【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种切割晶粒接合膜及使用该切割晶粒接合膜制造半导体装置的方法。
技术介绍
1、在通过切割半导体晶圆来进行分割的工序中用于固定半导体晶圆而利用的切割膜和将芯片与芯片之间或芯片与基板之间进行粘合的晶粒接合膜被一体化的切割晶粒接合膜(半导体加工用胶带)有时用于制造半导体装置(例如，专利文献1、2)。构成切割晶粒接合膜的晶粒接合膜多数情况下一般具有数十μm左右的厚度。
2、以往技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利第6535117号公报
5、专利文献2：日本专利第6928852号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、随着半导体封装件中的芯片的层叠数的增加及芯片的薄化，期望适用具有10μm以下的厚度的极薄的晶粒接合膜。但是，发现当晶粒接合膜减薄至10μm以下的厚度时，在通过包括使切割晶粒接合膜伸展的方法而分割半导体晶圆的工序中，有时晶粒接合膜难以分断。当晶粒接合膜不容易分断时，拾取附着有被单片化的晶粒接合膜的芯片变得困难，可能导致半导体制造的成品率降低。
3、本专利技术的一方面有关针对具备具有10μm以下的厚度的晶粒接合膜的切割晶粒接合膜，通过包括使切割晶粒接合膜伸展的方法而改善分割半导体晶圆的工序中的晶粒接合膜的分断性。
4、用于解决技术课题的手段
5、本专利技术的一方面有关一种切割晶粒接合膜，其具备：晶粒接合膜；及切割膜，具有贴合于晶粒接合膜的压敏胶黏剂
6、本专利技术的另一方面有关一种制造半导体装置的方法，其包括如下步骤：将所述切割晶粒接合膜的所述晶粒接合膜贴附于半导体晶圆；及通过包括使所述切割晶粒接合膜伸展的方法而分割所述半导体晶圆及所述晶粒接合膜，由此，在所述压敏胶黏剂层上形成具有芯片及被单片化的所述晶粒接合膜的附有晶粒接合膜的芯片。
7、本专利技术包含以下。
8、[1]一种切割晶粒接合膜，其具备：
9、晶粒接合膜；及
10、切割膜，具有贴合于所述晶粒接合膜的压敏胶黏剂层，
11、所述晶粒接合膜的厚度为10μm以下，
12、所述压敏胶黏剂层的厚度小于10μm。
13、[2]根据[1]所述的切割晶粒接合膜，其中，
14、所述压敏胶黏剂层相对于所述晶粒接合膜的30°剥离强度为6.0n/25mm以上。
15、[3]根据[1]或[2]所述的切割晶粒接合膜，其中，
16、所述切割膜进一步具有基材膜，在所述基材膜上设置有所述压敏胶黏剂层。
17、[4]一种制造半导体装置的方法，其包括如下步骤：
18、将权利要求1或3所述的切割晶粒接合膜的所述晶粒接合膜贴附于半导体晶圆；及
19、通过包括使所述切割晶粒接合膜伸展的方法而分割所述半导体晶圆及所述晶粒接合膜，由此，在所述压敏胶黏剂层上形成具有芯片及被单片化的所述晶粒接合膜的附有晶粒接合膜的芯片。
20、[5]根据[4]所述的方法，其中，
21、分割所述半导体晶圆及所述晶粒接合膜的方法为隐形切割法。
22、专利技术效果
23、针对具备具有10μm以下的厚度的晶粒接合膜的切割晶粒接合膜，通过包括使切割晶粒接合膜伸展的方法，能够改善在分割半导体晶圆的工序中的晶粒接合膜的分断性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种切割晶粒接合膜，其具备：
2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的切割晶粒接合膜，其中，
4.一种制造半导体装置的方法，其包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种切割晶粒接合膜，其具备：
2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：田泽强，木村尚弘，山本和弘，岩永有辉启，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。