【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工专用胶带，尤其涉及一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带及其用途。
技术介绍
1、
2、传统的晶圆制程专用剥膜溶剂型胶带在生产、制造和使用过程中都有有机溶剂等挥发性气体释放，对操作工人和环境都会造成影响。溶剂型压敏胶带表面带有粘性，很难使用自动化设备进行完整无瑕疵贴合，必须使用人工贴合，其生产过程工艺一致性、贴合过程中施加的贴合力等都很难把控。溶剂型压敏胶带由于表面带有粘性，一旦贴合位置有问题，很难快速撕开再定位，而且在此剥离再贴合过程中会因为受人工剥离力施加不均等因素影响，导致薄晶圆内部产生裂纹甚至报废。目前行业内采用溶剂型压敏胶剥膜胶带进行的剥膜制程，良率仅有70-75%。
3、同时，目前晶圆切割保护膜的主要基材包括聚烯烃po、电子级聚氯乙烯pvc、以及pet，其中，聚烯烃和电子级聚氯乙烯材料本身表面能很低，因此剥膜胶带对其剥离强度有限，往往在生产过程中容易导致剥离制程失效，需要返工。
技术实现思路
1、本专利技术针对目前剥膜胶带使用溶剂型压敏胶制备，生产、制造、使用过程中都有有机溶剂等挥发气体释放，溶剂型压敏胶带表面带有粘性，很难使用自动化设备进行完整无瑕疵贴合，一旦贴合位置有问题，很难快速撕开再定位，剥离再贴合过程中容易导致晶圆内部产生裂纹甚至报废，以及晶圆切割保护膜的基材聚烯烃和电子级聚氯乙烯表面能低，剥膜胶带对其剥离强度有限，容易导致剥离制程失效的问题，提出一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带及其用途。>
2、为实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，从下至上依次设置有pet离型保护层、热熔胶层和pet基材层，其中，热熔胶层为共聚酯型热熔胶。
3、较佳地，共聚酯型热熔胶的组分包括对苯二甲酸、己二酸、癸二酸、乙二醇、丁二醇，各组分作为原料通过酯化/酯交换和缩聚制备得到共聚酯型热熔胶。
4、进一步地，共聚酯型热熔胶膜的制备方法如下：
5、s1.原料准备：对苯二甲酸摩尔量100份，己二酸、癸二酸中的一种或两种混合物摩尔量60-120份，乙二醇、丁二醇中的一种或两种混合物摩尔量170-200份，热稳定剂和催化剂摩尔量0.04-0.25份；
6、s2.将乙二醇、丁二醇加入反应釜开动搅拌，再加入对苯二甲酸、己二酸、癸二酸，添加热稳定剂和催化剂，搅拌1-3小时后，升温至250-275℃进行酯化反应，反应进行2-5个小时后，升温至270-290℃进行缩聚并抽真空，真空度0.5-1mbar，反应持续2-6个小时，通氮气放料。
7、再进一步地，催化剂为三氧化二锑、乙二醇锑中的一种或两种混合物，热稳定剂为磷酸三苯酯、磷酸、亚磷酸三苯酯、磷酸三甲酯中的一种或数种混合物。
8、较佳地，共聚酯型热熔胶的重均分子量为30000至70000。
9、较佳地，共聚酯型热熔胶的熔点为60-160℃。
10、较佳地，pet基材层的厚度为20-100μm。
11、较佳地，热熔胶层的厚度为20-300μm。
12、较佳地，热熔胶层的室温剥离力大于2kg/25㎜。
13、本专利技术还提供上述用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带在基材为pet、eva、pvc或聚烯烃的半导体晶圆保护膜和切割保护膜上的用途。
14、与现有技术相比，本专利技术的一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，通过设置热熔胶层代替传统的溶剂型压敏胶，避免了生产、制造和使用过程中有机溶剂等挥发气体释放，环境更友好，且能够方便机械手操作，能在晶圆表面快速撕开再定位，同时在再定位过程中不会因撕开应力导致晶圆内部产生裂纹，保证良率；对于不同的晶圆保护膜、晶圆切割保护膜基材，选用合适的热熔胶，对pet、eva、pvc、聚烯烃po等低表面能晶圆切割保护膜基材剥离强度更高，剥离力更稳定。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，从下至上依次设置有PET离型保护层、热熔胶层和PET基材层，其中，所述热熔胶层为共聚酯型热熔胶。
2.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述共聚酯型热熔胶的组分包括对苯二甲酸、己二酸、癸二酸、乙二醇、丁二醇，各组分作为原料通过酯化/酯交换和缩聚制备得到所述共聚酯型热熔胶。
3.如权利要求2所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述共聚酯型热熔胶膜的制备方法如下：
4.如权利要求3所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述催化剂为三氧化二锑、乙二醇锑中的一种或两种混合物，所述热稳定剂为磷酸三苯酯、磷酸、亚磷酸三苯酯、磷酸三甲酯中的一种或数种混合物。
5.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述共聚酯型热熔胶的重均分子量为30000至70000。
6.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述共聚酯型热熔胶的熔点为
7.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述PET基材层的厚度为20-100μm。
8.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述热熔胶层的厚度为20-300μm。
9.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述热熔胶层的室温剥离力大于2kg/25㎜。
10.权利要求1至9任一项所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带在基材为PET、EVA、PVC或聚烯烃的半导体晶圆保护膜和切割保护膜上的用途。
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，从下至上依次设置有pet离型保护层、热熔胶层和pet基材层，其中，所述热熔胶层为共聚酯型热熔胶。
2.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述共聚酯型热熔胶的组分包括对苯二甲酸、己二酸、癸二酸、乙二醇、丁二醇，各组分作为原料通过酯化/酯交换和缩聚制备得到所述共聚酯型热熔胶。
3.如权利要求2所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述共聚酯型热熔胶膜的制备方法如下：
4.如权利要求3所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带，其特征在于，所述催化剂为三氧化二锑、乙二醇锑中的一种或两种混合物，所述热稳定剂为磷酸三苯酯、磷酸、亚磷酸三苯酯、磷酸三甲酯中的一种或数种混合物。
5.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切...
【专利技术属性】
技术研发人员：李诚，叶书怀，张涛，吉和信，钟程，袁凯，史慧敏，丁震东，
申请(专利权)人：江苏和和新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。