【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，具体涉及一种抗分层的qfn封装引线框架。
技术介绍
1、qfn(qualflatnonlead，四方扁平无引脚封装)凭借优良的散热性、较高的封装效率以及极低的阻抗和自感，在封装市场中占有大量比重，qfn封装具有技术成熟、成本低和热电性能好的优点。随着半导体器件正加速向功能化、缩小化迈进，qfn封装的发展需求也会随之扩大。
2、作为框架类封装的代表，qfn封装同样存在各种典型不良缺陷，如焊点脱落、线弧弯曲变形、焊线短路、芯片破裂、内部分层等等。焊点脱落、线弧弯曲变形、焊线短路可以在焊线过程中进行修补更正；芯片破裂容易在研磨或切割过程中发现，并通过调整工艺参数、功能设置进行纠正；而芯片内部分层大部分只能在塑封之后才能被抽检出，且不能立即纠正并预防，在客户端恶劣应用环境中，分层会进一步扩大，延伸至塑封体边界，最终导致产品破裂，无法使用。因此研究qfn内部分层问题、提高qfn框架的抗分层能力对于维护产品的长期质量具有重要意义。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是现有的qfn封装内部容易分层，会导致产品破裂、无法使用，目的在于提供一种抗分层的qfn封装引线框架，解决了qfn封装内部容易分层的问题。
2、本专利技术通过下述技术方案实现：
3、一种抗分层的qfn封装引线框架，包括
4、框架基体，形状为方形；
5、基岛，位于框架基体中间，四边均设置有呈锯齿形的连接线；
6、芯片装片区，位于
7、引脚，数量有多个，位于框架基体上，多个引脚围绕基岛一圈设置；
8、半蚀刻图案，数量有多个，位于基岛上，多个半蚀刻图案围绕芯片装片区一圈设置。
9、作为一种可能的设计，上述连接线围绕芯片装片区设置，连接线与芯片装片区侧边平行处包括连接部和凸起部，
10、连接部为与芯片装片区边缘平行的直线，
11、凸起部形状为梯形，凸起部数量有多个，相邻两个凸起部之间通过连接部连接。
12、作为一种可能的设计，上述引脚包括沟槽、引脚半蚀刻圆和引脚镀银区，
13、沟槽深度小于框架基体厚度，沟槽用于容纳引脚半蚀刻圆和引脚镀银区，
14、引脚半蚀刻圆的截面形状为向下凹陷的圆弧形，
15、引脚镀银区为方形，引脚半蚀刻圆与引脚镀银区相交。
16、作为一种可能的设计，上述沟槽包括容纳部和斜槽部，
17、容纳部为下凹的方形，容纳部用于容纳引脚半蚀刻圆和引脚镀银区，
18、斜槽部数量有两个，且两个斜槽部对称连接在容纳部两侧，两个斜槽部与容纳部连接一端的间距大于两个斜槽部远离容纳部一端的间距，斜槽部的截面形状为凸起的圆弧形。
19、作为一种可能的设计，上述引脚半蚀刻圆半径为0.15～0.2mm，引脚半蚀刻圆最高点距离底部容纳部的间距为0.2～0.3mm。
20、作为一种可能的设计，上述半蚀刻图案为十字形。
21、作为一种可能的设计，上述半蚀刻图案与凸起部位置相对。
22、作为一种可能的设计，上述芯片装片区外设置有一圈半蚀刻凹槽，半蚀刻凹槽内圈和外圈均为方形，半蚀刻图案位于半蚀刻凹槽外侧。
23、作为一种可能的设计，上述半蚀刻图案和半蚀刻凹槽之间设置有基岛镀银区。
24、作为一种可能的设计，上述半蚀刻凹槽外边长为2.25～2.65mm，半蚀刻凹槽宽度为0.05～0.15mm。
25、本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
26、本专利技术通过在框架基体上设置有呈锯齿形的连接线和半蚀刻图案，增加了注塑时塑封料与框架基体表面的接触面积，一方面，接触面积增大可以阻挡环境水汽进入，另一方面由于塑封料和框架基体之间的热膨胀系数不同，在增大接触面积时，能够增强不同温度下两者形变的抗拉扯能力，因此，连接线和半蚀刻图案与塑封料之间形成的互锁结构能够有效解决框架基体与塑封料因结合力不好导致的分层问题，有利于减小封装应力对引线框架基岛上芯片产生的影响，有利于提高封装的稳定性和可靠性。
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1.一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述连接线围绕所述芯片装片区设置，所述连接线与芯片装片区侧边平行处包括连接部和凸起部，
3.根据权利要求1所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述引脚包括沟槽、引脚半蚀刻圆和引脚镀银区，
4.根据权利要求3所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述沟槽包括容纳部和斜槽部，
5.根据权利要求4所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述引脚半蚀刻圆半径为0.15～0.2mm，所述引脚半蚀刻圆最高点距离底部容纳部的间距为0.2～0.3mm。
6.根据权利要求2所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述半蚀刻图案为十字形。
7.根据权利要求6所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述半蚀刻图案与凸起部位置相对。
8.根据权利要求1所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述芯片装片区外设置有一圈半蚀刻凹槽，所述半蚀
9.根据权利要求7所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述半蚀刻图案和半蚀刻凹槽之间设置有基岛镀银区。
10.根据权利要求8所述的一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，所述半蚀刻凹槽外边长为2.25～2.65mm，所述半蚀刻凹槽宽度为0.05～0.15mm。
...【技术特征摘要】
1.一种抗分层的qfn封装引线框架，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的一种抗分层的qfn封装引线框架，其特征在于，所述连接线围绕所述芯片装片区设置，所述连接线与芯片装片区侧边平行处包括连接部和凸起部，
3.根据权利要求1所述的一种抗分层的qfn封装引线框架，其特征在于，所述引脚包括沟槽、引脚半蚀刻圆和引脚镀银区，
4.根据权利要求3所述的一种抗分层的qfn封装引线框架，其特征在于，所述沟槽包括容纳部和斜槽部，
5.根据权利要求4所述的一种抗分层的qfn封装引线框架，其特征在于，所述引脚半蚀刻圆半径为0.15～0.2mm，所述引脚半蚀刻圆最高点距离底部容纳部的间距为0.2～0.3mm。
6.根据权利要求2所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘力，赵斌，陈忠志，刘学，曹开，张楚，栗伟斌，
申请(专利权)人：成都芯进电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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