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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电二极管,并且具体地涉及在紫外线范围内具有高灵敏度的光电二极管。
技术介绍
1、光电二极管广泛用于检测和测量电磁辐射。已知的是,可以通过从光电二极管的电流中减去暗参考器件(对光不敏感的类似光电二极管)的电流来改善光电二极管的输出信号的噪声水平。通过用不透明材料(例如,金属层)覆盖器件的光敏区域,可以使参考器件对入射光不敏感。然而,仍然需要改进光电二极管的灵敏度和耐用性。
技术实现思路
1、硅基光电二极管可以具有较宽的灵敏度范围,包括可见光和紫外(uv)光。通常,这些光电二极管对可见光的响应度可能高于对紫外光的响应度。当光学传感器器件采用此类光电二极管来测量低强度uv光时,这可能会导致问题——特别是当感兴趣的光的波长短于275nm时。这是因为由较长波长(例如,长于275nm的波长)的杂散光(即使少量)引起的高噪声水平可能会掩盖感兴趣的信号。
2、为了至少部分地解决这个问题,本专利技术提供了一种改进的光学传感器器件及其形成方法,诸如在所附权利要求中所阐述的。
3、下面参照附图对具体实施例进行描述。
【技术保护点】
1.一种光学传感器,包括第一光电二极管和第二光电二极管,每个光电二极管包括相应的光敏区域,所述第二光电二极管还包括波长选择吸收层,所述波长选择吸收层被布置为在入射光进入所述第二光电二极管的所述相应的光敏区域之前选择性地衰减所述入射光,所述波长选择吸收层的特征在于,在300至1100纳米nm的波长范围内具有低光学吸收,并且在200至275nm的波长范围内具有高光学吸收,
2.根据权利要求1所述的光学传感器,其中,所述波长选择吸收层是电绝缘钝化层。
3.根据权利要求2所述的光学传感器,其中,所述电绝缘钝化层包括氮化硅。
4.根据权利要求3所述的光学传感器,其中,所述电绝缘钝化层由氮化硅制成。
5.根据权利要求1所述的光学传感器,其中,所述波长选择吸收层在200nm至275nm的波长范围内的光透射率小于70%。
6.根据权利要求1所述的光学传感器,其中,所述波长选择吸收层在300nm至1100nm的波长范围内的光透射率大于70%。
7.根据权利要求1所述的光学传感器,其中,所述第一光电二极管和所述第二光电二极管使用
8.根据权利要求7所述的光学传感器,其中,所述波长选择吸收层是所述光学传感器的最外封装保护层。
9.根据权利要求1所述的光学传感器,还包括用于产生与由所述第一光电二极管生成的电流和由所述第二光电二极管生成的电流之间的所述差异相对应的差异信号的电路。
10.一种形成光学传感器的方法,所述方法包括:
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一光电二极管和所述第二光电二极管中的每个光电二极管通过以下方式形成:
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一光电二极管和第二光电二极管中的每个光电二极管通过以下方式形成:
13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述波长选择吸收层是电绝缘钝化层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述电绝缘钝化层包括氮化硅。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述电绝缘钝化层由氮化硅制成。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,所述波长选择吸收层在200nm至275nm的波长范围内的光透射率小于70%。
17.根据权利要求10所述的方法,其中,所述波长选择吸收层在300nm至1100nm的波长范围内的光透射率大于70%。
...【技术特征摘要】
1.一种光学传感器,包括第一光电二极管和第二光电二极管,每个光电二极管包括相应的光敏区域,所述第二光电二极管还包括波长选择吸收层,所述波长选择吸收层被布置为在入射光进入所述第二光电二极管的所述相应的光敏区域之前选择性地衰减所述入射光,所述波长选择吸收层的特征在于,在300至1100纳米nm的波长范围内具有低光学吸收,并且在200至275nm的波长范围内具有高光学吸收,
2.根据权利要求1所述的光学传感器,其中,所述波长选择吸收层是电绝缘钝化层。
3.根据权利要求2所述的光学传感器,其中,所述电绝缘钝化层包括氮化硅。
4.根据权利要求3所述的光学传感器,其中,所述电绝缘钝化层由氮化硅制成。
5.根据权利要求1所述的光学传感器,其中,所述波长选择吸收层在200nm至275nm的波长范围内的光透射率小于70%。
6.根据权利要求1所述的光学传感器,其中,所述波长选择吸收层在300nm至1100nm的波长范围内的光透射率大于70%。
7.根据权利要求1所述的光学传感器,其中,所述第一光电二极管和所述第二光电二极管使用互补金属氧化物半导体工艺形成在半导体晶片的相同半导体层中。
8.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:丹尼尔·盖布勒尔,巴勃罗·西莱斯,艾强,塔梅尔·阿卜杜拉赫曼,
申请(专利权)人:XFAB全球服务有限公司,
类型:发明
国别省市:
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