【技术实现步骤摘要】
本专利技术适用于半导体封装验证测试领域，尤其涉及一种框架类半导体验证的方法、系统及相关设备。
技术介绍
1、qfn（quad flat no-leads package，方形扁平无引脚封装）是一种表面贴装型封装工艺，qfn的产品具有体积小、重量轻、散热性好、电性能好、可靠性好、性价比高等优势，因此在半导体芯片市场中保有大量份额。
2、半导体封装过程中，芯片与芯片之间用铜线连接功能点，连接后打线的高度会影响性能指标，因而在连接过程中，会通过对不同打线的高度进行调试来优化性能指标。一般的，调试时需要把该产品切成单颗，然后焊接到功能测试板上，通过不断调整线弧高度来测试功能指标，直到功能指标达到需求，继而使用此时的线弧高度则为最优线弧。
3、基于qfn工艺实现的框架类半导体芯片无法通过打线后调试，这是因为框架类半导体在打线后，产品无法切成单颗（切割后产品的边缘引脚会断开），并且最终塑封后，整个产品的线弧已经被塑封料所包裹，因此无法进行线弧调整。现有工艺中，框架类半导体产品的验证周期较久，是因为验证只能在产品的一轮封装完成后，再通过下一轮产品的线弧调整来进行，这样的过程使得qfn工艺类的框架类半导体产品验证周期为其他类型（如lga，land grid array，栅格阵列封装）产品的2倍以上。
4、因此，有必要针对框架类半导体的验证提出一种新的方法来解决其验证周期较长的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种框架类半导体验证的方法、系统及相关设备，旨在
2、为解决上述技术问题，第一方面，本专利技术提供一种框架类半导体验证的方法，包括以下步骤：
3、s101、对框架类半导体的框架的正面使用保护膜进行保护，并对所述框架的背面进行塑封；
4、s102、对所述框架的背面进行研磨，以露出所述框架的触点；
5、s103、对所述框架的背面进行锡电镀；
6、s104、移去所述框架的正面的所述保护膜，并在所述框架的正面进行芯片的贴片；
7、s105、对完成贴片的一部分所述芯片，在对应的所述框架的背面位置的锡上进行线弧打线，并切割成单芯片验证产品；
8、s106、基于所述单芯片验证产品，对所述线弧进行性能调试验证，得到最优线弧高度；
9、s107、对完成贴片、且未进行线弧打线的所述芯片，在对应的所述框架的背面位置的锡上按照所述最优线弧高度进行线弧打线，并切割得到正常芯片产品。
10、更进一步地，所述保护膜为高温胶带。
11、更进一步地，步骤s101中，对所述框架的背面进行塑封时，塑封的厚度大于所述框架的厚度。
12、更进一步地，所述框架的触点为铜触点。
13、更进一步地，步骤s102中，对所述框架的背面进行研磨时，所述框架的正面至研磨面的厚度比所述框架的厚度小0.01mm。
14、第二方面，本专利技术还提供一种框架类半导体验证的系统，包括：
15、塑封模块，用于对框架类半导体的框架的正面使用保护膜进行保护，并对所述框架的背面进行塑封；
16、研磨模块，用于对所述框架的背面进行研磨，以露出所述框架的触点；
17、电镀模块，用于对所述框架的背面进行锡电镀；
18、贴片模块，用于移去所述框架的正面的所述保护膜，并在所述框架的正面进行芯片的贴片；
19、打线模块，用于对完成贴片的一部分所述芯片，在对应的所述框架的背面位置的锡上进行线弧打线，并切割成单芯片验证产品；
20、验证模块，用于基于所述单芯片验证产品，对所述线弧进行性能调试验证，得到最优线弧高度；
21、优化模块，用于对完成贴片、且未进行线弧打线的所述芯片，在对应的所述框架的背面位置的锡上按照所述最优线弧高度进行线弧打线，并切割得到正常芯片产品。
22、第三方面，本专利技术还提供一种计算机设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的框架类半导体验证的程序，所述处理器执行所述框架类半导体验证的程序时实现如上述实施例中任意一项所述的框架类半导体验证的方法中的步骤。
23、第四方面，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有框架类半导体验证的程序，所述框架类半导体验证的程序被处理器执行时实现如上述实施例中任意一项所述的框架类半导体验证的方法中的步骤。
24、本专利技术所达到的有益效果，在于提出了一种框架类半导体验证的方法，该方法通过对框架类半导体的框架打线前进塑封研磨的方式，对部分芯片先一步进行打线、切割及回货验证测试，从而快速地调试出最优的线弧高度，再根据最优线弧高度，对同批次的其余芯片进行打线处理，通过该流程，本专利技术能够将一轮框架类半导体产品的研发调试性能周期压缩到原本的二分之一，能够极大加快产品性能的调试研发进度，可以更快地实现产品量产，以满足市场需求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种框架类半导体验证的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的框架类半导体验证的方法，其特征在于，所述保护膜为高温胶带。
3.如权利要求1所述的框架类半导体验证的方法，其特征在于，步骤S101中，对所述框架的背面进行塑封时，塑封的厚度大于所述框架的厚度。
4.如权利要求1所述的框架类半导体验证的方法，其特征在于，所述框架的触点为铜触点。
5.如权利要求1所述的框架类半导体验证的方法，其特征在于，步骤S102中，对所述框架的背面进行研磨时，所述框架的正面至研磨面的厚度比所述框架的厚度小0.01mm。
6.一种框架类半导体验证的系统，其特征在于，包括：
7.一种计算机设备，其特征在于，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的框架类半导体验证的程序，所述处理器执行所述框架类半导体验证的程序时实现如权利要求1-5中任意一项所述的框架类半导体验证的方法中的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有框架类半导体验证的程序，所述框架
...【技术特征摘要】
1.一种框架类半导体验证的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的框架类半导体验证的方法，其特征在于，所述保护膜为高温胶带。
3.如权利要求1所述的框架类半导体验证的方法，其特征在于，步骤s101中，对所述框架的背面进行塑封时，塑封的厚度大于所述框架的厚度。
4.如权利要求1所述的框架类半导体验证的方法，其特征在于，所述框架的触点为铜触点。
5.如权利要求1所述的框架类半导体验证的方法，其特征在于，步骤s102中，对所述框架的背面进行研磨时，所述框架的正面至研磨面的厚度比所述框架...
【专利技术属性】
技术研发人员：任江涛，罗奎，丁辉，马会阳，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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