【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及用于半导体装置的电子封装，且明确地说，涉及用于一个或多个氮化镓(gan)基半导体装置的电子封装。
技术介绍
1、例如计算机、服务器及电视等的电子装置通常使用一个或多个功率转换电路，其将一种形式的电能转换成另一种形式的电能。在一些应用中，用于功率转换电路中的功率半导体装置可能需要专用电子封装来适应其独特的实体配置及性能要求。举例来说，一些功率半导体装置现在能够以数十及数百兆赫兹操作，其产生对于具有低热阻以实现这些装置的高功率密度的低电感电子封装的需要。因此，需要适合于与高频率及高功率密度功率半导体装置一起使用的新型电子封装。
技术实现思路
1、为了更好地理解本公开的性质及优点，应参考以下描述及附图。然而，应理解，附图中的每一个仅出于说明的目的而提供，且并不意欲定义本公开的范围限制。而且，一般来说，除非从描述(其中不同图中的元件使用相同参考标号)显而易见为相反情况，否则元件的功能或目的通常是相同的或至少是类似的。
2、在一些实施例中，一种电子装置包括引线框架，所述引线框架包含裸片附接衬垫、漏极端子、源极端子及至少一个i/o端子。所述裸片附接衬垫、所述漏极端子、所述源极端子与所述至少一个i/o端子彼此电隔离。氮化镓(gan)基装置附接到所述裸片附接衬垫，且包含耦合到所述漏极端子的漏极、耦合到所述源极端子的源极及耦合到所述至少一个i/o端子的i/o。
3、在一些实施例中，一种电子功率转换组件包括导电封装基底，所述导电封装基底包括源极端子、漏极端子
4、在一些实施例中，一种电子装置包括导电封装基底，所述导电封装基底包含高侧裸片附接衬垫、低侧裸片附接衬垫及多个i/o端子。低侧氮化镓(gan)基裸片附接到所述低侧裸片附接衬垫，所述低侧gan基裸片包含低侧栅极、低侧漏极、低侧源极及电平移位器电路。硅基裸片包含用于接收控制信号的输入及用于发射栅极控制信号的输出。高侧gan基裸片附接到所述高侧裸片附接衬垫，所述高侧gan基裸片包含耦合到所述低侧漏极的高侧源极、耦合到所述电平移位器电路的高侧栅极及耦合到所述多个i/o端子中的一个或多个的高侧漏极。囊封物至少部分地囊封所述封装基底、所述低侧gan基裸片、所述硅基裸片及所述高侧gan基裸片。
5、在一些实施例中，一种电子功率转换组件包括导电封装基底，所述导电封装基底包括电力输入端子、接地端子、切换节点端子及至少一个i/o端子。第一gan基半导体装置附接到所述接地端子，且包含第一功率晶体管，所述第一功率晶体管具有第一源极接点、第一漏极接点、第一栅极接点及电平移位输出接点。硅基半导体装置包含用于接收控制信号的输入及用于发射栅极控制信号的输出。第二gan基半导体装置附接到所述切换节点端子，且包含第二功率晶体管，所述第二功率晶体管具有第二源极接点、第二漏极接点及耦合到所述电平移位输出接点的第二栅极，其中所述第二源极接点电耦合到所述第一漏极接点，所述第二漏极接点电耦合到所述电力输入端子，且所述第一源极接点电耦合到所述接地端子。囊封物形成于所述导电封装基底、所述第一gan基半导体装置、所述硅基半导体装置及所述第二gan基半导体装置的至少一部分上。
6、为了更佳地理解本公开的性质及优点，应参考以下描述及附图。然而，应理解，附图中的每一个仅出于说明的目的而提供，且并不意欲作为对本公开的范围的限度的界定。而且，一般来说，且除非从描述(其中不同图中的元件使用相同参考标号)显而易见为相反，否则元件通常相同或至少在功能或目的上类似。
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1.一种电子装置，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述GaN基装置包含功率场效晶体管(FET)及耦合到所述功率FET的下拉晶体管。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述GaN基装置包含用于所述GaN基装置的驱动器电路的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一个I/O端子中的一个包含耦合到驱动器电路以用于控制所述GaN基装置的操作的数字输入。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一个I/O端子中的一个包含供应电流的比率输出信号，所述电流与流过所述GaN基装置的电流成固定比率。
6.一种电子功率转换组件，包括：
7.根据权利要求6所述的组件，进一步包括附接到且耦合到所述GaN基半导体裸片的硅基装置。
8.根据权利要求6所述的组件，其中所述至少一个I/O端子中的一个包含耦合到驱动器电路以用于控制所述GaN基半导体裸片的操作的数字输入。
9.根据权利要求6所述的组件，其中所述至少一个I/O端子中的一个包含供应电流的比率输出信号，所述电流与流过
10.根据权利要求6所述的组件，进一步包括与所述GaN基半导体裸片共同封装的齐纳二极管装置。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述gan基装置包含功率场效晶体管(fet)及耦合到所述功率fet的下拉晶体管。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述gan基装置包含用于所述gan基装置的驱动器电路的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一个i/o端子中的一个包含耦合到驱动器电路以用于控制所述gan基装置的操作的数字输入。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一个i/o端子中的一个包含供应电流的比率输出信号，所述电流与流过所述gan基装置的电流成固...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·金策，J·张，T·普尔巴里奇，
申请(专利权)人：纳维达斯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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