【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学零件模压，具体是一种二元面模具的抛光方法。
技术介绍
1、目前，利用超高精度模具进行光学玻璃透镜模压成型技术，已经用来批量生产精密二元面透镜。光学玻璃透镜模压成型技术是一种高精度光学元件加工技术。在进行高精度的二元面模具加工中，对面型精度、二元面环带深度、环带半径等要求极高，因而对抛光的要求也更高。目前在现有方法下的抛光方法只针对非球面或球面的模具，面对有环带的二元面的模具容易出现面型偏差，且环带很窄，无法进行精确抛光。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种二元面模具的抛光方法，本专利技术提供的抛光方法能够针对有环带的二元面模具进行精确抛光，不仅粗糙度和峰谷值（pv值）低，并且环带半径误差和深度误差也小。
2、本专利技术提供了一种二元面模具的抛光方法，包括将待抛光二元面模具依次进行预抛光、半精抛光和精抛光；
3、本专利技术首先将待抛光二元面模具进行预抛光，所述预抛光具体是以1档~5档进行喷砂1 min~5 min。在本专利技术的某些实施例中，所述预抛光为镜面抛光。本专利技术对待抛光二元面模具进行预抛光，能够起到淡化彩虹纹的作用。
4、本专利技术将待抛光二元面模具进行预抛光之前，还包括对所述待抛光二元面模具依次进行有机洗涤、水洗涤和气体冲喷。本专利技术所述有机洗涤具体为：将所述待抛光二元面模具浸泡在有机溶剂中2 min~10 min，以除去待抛光二元面模具表面的上道工序的残渣附着及不易擦洗的污渍；本
5、本专利技术将待抛光二元面模具进行预抛光之后，对进行预抛光后的所述待抛光二元面模具进行半精抛光。本专利技术在进行半精抛光时，需要控制磨头与所述待抛光二元面模具表面以40°以内的夹角进行研磨，因为二元面为锯齿状的切面，如果用常规角度无法加工到每个待加工点，会产生干涉。优选地，控制磨头与所述待抛光二元面模具表面夹角为20°~40°。更优选地，控制磨头与所述待抛光二元面模具表面夹角为27°~35°。
6、本专利技术所述半精抛光包括以下步骤：
7、s1）以1000 r/min~2400 r/min的转速对进行预抛光后的所述待抛光二元面模具进行抛光；所述转速优选为1000 r/min~2000 r/min；
8、s2）以500 r/min~900 r/min的转速对步骤s1）后的所述待抛光二元面模具进行抛光；所述转速优选为500 r/min~600 r/min；
9、s3）以200 r/min~500 r/min的转速对步骤s2）后的所述待抛光二元面模具进行抛光；所述转速优选为200 r/min~300 r/min。
10、本专利技术所述半精抛光的步骤s1）中，在粒度为1.2万目~1.6万目的抛光材料下进行抛光，优选在粒度为1.3万目~1.5万目的抛光材料下进行抛光；所述半精抛光的步骤s2）中，在粒度为5.8万目~6.2万目的抛光材料下进行抛光，优选在粒度为5.9万目~6.1万目的抛光材料下进行抛光；所述半精抛光的步骤s3）中，在粒度为18万目~22万目的抛光材料下进行抛光，优选在粒度为19万目~21万目的抛光材料下进行抛光。在本专利技术的某些实施例中，所述半精抛光所用的抛光材料选自金刚石抛光液。
11、在本专利技术的某些实施例中，所述半精抛光的步骤s1）中进行抛光所用的抛光布为无尘布；所述半精抛光的步骤s2）中进行抛光所用的抛光布为抛光绒布；所述半精抛光的步骤s3）中进行抛光所用的抛光布为抛光绒布。无尘布的摩擦力较大，可抛光较粗糙表面；抛光绒布更加温和，能使表面抛光质量更好，减少缺陷产生，平整度更好。
12、本专利技术提供的抛光方法，将待抛光二元面模具通过控制特定的研磨角度结合三步特定转速的研磨方式进行半精抛光，其中所述半精抛光的步骤s1）的作用是将待抛光二元面模具彻底去除磨削纹，保证表面无磨削纹；步骤s2）的作用是将待抛光二元面模具的面型修正，保证面型达到设计模具面型；步骤s3的作用是保证待抛光二元面模具的外观例如划痕、斑点和缺陷等达到设计要求。能够针对有环带的二元面模具进行精确抛光，不仅粗糙度和峰谷值低，并且环带半径误差和深度误差也小。
