【技术实现步骤摘要】
本技术属于逆变器，具体涉及一种逆变器前级全桥升压电路和一种逆变器。
技术介绍
1、现有的逆变器前级电路，一般采用推挽结构。推挽结构通常具有对称性，脉冲变压器的原边是两个对称线圈，需要两个coms管接成对称关系，轮流通断。
2、尽管以上逆变器前级电路存在高频变压器磁芯利用率高、电源电压利用率高、输出功率大、两管基极均为低电平等特点，但明显存在以下缺点：变压器绕组利用率低，对开关管的耐压要求比较高(至少是电源电压的两倍)。考虑到耐压高电流coms管的成本较高，在输入电压较高的情况下(作为举例，dc48v输入)，所需匝数比全桥设计多一倍，导致变压器绕不下，需要予以进一步改进。
技术实现思路
1、本技术针对现有技术的状况，克服以上缺陷，提供一种逆变器前级全桥升压电路和一种逆变器。
2、本技术采用以下技术方案，所述逆变器前级全桥升压电路包括：
3、脉冲变压器st1；
4、mos管q1和mos管q15，mos管q1的集电极接入电源输入端(bat+)，mos管q1的栅极经电阻r27接入vo1端，mos管q1的发射极接入脉冲变压器st1的原边绕组，mos管q15的栅极经电阻r61接入vo4端，mos管q15的集电极接入脉冲变压器st1的原边绕组，mos管q15的发射极接地，使得mos管q1和mos管q15构成接入脉冲变压器st1的原边绕组的第一回路；
5、mos管q16和mos管q6，mos管q16的集电极接入电源输入端(bat+)，mo
6、由第一回路和第二回路分别驱动脉冲变压器st1。
7、作为以上技术方案的进一步优选技术方案，mos管q1的集电极和mos管q1的发射极之间并联有电容c95；mos管q15的集电极和mos管q15的发射极之间并联有电容c109；mos管q6的集电极和mos管q6的发射极之间并联有电容c100；mos管q16的集电极和mos管q16的发射极之间并联有电容c110。
8、本申请还公开了一种逆变器，包括以上任意一种技术方案的逆变器前级全桥升压电路，逆变器还包括隔离驱动模块，隔离驱动模块包括：
9、第一隔离驱动光耦u32，第一隔离驱动光耦u32的7号端和6号端同时接入mos管q1的栅极；
10、第二隔离驱动光耦u30，第二隔离驱动光耦u32的7号端和6号端同时接入mos管q15的栅极；
11、第三隔离驱动光耦u29，第三隔离驱动光耦u29的7号端和6号端同时接入mos管q16的栅极；
12、第四隔离驱动光耦u31，第四隔离驱动光耦u31的7号端和6号端同时接入mos管q6的栅极。
13、作为以上技术方案的进一步优选技术方案，逆变器还包括升压模块，升压模块包括升压芯片u23，其中：
14、升压芯片u23的14号端和13号端同时接入第三隔离驱动光耦u29的1号端、2号端、3号端和4号端，升压芯片u23的14号端和13号端同时接入第四隔离驱动光耦u31的1号端、2号端、3号端和4号端；
15、升压芯片u23的11号端和10号端同时接入第一隔离驱动光耦u32的1号端、2号端、3号端和4号端，升压芯片u23的11号端和10号端同时接入第二隔离驱动光耦u30的1号端、2号端、3号端和4号端。
16、作为以上技术方案的进一步优选技术方案，逆变器还包括降压模块，降压模块包括降压芯片u11和电源隔离芯片u4，降压芯片u11的5号端经由电感l5、二极管d20接入电源隔离芯片u4的2号端。
17、作为以上技术方案的进一步优选技术方案，逆变器还包括igbt驱动模块，igbt驱动模块包括igbt驱动芯片u10，igbt驱动芯片u10的2号端经由电阻r161接入pb9端。
18、作为以上技术方案的进一步优选技术方案，逆变器还包括互感器模块，互感器模块包括互感器t6，互感器t6的原边绕组接入市电的火线和零线。
19、本技术公开的逆变器前级全桥升压电路和包含该电路的逆变器，其有益效果在于：
20、其一，mos管q1和mos管q15构成第一回路，由同一组信号驱动，同时导通/关端；mos管q16和mos管q6构成第一回路，由另一组信号驱动，同时导通/关端。第一回路和第二回路流通/断，使得脉冲变压器st1的原边绕组形成正/负交变的脉冲电流。
21、其二，原边绕组减少了一半，mos管耐压要求降低一半，同时全桥电流可以实现更高的效率要求，以便应用于3kw以上的超大功率逆变器电路中。
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1.一种逆变器前级全桥升压电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的逆变器前级全桥升压电路，其特征在于，MOS管Q1的集电极和MOS管Q1的发射极之间并联有电容C95；MOS管Q15的集电极和MOS管Q15的发射极之间并联有电容C109；MOS管Q6的集电极和MOS管Q6的发射极之间并联有电容C100；MOS管Q16的集电极和MOS管Q16的发射极之间并联有电容C110。
3.一种逆变器，其特征在于，包括如权利要求1-2中任意一项权利要求的逆变器前级全桥升压电路，逆变器还包括隔离驱动模块，隔离驱动模块包括：
4.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，逆变器还包括升压模块，升压模块包括升压芯片U23，其中：
5.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，逆变器还包括降压模块，降压模块包括降压芯片U11和电源隔离芯片U4，降压芯片U11的5号端经由电感L5、二极管D20接入电源隔离芯片U4的2号端。
6.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，逆变器还包括IGBT驱动模块，IGBT驱动模块包括IGBT驱动芯片U10，
7.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，逆变器还包括互感器模块，互感器模块包括互感器T6，互感器T6的原边绕组接入市电的火线和零线。
...【技术特征摘要】
1.一种逆变器前级全桥升压电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的逆变器前级全桥升压电路，其特征在于，mos管q1的集电极和mos管q1的发射极之间并联有电容c95；mos管q15的集电极和mos管q15的发射极之间并联有电容c109；mos管q6的集电极和mos管q6的发射极之间并联有电容c100；mos管q16的集电极和mos管q16的发射极之间并联有电容c110。
3.一种逆变器，其特征在于，包括如权利要求1-2中任意一项权利要求的逆变器前级全桥升压电路，逆变器还包括隔离驱动模块，隔离驱动模块包括：
4.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘智君，刘妲妲，陈献晓，
申请(专利权)人：浙江索罗威科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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