【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件制造领域，特别是涉及一种晶圆湿式处理方法及装置。
技术介绍
1、在半导体生产制造过程中，湿法处理是一种常用的工艺步骤。在晶圆进行湿法处理前，晶圆会经过干法刻蚀或沉积后，晶圆表面会附着一些刻蚀气体副产物或沉积气体副产物。现有技术中，在对晶圆进行湿法处理的过程中，通常会使用处理液对晶圆表面进行湿式处理、清洗以及干燥。然而，在湿式处理的过程中，这些副产物容易在处理腔室内形成难以去除的物质，回粘在晶圆表面，并不利于晶圆后续的制备。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的冲洗过程产生氧化物的问题提供一种晶圆湿式处理方法及装置。
2、为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种晶圆湿式处理方法，包括：
3、提供晶圆；
4、将所述晶圆载入处理腔室内；
5、加热所述晶圆使附着在所述晶圆表面的挥发性副产物逸出；
6、对所述处理腔室进行第一气体置换；
7、向所述晶圆表面喷洒处理液；
8、冲洗残留在所述晶圆表面的所述处理液；
9、对所述处理腔室进行第二气体置换；
10、干燥所述晶圆。
11、在其中一个实施例中，将所述晶圆载入所述处理腔室内，包括：
12、将所述晶圆放置于所述处理腔室的载台上，所述晶圆的待处理表面朝上；
13、加热所述晶圆使附着在所述晶圆表面的挥发性副产物逸出，包括：
14、通过所述载台内置的加热装置将所
15、在其中一个实施例中，所述预设温度为35℃～50℃。
16、在其中一个实施例中，对所述处理腔室进行第一气体置换包括：
17、将所述处理腔室内的氧气以及逸出的所述挥发性副产物抽出；
18、将所述处理腔室内的压强控制在预设压强，并向所述处理腔室内通入氮气或惰性气体。
19、在其中一个实施例中，所述预设压强为0.1mtorr-100mtorr。
20、在其中一个实施例中，将所述处理腔室内的压强控制在预设压强，并向所述处理腔室内通入氮气或惰性气体包括：
21、通过喷嘴向所述晶圆的待处理表面吹扫氮气或惰性气体，并通过所述载台带动旋转所述晶圆。
22、在其中一个实施例中，向所述晶圆的表面喷洒处理液，包括：
23、通过喷嘴向所述晶圆的待处理表面喷洒所述处理液，并通过所述载台带动旋转所述晶圆。
24、在其中一个实施例中，冲洗残留在所述晶圆表面的所述处理液，包括：
25、向所述晶圆的待处理表面喷洒去离子水进行冲洗，并通过所述载台带动旋转所述晶圆。
26、在其中一个实施例中，向所述晶圆的待处理表面喷洒去离子水进行冲洗时包括：采用第一速度与第二速度切换的方式旋转所述晶圆，其中，所述第一速度大于所述第二速度。
27、在其中一个实施例中，所述第一速度为500rpm～1200rpm，所述第二速度为10rpm～50rpm。
28、在其中一个实施例中，对所述处理腔室进行第二气体置换，包括：
29、再次通过喷嘴向所述晶圆的待处理表面的吹扫氮气或惰性气体，并同时抽出所述处理腔室内的副产物气体，所述副产物气体包括所述向所述晶圆表面喷洒处理液中产生的气体。
30、在其中一个实施例中，干燥所述晶圆包括：
31、通过所述载台带动旋转所述晶圆，并持续通过喷嘴对所述晶圆的待处理表面进行吹扫。
32、在其中一个实施例中，通过所述载台带动旋转所述晶圆，并持续通过喷嘴对所述晶圆的待处理表面进行吹扫时，包括：
33、所述喷嘴由正对所述晶圆的待处理表面的中心向边缘移动吹扫。
34、本专利技术还提供了一种晶圆湿式处理装置，用于实现前述方法，包括：
35、处理腔室，用于放置晶圆；
36、气体置换装置，用于置换所述处理腔室内的气体；
37、化学液供给装置，用于向所述晶圆供给化学液以进行湿式处理。
38、在其中一个实施例中，所述处理腔室装置还包括：
39、载台，位于所述处理腔室内，用于承载所述晶圆；
40、旋转卡盘，位于所述载台上，用于夹持所述晶圆并带动所述晶圆旋转；
41、加热装置，位于所述载台内，用于对所述晶圆进行加热。
42、在其中一个实施例中，所述气体置换装置还包括：
43、吹扫装置，包括朝向所述晶圆的喷嘴，用于对所述晶圆进行吹扫；
44、抽气装置，用于抽出所述处理腔室内的气体。
45、本专利技术的晶圆湿式处理方法及装置具有如下有益效果：通过加热晶圆使附着在晶圆表面的挥发性副产物逸出，对处理腔室进行第一气体置换，以及对处理腔室进行第二气体置换，降低了晶圆可能出现氧化物的可能性，进而便于后续工艺制备。
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1.一种晶圆湿式处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，将所述晶圆载入所述处理腔室内，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，所述预设温度为35℃～50℃。
4.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，对所述处理腔室进行第一气体置换包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，所述预设压强为0.1mtorr-100mtorr。
6.根据权利要求4所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，将所述处理腔室内的压强控制在预设压强，并向所述处理腔室内通入氮气或惰性气体包括：
7.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，向所述晶圆的表面喷洒处理液，包括：
8.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，冲洗残留在所述晶圆表面的所述处理液，包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，向所述晶圆的待处理表面喷洒去离子水进行冲洗，包括：
10.根据权利要求9所述的晶圆湿式
11.根据权利要求7所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，对所述处理腔室进行第二气体置换，包括：
12.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，干燥所述晶圆包括：
13.根据权利要求12所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，通过所述载台带动旋转所述晶圆，并持续通过喷嘴对所述晶圆的待处理表面进行吹扫时，包括：
14.一种晶圆湿式处理装置，用于实现权利要求1-13任一项所述的方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的晶圆湿式处理装置，其特征在于，所述处理腔室还包括：
16.根据权利要求14所述的晶圆湿式处理装置，其特征在于，所述气体置换装置还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆湿式处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，将所述晶圆载入所述处理腔室内，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，所述预设温度为35℃～50℃。
4.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，对所述处理腔室进行第一气体置换包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，所述预设压强为0.1mtorr-100mtorr。
6.根据权利要求4所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，将所述处理腔室内的压强控制在预设压强，并向所述处理腔室内通入氮气或惰性气体包括：
7.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，向所述晶圆的表面喷洒处理液，包括：
8.根据权利要求2所述的晶圆湿式处理方法，其特征在于，冲洗残留在所述晶圆表面的所述处理液，包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔振东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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