【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于无源电子器件，涉及用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感。
技术介绍
1、电感是射频和微波电路设计中不可或缺的组成部分，锥形电感作为一种新型电感，表现出良好的宽带性能，使其成为射频系统很有吸引力的几何形状。目前在大多数应用背景下，如阻抗变换器、滤波器、分频器等，仅考虑了电感的慢波特性和谐振特性，其微波抑制特性往往被忽视。在偏置三通电路中，主要使用的是锥形电感的宽带微波抑制特性，将电路与直流偏置进行微波隔离。
2、传统的锥形电感结构主要有两种，一种是锥形表面贴装(smt)电感，即在锥形卷线筒上缠绕金属线圈组成的锥形电感，由于其较大的面积，对整个电路模块的封装提出了更高的要求，并且电感器还必须放置在其支撑基板上方的足够位置，这大大提高了制作成本；另一种是使用片上锥形曲折线电感，信号在基板表面传输，所需要的芯片面积必然会增大，不符合高集成度的发展要求。随着硅通孔(tsv)技术和重分布层(redistribution layer，rdl)的发展，实现了不同层之间的电学连接关系，具有高集成、高性能、高质量的特征，为设计三维tsv锥形电感提供了新的技术与方案。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，该电感在宽带内表现出了良好的微波抑制特性，同时解决了已有的锥形电感成本高、占用面积大的问题。
2、本专利技术所采用的技术方案是，用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，包括呈倒v型设置的两列硅通孔，各排硅通孔之间分别通过顶层金属层和底层金
3、本专利技术的特点还在于：
4、其中一列硅通孔包括若干等距设置的硅通孔a，另一列硅通孔包括若干等距设置的硅通孔b，一个硅通孔a对应与一个硅通孔b并排设置形成一排硅通孔结构；硅通孔a与硅通孔b的数量相等。
5、相邻各组硅通孔结构之间间距相等。
6、输入端口位于硅通孔a所在列，输出端口位于硅通孔b所在列。
7、各顶层金属层均位于顶部二氧化硅绝缘层中。
8、各底层金属层均位于底部二氧化硅绝缘层中。
9、硅通孔a和硅通孔b均位于硅衬底中。
10、本专利技术的有益效果是，本专利技术将顶层金属、硅通孔和底层金属依次连接，形成水平方向和垂直方向上两个维度连贯连接的锥形电感，不同于传统的只在衬底顶层连接的片上电感，本专利技术在提高了电感密度的同时，大大减小了芯片的占用面积，提高了电路的集成度。同时，与现有的smt锥形电感不同，本专利技术是嵌入硅基底内部的锥形电感结构，通过设置硅通孔在衬底中的布局，实现不同锥度和不同圈数的锥形电感设计，本专利技术可以灵活设计电感的尺寸，这也降低了工艺成本。另外，本专利技术采用硅衬底中设计，与传统硅工艺相兼容。通过优化设计，本专利技术可以在宽带内实现锥形电感良好的微波抑制特性，本专利技术提出的技术方案可以很好的满足现代通信系统对集成无源器件的需求，具有广阔的应用前景。
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1.用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：包括呈倒V型设置的两列硅通孔，各排硅通孔之间分别通过顶层金属层(1)和底层金属层(6)依次首尾相接，其中一列硅通孔上连接有输入端口(2)，另一列硅通孔上连接有输出端口(3)。
2.根据权利要求1所述的用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：其中一列所述硅通孔包括若干等距设置的硅通孔A(4)，另一列所述硅通孔包括若干等距设置的硅通孔B(5)，一个硅通孔A(4)对应与一个硅通孔B(5)并排设置形成一排硅通孔结构；硅通孔A(4)与硅通孔B(5)的数量相等。
3.根据权利要求2所述的用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：相邻各组所述硅通孔结构之间间距相等。
4.根据权利要求2所述的用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：所述输入端口(2)位于硅通孔A(4)所在列，所述输出端口位于硅通孔B(5)所在列。
5.根据权利要求2所述的用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：各所述顶层金属层(1)均位于顶部二氧化硅绝缘层(8)中。
6.根据权利要求2所述的用于宽带
7.根据权利要求2所述的用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：所述硅通孔A(4)和硅通孔B(5)均位于硅衬底(7)中。
...【技术特征摘要】
1.用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：包括呈倒v型设置的两列硅通孔，各排硅通孔之间分别通过顶层金属层(1)和底层金属层(6)依次首尾相接，其中一列硅通孔上连接有输入端口(2)，另一列硅通孔上连接有输出端口(3)。
2.根据权利要求1所述的用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：其中一列所述硅通孔包括若干等距设置的硅通孔a(4)，另一列所述硅通孔包括若干等距设置的硅通孔b(5)，一个硅通孔a(4)对应与一个硅通孔b(5)并排设置形成一排硅通孔结构；硅通孔a(4)与硅通孔b(5)的数量相等。
3.根据权利要求2所述的用于宽带微波抑制的硅通孔锥形电感，其特征在于：相邻各组...
【专利技术属性】
技术研发人员：王凤娟，米娇娇，杨媛，余宁梅，朱樟明，尹湘坤，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：
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