【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、对物体接近设备进行精确检测具有广泛的用途。各种影响都可能导致对物体接近的错误检测。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种接近传感器，所述接近传感器包括：
2.根据权利要求1所述的接近传感器，所述接近传感器还包括壳体，所述壳体允许所述第一光发射器直接照射所述光检测器，并阻止所述第二光发射器直接照射所述光检测器。
3.根据权利要求1所述的接近传感器，所述接近传感器还包括壳体，所述壳体阻止所述第一光发射器照射显示器，并阻止所述第二光发射器直接照射所述光检测器。
4.根据权利要求1所述的接近传感器，其中，所述第一光发射器被配置为在所述第一时间段内发射光，以使得所述光检测器在所述第二时间段内保持线性响应度。
5.根据权利要求1所述的接近传感器，其中，所述光检测器包括光电二极管或光电晶体管。
6.根据权利要求1所述的接近传感器，其中，所述第一光发射器和所述第二光发射器包括发光二极管。
7.根据权利要求1所述的接近传感器，其中，所述光包括红外光。
8.一种用于感测接近的方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一光发射器在所述第一时间段内直接照射所述光检测器，并且其中，所述第二光发射器在
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一光发射器在所述第一时间段内被阻止照射显示器，并且其中，所述第二光发射器在所述第二时间段内被阻止直接照射所述光检测器。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一光发射器在所述第一时间段内发射光，以使得所述光检测器在所述第二时间段内保持线性响应度。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述光检测器包括光电二极管或光电晶体管。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一光发射器和所述第二光发射器包括发光二极管。
14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述光包括红外光。
15.一种用于感测接近的装置，所述装置包括：
16.根据权利要求18所述的装置，所述装置还包括光阻止装置，所述光阻止装置允许所述第一光发射装置直接照射所述光检测装置，并阻止所述第二光发射装置直接照射所述光检测装置。
17.根据权利要求18所述的装置，所述装置还包括光阻止装置，所述光阻止装置阻止所述第一光发射装置照射显示器，并阻止所述第二光发射装置直接照射所述光检测装置。
18.根据权利要求18所述的装置，其中，所述第一光发射装置被配置为在所述第一时间段内发射光，以使得所述光检测装置在所述第二时间段内保持线性响应度。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述光检测装置包括光电二极管或光电晶体管。
20.根据权利要求18所述的装置，其中，所述第一光发射装置和所述第二光发射装置包括发光二极管。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种接近传感器，所述接近传感器包括：
2.根据权利要求1所述的接近传感器，所述接近传感器还包括壳体，所述壳体允许所述第一光发射器直接照射所述光检测器，并阻止所述第二光发射器直接照射所述光检测器。
3.根据权利要求1所述的接近传感器，所述接近传感器还包括壳体，所述壳体阻止所述第一光发射器照射显示器，并阻止所述第二光发射器直接照射所述光检测器。
4.根据权利要求1所述的接近传感器，其中，所述第一光发射器被配置为在所述第一时间段内发射光，以使得所述光检测器在所述第二时间段内保持线性响应度。
5.根据权利要求1所述的接近传感器，其中，所述光检测器包括光电二极管或光电晶体管。
6.根据权利要求1所述的接近传感器，其中，所述第一光发射器和所述第二光发射器包括发光二极管。
7.根据权利要求1所述的接近传感器，其中，所述光包括红外光。
8.一种用于感测接近的方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一光发射器在所述第一时间段内直接照射所述光检测器，并且其中，所述第二光发射器在所述第二时间段内被阻止直接照射所述光检测器。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一光发射器在所述第一时间段内被阻止照射显示器，并且其中，所述第二光发射器在所述第二时间段内被阻止直接照射...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·C·黄，Y·H·高，K·W·曾，
申请(专利权)人：威世半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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