移相掩膜板的制造方法及其结构技术

本发明专利技术提供一种移相掩膜板的制造方法及其结构，所述方法包括以下步骤：在衬底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层；在所述金属层上涂布第一光刻胶，刻蚀所述金属层；在所述刻蚀保护层上涂布第二光刻胶，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移相消光层；去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，并清洗所述移相消光层，本发明专利技术所提供的工艺能够有效的减少移相掩膜板制造方法中对移相消光层产生的损伤，提高移相掩膜板的可靠性和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造方法
，特别涉及一种移相掩膜板的制造方法及其结构。
技术介绍
光刻技术伴随集成电路制造方法的不断进步，线宽的不断縮小，半导体器件的面 积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多 功能的集成电路；由最初的IC(集成电路)随后到LSI (大规模集成电路)，VLSI (超大规模 集成电路)，直至今天的ULSI (特大规模集成电路)，器件的面积进一步縮小，功能更为全面 强大。考虑到工艺研发的复杂性，长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有技 术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，縮小芯片的面积，在同一枚硅片上尽可能多 的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者，制造商的重视。其中 光刻工艺就担负着关键的作用，对于光刻技术而言光刻设备、工艺及掩模板技术即是其中 的重中之重。 对于掩模板而言，移相掩模技术是提高光刻分辨率最实用的技术之一，这项技术 的原理是通过将相邻区域的相位进行180°反转，使干涉效应互相抵消，进而抵消由于线宽 不断縮小而导致版图上相邻特征区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大的负面 影响。这项技术的关键点在于移相层能够精确的控制掩模板图形的相位，由于在制造过程 中，移相层会经受刻蚀、清洗等多重损伤，而且随着技术的进步，线宽越小，对掩模板缺陷的 要求也不断提高，为保证掩模板清洁，需要在出厂前后以及生产过程中进行清洁处理，但是 过多的处理会降低掩模板品质，从而也降低产品质量及合格率表现。请参考图1至图4，图 1至图4是现有技术移相掩膜板制造方法的流程图，图1中，移相消光层11位于基板10上， 铬层13位于移相消光层11上；图2中，在铬层13相应位置涂布光刻胶，对铬层13进行刻 蚀；图3中，在剩余的铬层13以及移相消光层11相应的位置涂布光刻胶14 ;图4中，对移 相消光层11进行刻蚀，并去除光刻胶14，最后进行清洗，完成移相掩膜板的制造方法，其中 所涉及的刻蚀工艺均为干法刻蚀。干法刻蚀按照常规理论，会形成陡峭的壁，而从图4可以 看出，移相消光层11中所含有的侧壁并不陡峭，这是因为在干法刻蚀过程会对移相消光层 ll造成相对较大的损伤，而清洗的过程中，则会将遭受损伤的部分清洗掉，所以，造成了移 相消光层11被过度刻蚀，当线宽很小时，这种误差会降低掩膜板的品质。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的刻蚀过程中移相消光层被过度刻蚀的问题，本专利技术提 供一种保护移相消光层，避免被过度刻蚀的方法。 为了实现上述目的，本专利技术提出一种移相掩膜板的制造方法，包括以下步骤在衬 底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层；在所述金属层上涂布第一光刻胶，刻蚀所 述金属层；在所述刻蚀保护层上涂布第二光刻胶，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移相消光层；3去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶。 可选的，所述刻蚀保护层的材料为石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。 可选的，所述刻蚀保护层的厚度范围为10埃至500微米。 可选的，所述刻蚀保护层的厚度为1微米。 可选的，所述金属层中的金属为铬。 可选的，刻蚀所述金属层采用干法刻蚀。 可选的，刻蚀所述移相消光层采用干法刻蚀。 可选的，在刻蚀所述金属层后，对剩余的所述金属层进行清洗。 可选的，在刻蚀所述移相消光层后，对剩余的所述移相消光层进行清洗。为了实现上述目的，本专利技术还提出一种移相掩膜板结构，包括衬底移相消光层，位于所述衬底上；金属层，位于所述移相消光层上；在所述移相消光层和所述金属层之间，存在一刻蚀保护层。 可选的，所述刻蚀保护层的材料为石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。 可选的，所述刻蚀保护层的厚度范围为10埃至500微米。 可选的，所述刻蚀保护层的厚度为1微米。 本专利技术一种移相掩膜板的制造方法的有益技术效果为本专利技术在移相消光层上增加一层刻蚀保护层，使得移相消光层在刻蚀和清洗过程中避免损伤，从而提高掩膜板的可靠性和使用寿命。附图说明 图1至图4为现有技术移相掩膜板的制造方法示意 图5为本专利技术移相掩膜板的制造方法的流程示意 图6至图9为本专利技术移相掩膜板的制造方法示意图。具体实施例方式下面，结合附图对本专利技术做进一步的说明。 