或者[2]所述的蚀刻方法，所述高沸点杂质是水、氟化氢、乙醇、异丙醇、氯仿、二氯甲烷、环己烷、苯、碘分子以及溴分子中的至少一种。
13、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的蚀刻方法，所述蚀刻化合物是在分子内具有氟原子、氯原子、溴原子、碘原子以及氢原子中的至少一种原子且在101kpa的压力下的沸点为15℃以下的化合物。
14、[5]根据[4]所述的蚀刻方法，所述蚀刻化合物是在分子内具有氟原子的化合物，是六氟化硫、三氟化氮、三氟化氯、七氟化碘、三氟化磷、四氟化硅、氟气、三氟碘甲烷、碳酰氟、三氟甲基次氟酸酯、碳原子数1以上且3以下的链状饱和全氟化碳、碳原子数1以上且3以下的链状饱和氢氟烃、碳原子数2以上且5以下的不饱和全氟化碳、碳原子数2以上且4以下的不饱和氢氟烃、碳原子数3以上且5以下的环状全氟化碳以及碳原子数3以上且5以下的环状氢氟烃中的至少一种。
15、[6]根据[4]所述的蚀刻方法，所述蚀刻化合物是在分子内具有氯原子的化合物，是三氯化硼、氯气、氯化氢、三氟化氯、碳原子数1以上且3以下的链状饱和氯化烃以及碳原子数为2或者3的不饱和氯化烃中的至少一种。
16、[7]根据[4]所述的蚀刻方法，所述蚀刻化合物是在分子内具有溴原子的化合物，是溴化氢、碳原子数1以上且3以下的链状饱和溴化烃以及碳原子数为2的不饱和溴化烃中的至少一种。
17、[8]根据[4]所述的蚀刻方法，所述蚀刻化合物是在分子内具有碘原子的化合物，是七氟化碘、碘化氢、三氟碘甲烷以及五氟碘乙烷中的至少一种。
18、[9]根据[4]所述的蚀刻方法，所述蚀刻化合物是在分子内具有氢原子的化合物，是碳原子数1以上且4以下的链状饱和烃、碳原子数2以上且4以下的不饱和烃以及碳原子数为3或者4的环状烃中的至少一种。
19、专利技术效果
20、根据本专利技术，不易发生弯曲和蚀刻停止。
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1.一种蚀刻方法，包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，
3.根据权利要求1或者2所述的蚀刻方法，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，
5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，
6.根据权利要求4所述的蚀刻方法，
7.根据权利要求4所述的蚀刻方法，
8.根据权利要求4所述的蚀刻方法，
9.根据权利要求4所述的蚀刻方法，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种蚀刻方法，包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，
3.根据权利要求1或者2所述的蚀刻方法，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，
5.根据权利要...
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