【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、作为半导体装置之一的ppi(press pack iegt，压接封装iegt)主要用作从交流转换为直流、或者从直流转换为交流的送电用转换器。对于ppi，近年来，iegt(injectionenhanced gate transistor，电子注入增强栅晶体管)的结温tj的最大额定值要求从125℃转向150℃。
2、现有的ppi具有将钼等金属板与iegt芯片压接的构造。但是，该构造难以满足上述结温tj的要求。
3、因此，提出了通过导电片将金属板与iegt芯片粘接的构造。根据该构造，在iegt芯片产生的热量的传导性得到改善，因此能够满足上述结温tj的要求。
4、在具有上述导电片的ppi的制造工序中，有时会产生导电片的飞边。在该情况下，如果该飞边与控制iegt芯片的驱动的控制端子接触，则可能产生短路故障。因此，可靠性有可能降低。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的课题在于提供一种能够改善导热性且同时提高可靠性的半导体装置及其制造方法。
2、实施方式的半导体装置具有半导体芯片、设置在半导体芯片上的导电片、以及设置在导电片上的金属板。金属板具有设置于侧面的台阶部或设置于底面的槽部。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
11.一种半导体装置的制造方法，其中，
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
14.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
15.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
16.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求4所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：小池大辅，富田悠志，蔡誉宁，林祐太朗，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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