首先，请参考图5，图5为本专利技术移相掩膜板的制造方法的流程示意图，从图上可以看出，本专利技术一种移相掩膜板的制造方法包括以下步骤 步骤31 :在衬底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层，其中刻蚀保护层材料可以为石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃，本实施例中采用的为石英，刻蚀保护层的厚度范围为10埃至500微米，本实施例中的刻蚀保护层厚度为1微米，本实施例中的金属层中的金属为铬，在移相消光层上生长一层刻蚀保护层的目的保护移相消光层，避免在后续工艺刻蚀和清洗过程中造成损伤； 步骤32 :在所述金属层上涂布第一光刻胶，刻蚀所述金属层，这一步骤比较关键，第一光刻胶可以为负胶和正胶，本实施例中选择正胶，涂布第一光刻胶后进行曝光，曝光的光刻胶被显影液溶解掉，而未曝光的光刻胶没有被溶解掉也没有吸收任何显影液，作为刻蚀工序中的掩体，刻蚀所述金属层采用干法刻蚀，干法刻蚀的主要优点为刻蚀方向为各向异性，方向上可以有选择地进行刻蚀，即可以刻蚀出陡峭的侧壁，主要缺点是容易产生较大的损伤，在刻蚀工艺结束后，要对刻蚀后的 属层进行清洗； 步骤33 :在所述刻蚀保护层上涂布第二光刻胶，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移相消光层，涂布第二光刻胶后进行曝光，曝光的光刻胶被显影液溶解掉，而未曝光的光刻胶没有被溶解掉也没有吸收任何显影液，作为刻蚀工序中的掩体，存在于剩余金属层上的第一光刻胶也同样作为掩体，保护金属层在此步骤的刻蚀中免受损伤，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移相消光层也采用干法刻蚀，刻蚀完成后进行清洗，上节提到，干法刻蚀的缺点是容易产生较大的损伤，产生的损伤会在清洗过程中被清洗掉，在移相消光层上生长一层刻蚀保护层，保护了移相消光层，从而提高掩膜板的可靠性和使用寿命； 步骤34 :去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶。 本专利技术还提出一种移相掩膜板结构，包括衬底；移相消光层，位于所述衬底上； 金属层，位于所述移相消光层上；在所述移相消光层和所述金属层之间，存在一刻蚀保护 层，所述刻蚀保护层的材料为石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。所述刻蚀保护层的厚度范围为10 埃至500微米。所述刻蚀保护层的厚度为1微米。 接着，请参考图6至图9，图6至图9为本专利技术移相掩膜板的制造方法示意图，图6 中，在衬底IO上依次生长移相消光层11、刻蚀保护层12和金属层13，金属层13中的金属 为铬；图7中，金属层13被刻蚀完成，金属层13上的是第一光刻胶21 ;图8中，刻蚀保护层 上的是第二光刻胶14 ;图9中，刻蚀保护层12和移相消光层11被刻蚀完成，同时第一光刻 胶21和第二光刻胶14被去除，整个制作工艺完成。 虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术。本专利技术所述技 术领域中具有通常知识者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因 此，本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移相掩膜板的制造方法，其特征在于包括以下步骤：在衬底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层；在所述金属层上涂布第一光刻胶，刻蚀所述金属层；在所述刻蚀保护层上涂布第二光刻胶，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移相消光层；去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶。

【技术特征摘要】
一种移相掩膜板的制造方法，其特征在于包括以下步骤在衬底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层；在所述金属层上涂布第一光刻胶，刻蚀所述金属层；在所述刻蚀保护层上涂布第二光刻胶，刻蚀所述刻蚀保护层和所述移相消光层；去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶。2. 根据权利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于所述刻蚀保护层的材料 为石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。3. 根据权利要求1或2所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于所述刻蚀保护层的 厚度范围为10埃至500微米。4. 根据权利要求3所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于所述刻蚀保护层的厚度 为1微米。5. 根据权利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于所述金属层中的金属为铬。6. 根据权利要求1所述的移相掩膜板的制造方法，其特征在于刻蚀所述金属层采用干 法刻蚀。7. 根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱骏，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]