【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造，具体涉及一种基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法。
技术介绍
1、近年来，微波无线通信技术的更新发展带动了其他领域，如移动通信系统(cdma、umts、gsm等)、全球定位系统(gps、galileo等)、数据传输系统(wlan、蓝牙等)、卫星通信等领域技术的飞速发展。微波谐振器与滤波器是构成这些系统中元件的重要组成部分，传统的微波器件使用电磁波作为能量载体。然而在射频/微波频率范围内，基于电磁波的器件尺寸很难满足第五代电信标准(5g)的集成要求。由于声波的波速比电磁波慢4到5个数量级，因此声波器件更能满足当前小型化和集成化的要求。
2、声表面波(saw)是一种在弹性材料表面传播的声波，saw器件是利用一些具有压电效应的材料(如石英，aln，zno等)，把在输入端叉指换能器(idt)输入的射频电信号通过压电效应转换为声信号，经压电薄膜滤波后在输出端idt输出电信号的电子器件，在射频/微波频段可作为谐振器与滤波器。压电材料的类型会影响saw器件工作的频段，其中铌酸锂(linbo3)晶体具有优良的压电性能，作为saw器件的压电薄膜可以使其具有更高的工作频率和更好的机电耦合系数。
3、铌酸锂薄膜的制备主要有抛光和切片键合两种，抛光方法需要消耗大量的材料，切片键合方法工艺昂贵且有最小厚度的限制。
技术实现思路
1、本专利技术公开一种基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法，包括以下步骤：在linbo3晶圆内形成多孔气泡层，将晶
2、本专利技术的基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法中，优选为，所述使用激光进行解键合的步骤中，激光的波长为355nm，功率小于5w，扫描速度为1500mm/s。
3、本专利技术的基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法中，优选为，进行he+离子注入在linbo3晶圆内形成多孔气泡层，其中，he+离子注入的能量为160～195kev，剂量为4.5e16～6.5e16cm-2。
4、本专利技术的基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法中，优选为，所述将linbo3晶圆与支撑衬底键合的步骤具体包括：在支撑衬底表面旋涂激光释放材料与临时粘接材料；将linbo3晶圆表面与支撑衬底表面贴合，烘烤后用键合机在200～300℃，6～9kn压力下键合20～40min。
5、本专利技术的基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法中，优选为，采用干氧氧化在硅衬底生长sio2薄膜。
6、本专利技术的基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法中，优选为，在350～450℃进行热退火处理，将形成有sio2薄膜的si衬底与上述形成在支撑衬底表面的linbo3薄膜直接键合，在135～165℃下退火8～16h，形成稳定的键合对。
7、本专利技术的基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法中，优选为，在linbo3薄膜表面形成叉指换能器的步骤包括：在linbo3薄膜表面旋涂光刻胶，进行电子束光刻，定义idt电极的线宽；电子束蒸发al电极，采用剥离工艺形成al idt的图形；在idt表面旋涂光刻胶，再用掩模对准机进行图形化；淀积al用于低阻接触，采用剥离工艺去除光刻胶并图形化。
8、有益效果：
9、传统多晶linbo3薄膜采用化学气相沉积的淀积方法，但多晶薄膜的压电性能与界面质量较差。单晶linbo3薄膜通常用“离子切割-剥离”方法，或采用键合方法再进行机械减薄，前者难以获得更薄的厚度与更好的界面，后者较为浪费材料。本申请利用激光解键合技术，使linbo3薄膜制备过程更具有灵活性，节约linbo3材料的同时提高了薄膜的质量和精度，提高了saw器件的性能与各项参数。
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1.一种基于激光解键合的铌酸锂薄膜SAW器件制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基于激光解键合的铌酸锂薄膜SAW器件制备方法，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基于激光解键合的铌酸锂薄膜saw器件制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基于激光解键合的铌酸锂薄膜...
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