【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金刚石加工，尤其涉及一种基于mpcvd法的多晶金刚石的制备方法。
技术介绍
1、多晶金刚石最初是由美国的杜邦公司通过爆炸法生产的。与单晶材料相比、多晶材料具有价格低，制备材料尺寸几乎不受限制，可制备大尺寸及多种复杂形状等。适用于航天、航空、军工、冶金、化工等国民经济各领域，具有良好的应用前景和市场潜力。而且金刚石是透光波段最宽和最好的材料，这使得金刚石成为制作高能密度、防腐、耐磨红外光学窗口最理想的材料。同时，金刚石具有很高的热导率，相同条件下是热导率最高的铜的五倍以上，在某些仪器中用金刚石来给发热元件进行散热。目前，在利用mpcvd法制备多晶金刚石的方法中需要采用衬底来给多晶金刚石的生长提供平台，衬底的材质一般采用金属、碳化硅或者硅材料制成，在后续毛坯处理中很难处理干净，处理不干净的衬底对多晶金刚石的美观以及质量均会造成影响，因此，就必须研制出一种易去除衬底的基于mpcvd法的多晶金刚石的制备方法，经检索，未发现与本专利技术相同的技术方案。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决的技术问题是提供一种易去除衬底的基于mpcvd法的多晶金刚石的制备方法，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：一种基于mpcvd法的多晶金刚石的制备方法，其创新点在于：包括如下步骤；
3、1)原料制备：制备质量比在2:5至3:5的硅溶胶溶液做为混合溶液，将金刚石微粉加入硅溶胶溶液中，并充分搅拌使得金刚石微粉在硅溶
4、2)预处理：将步骤1)中得到的金刚石微粉和硅溶胶的混合物进行预热处理，将金刚石微粉和硅溶胶的混合物中的水份蒸发干净，得到脱水的金刚石微粉和硅溶胶的混合物，再对脱水的金刚石微粉和硅溶胶的混合物进行压制，使其成为胚体；
5、3)生长：将步骤2)中得到的胚体放入mpcvd设备中开始气相沉积，得到多晶金刚石的毛坯；
6、4)后期处理：调制boe溶液，将步骤3)中毛坯放入boe溶液中清洗得到多晶金刚石。
7、在一些实施方式中，步骤1)中，金刚石微粉与硅溶胶溶液的质量比为1:3至1:2之间。
8、在一些实施方式中，步骤2)中，胚体的体积小于压制前脱水的金刚石微粉和硅溶胶的混合物体积的十分之一。
9、在一些实施方式中，步骤3)中得到多晶金刚石的毛坯后，可对多晶金刚石的毛坯中的硅溶胶残留进行检测并计算残留量，然后步骤4)中，参考硅溶胶的残留量精确计算并调制boe溶液的浓度及其用量。
10、本专利技术的有益效果是：本技术方案中首先利用金刚石微粉和硅溶胶溶液制呈混合物，在利用硅溶胶的特性对其进行加热蒸发其中水份，硅溶胶的体积迅速收缩，随之硅溶胶的胶体粒子牢固地附着在金刚石微粉的表面，粒子间形成硅氧结合，将金刚石微粉全部粘合，再对其进行压制使其体积收缩成为胚体，再经过气相沉积成为多晶金刚石毛坯后，再利用boe溶液的特性对硅溶胶进行完全去除，从而得到纯净的多晶金刚石；本技术方案多晶金刚石利用率更高；在生长过程中金刚石微粉颗粒大小可控，所以生长的多晶金刚石的粒度大小可控且多晶金刚石的单晶晶畴大小可控，可以根据市场对多晶金刚石粒度需求的不同来生长粒度不同的多晶金刚石。
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1.一种基于MPCVD法的多晶金刚石的制备方法，其特征在于：包括如下步骤；
2.根据权利要求1所述的一种基于MPCVD法的多晶金刚石的制备方法，其特征在于：步骤1)中，金刚石微粉与硅溶胶溶液的质量比为1:3至1:2之间。
3.根据权利要求1所述的一种基于MPCVD法的多晶金刚石的制备方法，其特征在于：步骤2)中，胚体的体积小于压制前脱水的金刚石微粉和硅溶胶的混合物体积的十分之一。
4.根据权利要求1所述的一种基于MPCVD法的多晶金刚石的制备方法，其特征在于：步骤3)中得到多晶金刚石的毛坯后，可对多晶金刚石的毛坯中的硅溶胶残留进行检测并计算残留量，然后步骤4)中，参考硅溶胶的残留量精确计算并调制BOE溶液的浓度及其用量。
【技术特征摘要】
1.一种基于mpcvd法的多晶金刚石的制备方法，其特征在于：包括如下步骤；
2.根据权利要求1所述的一种基于mpcvd法的多晶金刚石的制备方法，其特征在于：步骤1)中，金刚石微粉与硅溶胶溶液的质量比为1:3至1:2之间。
3.根据权利要求1所述的一种基于mpcvd法的多晶金刚石的制备方法，其特征在于：步骤2...
【专利技术属性】
技术研发人员：石然，丛猷臻，周磊峰，张新峰，
申请(专利权)人：江苏卓远半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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