【技术实现步骤摘要】
本公开一般而言涉及集成电路，并且特别地涉及用于包括用于接收光的至少一个像素的集成电路芯片的封装。本公开还涉及制造这种封装的方法。
技术介绍
1、已知包括一个或多个像素(例如，像素阵列)的集成电路芯片，这些像素布置在芯片的上表面一侧，在上表面的中心部分中。这些已知的芯片还包括布置在芯片的上表面侧、即芯片的上表面上的电连接焊盘，该焊盘布置在芯片的上表面的外围。这些已知的芯片实现例如光传感器或图像传感器。
2、这些已知芯片的已知包封封装通常包括其上安装或组装有芯片的支撑件，与芯片的上表面相对的芯片的下表面搁置在支撑件的上表面上。然后，根据称为“线接合”的技术，通过导电线将芯片的连接焊盘连接到支撑件的电连接焊盘。这些芯片的包封封装还包括对芯片的像素的操作波长透明的板。透明板布置在芯片的上表面的上方和前面。这些封装还包括在芯片与透明板之间或者在支撑件与透明板之间垂直延伸的环形壁，以限定其中布置有芯片的(一个或多个)像素的腔体。
3、但是，这些已知的封装具有各种缺点，例如，涉及将透明板保持在芯片上方的方式和/或形成其中布置有芯片的(一个或多个)像素的腔体的方式。
4、需要克服上述类型的已知封装的全部或部分缺点。
技术实现思路
1、实施例提供了一种制造用于集成电路芯片的封装的方法，该方法包括以下连续步骤：a)提供具有上表面的支撑件，芯片安装在该上表面上，该芯片包括：面向支撑件的上表面的下表面；至少一个像素，布置在芯片的上表面一侧，位于芯片的上表面的中心部分中；
2、根据实施例，在步骤b)、c)、d)和e)处，第一层覆盖芯片的外围。
3、根据实施例，在步骤a)处，电连接线将第一焊盘连接到布置在支撑件的上表面侧的支撑件的第二电连接焊盘，并且在步骤b)、c)、d)和e)处，第一层覆盖连接线。
4、根据实施例，透明板和第二开口在平行于支撑件的上表面的平面中具有基本上相等的维度。
5、根据实施例，在步骤d)处，透明板的外围搁置在第一层的顶部并与第一层接触。
6、根据实施例，在步骤c)处，第二层形成在第一抗蚀剂层的顶部并与第一抗蚀剂层接触。
7、根据实施例，在步骤e)处，第三层搁置在第三开口周围的透明板的外围部分的顶部和/或与第三开口周围的透明板的外围部分接触。
8、根据实施例，步骤b)依次包括：沉积第一层；以及通过经由第一掩模照射第一层然后通过去除第一层的已接收光的部分来形成第一开口，该第一掩模被配置为使得第一层的仅布置在第一开口的位置处的一部分接收光。
9、根据实施例，步骤c)依次包括：在第一层上沉积第二层；以及通过经由第二掩模照射第二层然后通过去除第二层的已接收光的部分来形成第二开口，该第二掩模被配置为使得第二层的仅布置在第二开口的位置处的一部分接收光。
10、根据实施例，第二层以层叠膜的形式沉积在第一层上。
11、根据实施例，步骤e)依次包括：在第二抗蚀剂层和透明板上沉积第三层；通过经由第三掩模照射第三层然后通过去除第三层的已接收光的部分来形成第三开口，第三掩模被配置为使得第三层的仅布置在第三开口的位置处的一部分接收光。
12、另一个实施例提供了一种设备，该设备包括：具有上表面的支撑件；集成电路芯片，安装在支撑件的上表面上，该芯片包括：面向支撑件的上表面的下表面、布置在芯片的上表面一侧并且位于芯片的上表面的中心部分中的至少一个像素以及布置在芯片的上表面的外围处的第一电连接焊盘；树脂，覆盖支撑件的上表面和芯片的外围，并且在芯片的中心部分的前面包括开口；以及封闭开口的透明板；其中：透明板的下表面面向芯片，并且其外围搁置在树脂的顶部并与树脂接触；树脂的一部分搁置在透明板的上表面的外围的顶部并与透明板的上表面的外围接触；并且树脂防止透明板在平行于支撑件的上表面的平面中位移。
13、根据实施例，该设备在芯片的上表面与透明板的下表面之间不包括胶合剂。
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1.一种制造用于集成电路芯片的封装的方法，包括以下连续执行的步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)、c)、d)和e)处，所述第一抗蚀剂层覆盖布置在所述集成电路芯片的外围上的所述第一电连接焊盘。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括，在步骤a)处，连接布置在所述支撑件的上表面侧的所述支撑件的第一电连接焊盘与第二电连接焊盘之间的电连接线，并且其中所述第一抗蚀剂层覆盖电连接线。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明板和所述第二开口在平行于所述支撑件的上表面的平面中具有基本上相等的维度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤d)处，透明板的外围搁置在所述第一抗蚀剂层的顶部并与所述第一抗蚀剂层接触。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤c)处，所述第二抗蚀剂层形成在所述第一抗蚀剂层的顶部并与所述第一抗蚀剂层接触。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤e)处，所述第三抗蚀剂层搁置在所述第三开口周围的透明板的外围部分的顶部并与所述第三开口周围的透明板的外围部分接触。
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9.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤c)依次包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二抗蚀剂层以层叠膜的形式沉积在所述第一抗蚀剂层的顶部并在所述第一贯穿开口之上延伸。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤e)依次包括：
12.一种设备，包括：
13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述集成电路芯片的上表面与所述透明板的下表面之间没有设置胶合剂。
14.根据权利要求12所述的设备，其中，所述树脂包括：
15.根据权利要求14所述的设备，其中，所述透明板在所述第二开口内由所述第一树脂部分的上表面的围绕所述第一开口的一部分支撑。
16.根据权利要求14所述的设备，其中，所述第二树脂部分包括在所述第一树脂部分上的层叠膜层。
17.根据权利要求14所述的设备，其中，所述透明板和所述第二开口在平行于所述支撑件的上表面的平面中具有基本上相等的维度。
18.根据权利要求14所述的设备，还包括布置在所述支撑件的上表面侧的所述支撑件的第一电连接焊盘与第二电连接焊盘之间的电连接线，并且其中所述第一树脂部分覆盖所述电连接线。
...【技术特征摘要】
1.一种制造用于集成电路芯片的封装的方法，包括以下连续执行的步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)、c)、d)和e)处，所述第一抗蚀剂层覆盖布置在所述集成电路芯片的外围上的所述第一电连接焊盘。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括，在步骤a)处，连接布置在所述支撑件的上表面侧的所述支撑件的第一电连接焊盘与第二电连接焊盘之间的电连接线，并且其中所述第一抗蚀剂层覆盖电连接线。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述透明板和所述第二开口在平行于所述支撑件的上表面的平面中具有基本上相等的维度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤d)处，透明板的外围搁置在所述第一抗蚀剂层的顶部并与所述第一抗蚀剂层接触。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤c)处，所述第二抗蚀剂层形成在所述第一抗蚀剂层的顶部并与所述第一抗蚀剂层接触。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤e)处，所述第三抗蚀剂层搁置在所述第三开口周围的透明板的外围部分的顶部并与所述第三开口周围的透明板的外围部分接触。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤b)依次包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：Y·布塔利布，J·库佐克雷亚，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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