【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及发光器件和包括该发光器件的显示装置。
技术介绍
1、发光器件包括阳极、阴极、以及形成在阳极与阴极之间的发射层。通过在发射层中从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子的结合而生成激子，并且由从激发态跃迁到基态的激子生成光。
2、发光器件可由低电压驱动，并且可为轻且薄的，并且可具有优异的特性(诸如视角、对比度和响应速度)，并且因此应用范围正在从个人便携式装置扩展到电视。
技术实现思路
1、实施方式提供能够通过包括多层电子传输层来提高器件特性的发光器件以及包括该发光器件的显示装置。
2、然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的实施方式。通过参照下面给出的本公开的详细描述，上述和其它实施方式将对于本公开所属
的普通技术人员变得更加明显。
3、实施方式提供了发光器件，该发光器件包括作为反射电极的第一电极、设置在第一电极上的第一电子传输层、设置在第一电子传输层上的第二电子传输层、设置在第二电子传输层上的发射层、以及定位在发射层上并且作为透反射电极的第二电极，其中第一电子传输层和第二电子传输层包含不同的金属氧化物，并且第一电子传输层的厚度大于第二电子传输层的厚度。
4、第一电子传输层可包括zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种、和/或掺杂有mg、y、li、ga和al的zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种。
5、第二电子传输层可包括zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种、和/或掺杂有mg、y、li、g
6、第一电子传输层的厚度可在约85nm至约250nm的范围内。
7、第二电子传输层的厚度可在约20nm至约40nm的范围内。
8、第一电子传输层的电子迁移率可比第二电子传输层的电子迁移率快。
9、第一电子传输层的电子迁移率可为约5×10-3cm2v-1s-1至约5×10-5cm2v-1s-1。
10、第二电子传输层的电子迁移率可为约1×10-3cm2v-1s-1至约1×10-5cm2v-1s-1。
11、从发射层发射的光可在第一电极与第二电极之间经历次级谐振。
12、发射层的厚度可在约10nm至约30nm的范围内。
13、发光器件还可包括设置在发射层与第二电极之间的空穴传输层，并且空穴传输层的厚度可在约10nm至约30nm的范围内。
14、第一电子传输层可包括zno，并且第二电子传输层可包括znmgo。
15、实施方式提供了显示装置，该显示装置包括定位在衬底上的多个晶体管、以及连接到相应的晶体管的多个发光器件，其中发光器件包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，多个发光器件中的每个可包括连接到晶体管的第一电极、设置在第一电极上的第一电子传输层、设置在第一电子传输层上的第二电子传输层、设置在第二电子传输层上的发射层、设置在发射层上的空穴传输层、以及设置在空穴传输层上的第二电极，第一电子传输层和第二电子传输层包含不同的金属氧化物，并且第一电子传输层的厚度大于第二电子传输层的厚度。
16、第一电子传输层可包括zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种、和/或掺杂有mg、y、li、ga和al的zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种。
17、第一发光器件可配置为发射红色光，并且包括在第一发光器件中的第一电子传输层的厚度可在约85nm至约250nm的范围内。第二发光器件可配置为发射蓝色光，并且第一发光器件的第一电子传输层的厚度可大于第二发光器件的第一电子传输层的厚度。
18、第二电子传输层的厚度可在约20nm至约40nm的范围内。
19、第一电子传输层的电子迁移率可比第二电子传输层的电子迁移率快。
20、第一电子传输层可包括zno，并且第二电子传输层可包括znmgo。
21、第一电极可为反射电极，并且第二电极可为透反射电极。
22、根据实施方式，可提供通过包括多层电子传输层而具有提高的器件特性的发光器件以及包括该发光器件的显示装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电子传输层包括ZnO、TiO2、WO3和SnO2中的至少一种、和/或掺杂有Mg、Y、Li、Ga和Al的ZnO、TiO2、WO3和SnO2中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电子传输层包括ZnO、TiO2、WO3和SnO2中的至少一种、和/或掺杂有Mg、Y、Li、Ga和Al的ZnO、TiO2、WO3和SnO2中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电子传输层的所述厚度在85nm至250nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电子传输层的所述厚度在20nm至40nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电子传输层的电子迁移率比所述第二电子传输层的电子迁移率快。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电子传输层的电子迁移率为5×10-3cm2V-1S-1至5×10-5cm2V-1S-1。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，从所述发射层发射的光在所述第一电极与所述第二电极之间经历次级谐振。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层的厚度在10nm至30nm的范围内。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电子传输层包括zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种、和/或掺杂有mg、y、li、ga和al的zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电子传输层包括zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种、和/或掺杂有mg、y、li、ga和al的zno、tio2、wo3和sno2中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电子传输层的所述厚度在85nm至250nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电子传输层的所述厚度在20nm至4...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑然九，高崙赫，金世勋，金钟勋，鲁承旭，朴元俊，朴哲淳，辛锺雨，李秀浩，河在国，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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