【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于sic器件，涉及一种sic器件结构及制作方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)是一种二元半导体化合物，是元素周期表第iv主族元素中唯一的固态化合物，也是si和c的唯一稳定化合物，其物化性质有许多独特之处。在sic材料结晶时，每一个碳原子都被4个硅原子按照正四面体结构紧密包围，同样每一个硅原子也都被4个碳原子以相同方式紧密包围，彼此相互嵌套而构成完整晶体。最近邻原子距离为0.189nm，所以sic原子层面的粗糙度大约为0.2nm左右。碳化硅晶体在结晶构架过程中都符合密堆积原则，sic材料硬度高，仅次于金刚石。而且sic材料具有很强的离子共价键，所以其结构非常稳定。由于特殊的结构，sic材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、耐高温、抗辐照、热导率高、饱和电子漂移速度快等诸多优点，所以具备制作功率器件的天然优势。
2、对于半导体高压器件，材料和结构是影响器件击穿电压的主要的因素。一般情况下，材料的电阻率越高，击穿电压越大，但在非穿通击穿的情况下，所需的体厚度越大，同时体电阻越大，在材料选型过程中一般原则是在满足击穿电压的同时要求，尽量降低电阻率。击穿电压不仅与电阻率有关，而且与器件的终端结构有直接的关系，在器件的制作过程中，击穿电压的理论值和实际值的相差较大，使其无法实现较高的击穿电压，降低了sic器件的终端效率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于解决现有技术中的sic器件无法实现较高的击穿电压，降低了sic器件的终端效率的问题，提供一种sic器件结构及制作
2、为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：
3、一种sic器件结构，包括sic外延层，所述sic外延层上淀积氧化层，所述氧化层上设置元胞区，所述元胞区两侧分别为jte区；
4、所述jte区包括依次相连的箱体jte区和斜坡jte区，所述斜坡jte区的底面为斜面，所述斜坡jte区远离箱体jte区的一侧与元胞区相连。
5、本专利技术的进一步改进在于：
6、所述元胞区包括第一p型掺杂层，所述第一p型掺杂层上表面覆盖金属层。
7、所述箱体jte区包括第二p型掺杂层，所述斜坡jte区包括第三p型掺杂层；
8、所述第二p型掺杂层和第三p型掺杂层的上表面依次覆盖场区氧化层和钝化层。
9、所述第二p型掺杂层结构为矩形结构。
10、所述第二p型掺杂层深度为0.1μm～2μm，长度为2μm～100μm。
11、所述第三p型掺杂层深度为0.2μm～2μm，长度为2μm～100μm。
12、所述第二p型掺杂层的掺杂浓度为1e14～1e17/cm3，所述第三p型掺杂层的掺杂浓度为1e15～1e17/cm3。
13、一种sic器件结构的制作方法，包括以下步骤：
14、在sic外延层上淀积氧化层；
15、在氧化层上注入元胞区和为jte区，具体包括：
16、在氧化层上光刻元胞通道，在元胞通道的两侧光刻jte区通道，所述jte区通道包括相连斜坡jte通道和箱体jte通道，所述斜坡jte通道的底面为斜面；
17、在元胞通道、斜坡jte通道和箱体jte通道内进行p+注入，形成p型掺杂区。
18、所述斜坡jte通道内p型掺杂区的掺杂浓度为1e15～1e17/cm3。
19、所述箱体jte通道内p型掺杂区的掺杂浓度为1e14～1e17/cm3。
20、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
21、本专利技术公开了一种sic器件结构，在sic外延层上淀积氧化层，进而形成了注入掩蔽区，注入掩蔽区上有元胞区1和jte区，jte区包括依次相连的箱体jte区2和斜坡jte区3，且斜坡jte区3的底面为斜面，将jte区分成两种不同的结构，两种结构相结合，采用斜角注入掩蔽区后，采用一次注入的方式，既节省了注入次数，又通过斜角掩蔽区平缓了注入区浓度，在jte区没有掺杂浓度突变区，减小了电场集中，提高了击穿电压。
22、本专利技术公开了一种sic器件结构的制备方法，在sic外延层上淀积氧化层，进而形成了注入掩蔽区，进一步注入元胞区1和为jte区，其中jte区包括了相连斜坡jte通道和箱体jte通道，且斜坡jte通道的底面为斜面，将jte区分成两种不同的结构，两种结构相结合，采用斜角注入掩蔽区后，采用一次注入的方式，既节省了注入次数，又通过斜角掩蔽区平缓了注入区浓度，在jte区没有掺杂浓度突变区，减小了电场集中，提高了击穿电压。
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1.一种SiC器件结构，其特征在于，包括SiC外延层，所述SiC外延层上淀积氧化层，所述氧化层上设置元胞区(1)，所述元胞区(1)两侧分别为JTE区；
2.根据权利要求1所述的一种SiC器件结构，其特征在于，所述元胞区(1)包括第一P型掺杂层，所述第一P型掺杂层上表面覆盖金属层(4)。
3.根据权利要求1所述的一种SiC器件结构，其特征在于，所述箱体JTE区(2)包括第二P型掺杂层，所述斜坡JTE区(3)包括第三P型掺杂层；
4.根据权利要求3所述的一种SiC器件结构，其特征在于，所述第二P型掺杂层结构为矩形结构。
5.根据权利要求3所述的一种SiC器件结构，其特征在于，所述第二P型掺杂层深度为0.1μm～2μm，长度为2μm～100μm。
6.根据权利要求3所述的一种SiC器件结构，其特征在于，所述第三P型掺杂层深度为0.2μm～2μm，长度为2μm～100μm。
7.根据权利要求3所述的一种SiC器件结构，其特征在于，所述第二P型掺杂层的掺杂浓度为1E14～1E17/cm3，所述第三P型掺杂层的掺杂浓度为
8.一种SiC器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的一种SiC器件结构的制作方法，其特征在于，所述斜坡JTE通道内P型掺杂区的掺杂浓度为1E15～1E17/cm3。
10.根据权利要求8所述的一种SiC器件结构的制作方法，其特征在于，所述箱体JTE通道内P型掺杂区的掺杂浓度为1E14～1E17/cm3。
...【技术特征摘要】
1.一种sic器件结构，其特征在于，包括sic外延层，所述sic外延层上淀积氧化层，所述氧化层上设置元胞区(1)，所述元胞区(1)两侧分别为jte区；
2.根据权利要求1所述的一种sic器件结构，其特征在于，所述元胞区(1)包括第一p型掺杂层，所述第一p型掺杂层上表面覆盖金属层(4)。
3.根据权利要求1所述的一种sic器件结构，其特征在于，所述箱体jte区(2)包括第二p型掺杂层，所述斜坡jte区(3)包括第三p型掺杂层；
4.根据权利要求3所述的一种sic器件结构，其特征在于，所述第二p型掺杂层结构为矩形结构。
5.根据权利要求3所述的一种sic器件结构，其特征在于，所述第二p型掺杂层深度为0.1μm～2μm，长度为2μm～100μm。
【专利技术属性】
技术研发人员：侯斌，杨庚，李照，刘思成，鲁红玲，胡长青，程鹏刚，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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