【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及偏置电路领域，具体涉及一种基于电容耦合的快速动态偏置电路。
技术介绍
1、在一些由两相时钟控制的电路中，如开关电容电路，电路通常在其中一个时钟相位内保持，另一个时钟相位内工作。典型的开关电容电路包括流水线模数转换器中的级电路。模数转换器中的级电路包括比较器，放大器等模块，其中比较器和放大器都是周期工作的，其中一个相位为保持相位，另一个相位对信号进行处理，即放大相位。在保持相位，电路不工作，为了实现低功耗，可以考虑使用动态偏置的技术将电路周期性的开启和关闭，在工作的时候开启，在保持相位的时候关闭以节省功耗。动态偏置技术通常需要考虑电路从关闭到开启的恢复速度以及对电路进行动态偏置本身需要付出的代价。
2、现有动态偏置电路，如cn106249794a公开的一种动态偏置ldo电路，采用电容耦合采样输出电压瞬态变化，通过与固定偏置电压进行比较，产生两个动态偏置信号，动态偏置信号根据输出电压的变化情况来打开或关闭对功率管栅端寄生电容的充放电环路，进而调节功率管栅端电压，稳定输出电压。
3、该方案产生固定偏置电压vb1和vb2的电路包括参考电压vref，放大器op1，晶体管m1～m4，电阻rs，动态偏置电路包括：电阻r1、r2，电容c1、c2，放大器op2、op3，用于产生动态偏置和固定偏置的叠加信号vb3和vb4；vb3控制晶体管m6、m7的栅压，vb4控制晶体管m5和m8的栅压。但其结构复杂，动态偏置调整时，分别需要控制晶体管m6、m7的导电能力或控制晶体管m5和m8的导电能力。晶体管导通时会有导通电
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种基于电容耦合的快速动态偏置电路，本专利技术结构简单，无需在偏置管下方串联开关mos管，消除了开关管导通所带来的电压损失，扩大了运放的动态范围。
2、本专利技术采取如下技术方案实现上述目的，本专利技术提供一种基于电容耦合的快速动态偏置电路，包括第一mos管m1、第二mos管m2、第三mos管m3、第四mos管m4、第五mos管msw、解耦电容cd以及耦合电容cc，第一mos管m1的漏极与栅极连接，外加偏置电流ib加载到第一mos管m1的漏极上，第一mos管m1的源极接地vss，第一mos管m1的栅极与第五mos管msw的源极连接，第一mos管m1的栅极还通过解耦电容cd接地vss，第五mos管msw的栅极通过耦合电容cc与第二mos管m2的栅极连接，第五mos管msw的漏极与第二mos管m2的栅极连接，外部时钟ck加载到第五mos管msw的栅极以及耦合电容cc，控制第五mos管msw的开关，第二mos管m2的源极接地vss，第二mos管m2的漏极与第三mos管m3及第四mos管m4构成的放大器的差分输入对管连接；解耦电容cd抑制偏置电压的抖动。
3、当外部时钟ck为高电平，第五mos管msw导通，第二mos管m2的栅极电压vg等于偏置电压vb，则第二mos管m2产生偏置电流，给放大器的差分输入对管提供工作所需偏置；
4、当外部时钟ck从高电平变为低电平时，第五mos管msw关断，第二mos管m2的栅极电压vg与偏置电压vb断开连接，外部时钟ck通过耦合电容cc将第二mos管m2的栅极电压vg拉低，拉低的幅度取决于耦合电容cc和第二mos管m2栅极电容的比例，则第二mos管m2的偏置电流关断。
5、本专利技术的有益效果为：
6、本专利技术无需在偏置管m2下面串联开关mos管，因此也消除了开关管导通电压所带来的电压损失，扩大了运放的动态范围。同时，本专利技术第五mos管msw可以设计得非常小，降低了ck的负载，降低了开关打开和关断所带来的冲击。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.基于电容耦合的快速动态偏置电路，其特征在于，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管以及耦合电容，第一MOS管的漏极与栅极连接，外加偏置电流加载到第一MOS管的漏极上，第一MOS管的源极接地，第一MOS管的栅极与第五MOS管的源极连接，第五MOS管的栅极通过耦合电容与第二MOS管的栅极连接，第五MOS管的漏极与第二MOS管的栅极连接，外部时钟加载到第五MOS管的栅极以及耦合电容，控制第五MOS管的开关，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的漏极与第三MOS管及第四MOS管构成的放大器的差分输入对管连接；
2.根据权利要求1所述的基于电容耦合的快速动态偏置电路，其特征在于，该电路还包括解耦电容，第一MOS管的栅极还通过解耦电容接地。
【技术特征摘要】
1.基于电容耦合的快速动态偏置电路，其特征在于，包括第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第五mos管以及耦合电容，第一mos管的漏极与栅极连接，外加偏置电流加载到第一mos管的漏极上，第一mos管的源极接地，第一mos管的栅极与第五mos管的源极连接，第五mos管的栅极通过耦合电容与第二mos管的栅极连接，第五mos管的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：王艺谋，袁胜丽，李福乐，池保勇，张跃，周科吉，
申请(专利权)人：成都玖锦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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