13、本专利技术将待抛光二元面模具进行半精抛光之前，还包括对进行预抛光之后的待抛光二元面模具依次进行洗涤、超声清洗和气体冲喷。本专利技术所述洗涤具体为：将进行预抛光之后的待抛光二元面模具置于去离子水流下冲洗8 min~15 min，以冲掉待抛光二元面模具表面抛光附着的大颗粒。本专利技术所述超声清洗具体为：在20℃~80℃下，对进行预抛光后的所述待抛光二元面模具以20 khz~150 khz的超声频率进行超声清洗11 min~15 min。本专利技术所述气体冲喷和上述一样，不再赘述。本专利技术对所述进行预抛光之后的待抛光二元面模具依次进行洗涤、超声清洗和气体冲喷之后，使用酒精擦拭所述待抛光二元面模具的表面直至干净，即可对其进行半精抛光。
14、本专利技术将待抛光二元面模具进行半精抛光之后，对进行半精抛光后的所述待抛光二元面模具进行精抛光。本专利技术所述精抛光以10万目~20万目的研磨材料进行。在本专利技术的某些实施例中，所述精抛光所用的研磨材料选自金刚石研磨膏。
15、本专利技术提供了一种二元面模具的抛光方法。本专利技术提供的抛光方法能够高效抛光二元面模具，有效去除二元面模具表面彩虹纹、划痕、白点等缺陷，保证面型不变的情况下，环带形状不变形，降低环带半径和深度误差，表面粗糙度也可大大降低。实验表明，本专利技术通过特定的研磨角度和特定转速的三步研磨半精抛光方式，使二元面模具的粗糙度降低至0.005 μm以下，pv值降低至0.16 mm以下，环带半径误差达到0.015 mm以下，环带深度误差达到0.0003 mm以下。
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1.一种二元面模具的抛光方法，其特征在于，包括将待抛光二元面模具依次进行预抛光、半精抛光和精抛光；
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述半精抛光包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述半精抛光中，控制磨头与所述待抛光二元面模具表面夹角为20°~40°。
4.根据权利要求3所述的抛光方法，其特征在于，所述半精抛光中，控制磨头与所述待抛光二元面模具表面夹角为27°~35°。
5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤S1）中，在粒度为1.2万目~1.6万目的抛光材料下进行抛光；
6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤S1）中进行抛光所用的抛光布为无尘布；
7.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述预抛光具体是以喷沙流量10~50mL/s进行喷砂1 min~5 min。
8.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述精抛以10万目~20万目的研磨材料进行；
9.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，进行所述半精抛光之
10.根据权利要求9所述的抛光方法，其特征在于，进行所述半精抛光之前，所述超声清洗在20℃~80℃下进行。
...【技术特征摘要】
1.一种二元面模具的抛光方法，其特征在于，包括将待抛光二元面模具依次进行预抛光、半精抛光和精抛光；
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述半精抛光包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述半精抛光中，控制磨头与所述待抛光二元面模具表面夹角为20°~40°。
4.根据权利要求3所述的抛光方法，其特征在于，所述半精抛光中，控制磨头与所述待抛光二元面模具表面夹角为27°~35°。
5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，步骤s1）中，在粒度为1.2万目~1.6万目的抛光材料下进行抛光；
6.根据权利要求1所述的抛光方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵宝强，刘伟，黄雪丽，尹士平，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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