【技术实现步骤摘要】
本技术系关于半导体结构，更具体而言，是关于具有交错排列的源极金属的半导体结构。
技术介绍
1、双金氧半场效晶体管(mosfet)结构由漏极短路的两个mosfet所组成，泛用于电池保护集成电路，可减轻瞬态电流过大的负面影响，并保护电池组免受高尖峰电压的影响。现有技术中，该结构可能因芯片尺寸、温度或导通电阻等限制，而不适用于高功率或高电压的操作场合，限制其产业的利用价值与经济效益。
技术实现思路
1、本技术所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种双mosfet，其具有低阻抗及低功耗的特性。在不增加芯片尺寸的情况下，实现更好的电气控制。进一步让半导体结构应用于高功率与高电压的操作场合。
2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种半导体结构，其包括：第一金氧半场效晶体管(mosfet)；第二mosfet；多组第一源极金属，设置于所述半导体结构的第一侧，所述多组第一源极金属耦接所述第一mosfet的源极；多组第二源极金属，设置于所述半导体结构的所述第一侧，所述多组第二源极金属耦接所述第二mosfet的源极；以及漏极金属，设置于所述半导体结构相对于所述第一侧的第二侧，同时耦接所述第一mosfet的漏极以及所述第二mosfet的漏极，使所述第一mosfet与所述第二mosfet共漏极，其中所述多组第一源极金属及所述多组第二源极金属交错地排列。
3、本技术的半导体结构的功效在于借由源极金属交错地排列，使漏极与源极间等效导通路径缩短，使漏极与源极
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中从顶视图来看，所述半导体结构呈长方形且具有长边与短边，所述多组第一源极金属的延伸方向及所述多组第二源极金属的延伸方向皆平行于所述半导体结构的所述短边的延伸方向。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属和所述多组第二源极金属皆各包含至少两条直条状源极金属。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属及所述多组第二源极金属的各组之间隔开第一距离而交错地排列。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中位于同一组所述第一源极金属中的各条源极金属彼此隔开第二距离，且所述第一距离大于所述第二距离。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属的组数及所述多组第二源极金属的组数相同。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属及所述多组第二源极金属包含L形源极金属。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属及所述多组第二源极金属包含环形源极
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属的总面积及所述多组第二源极金属的总面积相同。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一栅极金属设置在所述半导体结构的所述第一侧的第一角落，所述第二栅极金属设置在所述半导体结构的所述第一侧的第二角落，所述第二角落为所述第一角落的对角。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一栅极金属设置在所述半导体结构的所述第一侧的第一角落，所述第二栅极金属设置在所述半导体结构的所述第一侧的第二角落，所述第二角落为所述第一角落的同侧角而非对角。
13.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一栅极金属设置在所述半导体结构的所述第一侧的非角落的边缘处。
14.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括：
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其进一步包括：
16.根据权利要求15所述的半导体结构，其中所述第一金氧半场效晶体管及所述第二金氧半场效晶体管各包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中从顶视图来看，所述半导体结构呈长方形且具有长边与短边，所述多组第一源极金属的延伸方向及所述多组第二源极金属的延伸方向皆平行于所述半导体结构的所述短边的延伸方向。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属和所述多组第二源极金属皆各包含至少两条直条状源极金属。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属及所述多组第二源极金属的各组之间隔开第一距离而交错地排列。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中位于同一组所述第一源极金属中的各条源极金属彼此隔开第二距离，且所述第一距离大于所述第二距离。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属的组数及所述多组第二源极金属的组数相同。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属及所述多组第二源极金属包含l形源极金属。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多组第一源极金属及所述多组第二源极金属包含环形源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕里生，黄品豪，
申请(专利权)人：达尔科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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