【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单质硅提纯，具体涉及一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐。
技术介绍
1、缓冲罐被广泛应用于中央空调、锅炉、热水器、变频、恒压供水设备中，其缓冲系统压力波动，消除水锤起到稳压卸荷的作用，在系统内水压轻微变化时，缓冲罐气囊的自动膨胀收缩会对水压的变化有一定缓冲作用，能保证系统的水压稳定，在对单质硅提纯的过程中，需将二氧化硅等原料加热至沸点后，使单质硅蒸发产生硅蒸汽，随后使硅蒸汽冷凝为单质硅，在对硅蒸汽输送的过程中，需用到缓冲罐。
2、但现有缓冲罐在对硅蒸汽进行缓冲时，硅蒸汽进入缓冲罐内腔时，缓冲罐内腔下端的硅蒸汽，由于远离蒸汽管与缓冲罐内壁接触，会在温度较低的缓冲罐内部冷凝为液体硅，导致液体硅在缓冲罐内逐渐积累，从挤压缓冲罐内的空间，进而使缓冲罐内气压过大，不便于使用，当停止提纯单质硅时，缓冲罐内的残余气态硅会在缓冲罐内凝结，导致缓冲罐内的容量快速降低，影响缓冲罐的使用效果，存在一定使用不便。
技术实现思路
1、本技术提供一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：
3、一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，包括底板，所述底板顶部的一侧固定连接有提纯机构，所述底板顶部的另一侧固定连接有冷凝机构，所述底板顶部的中部设置有缓冲机构。
4、本技术技术方案的进一步改进在于：所述提纯机构包括支撑腿，所述支撑腿的底部与底板顶部的一侧固定连接，所述支撑腿的顶部固定连接有加热仓
5、本技术技术方案的进一步改进在于：所述加热仓的顶部设置有收集盖，所述加热仓内腔的底部固定连接有加热板一，所述加热仓内腔底部的中部设置有排杂管，所述收集盖内腔的顶部固定连接蒸汽管。
6、本技术技术方案的进一步改进在于：所述冷凝机构包括支撑架，所述支撑架的底部与底板顶部的一侧固定连接，所述支撑架的顶部固定连接有冷凝器，所述冷凝器的内部与蒸汽管的一端固定连接，所述冷凝器的一侧设置有出液管。
7、本技术技术方案的进一步改进在于：所述缓冲机构包括支撑台，所述支撑台的底部与底板顶部的中部固定连接，所述支撑台的顶部固定连接有缓冲罐，所述缓冲罐内腔的顶部设置有呼吸管，所述呼吸管的中部设置有呼吸阀，所述缓冲罐内腔的上端固定连接有弹簧，所述弹簧的一端固定连接有气囊。
8、本技术技术方案的进一步改进在于：所述气囊的顶部固定连接有充气管，所述充气管的中部设置有充气阀，所述气囊的顶部固定连接有温压传感器，所述缓冲罐的正面设置有显示板，所述缓冲罐内腔的底部固定连接有加热板二，所述支撑台内腔的顶部固定连接有电机，所述电机转轴的表面固定连接有支杆，所述支杆的两端固定连接有刮板，所述缓冲罐内腔一侧的下端设置有排液管。
9、由于采用了上述技术方案，本技术相对现有技术来说，取得的技术进步是：
10、本技术提供一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，通过缓冲机构的设置，在提纯单质硅时，在加热板二的作用下，对缓冲罐内凝结的液态硅进行加热，使液态硅可重新蒸发为气态，避免液体硅在缓冲罐内积累，同时在提纯完成后，缓冲罐内的残余气态硅会在温度相对缓冲罐上端较低的缓冲罐内腔下端逐渐凝结，随后启动电机，使支杆带动刮板进行转动，将液态硅刮除后，可打开排液管将其排出，减少残余气态硅在缓冲罐内凝结量，使其更便于使用。
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1.一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，包括底板(1)，其特征在于：所述底板(1)顶部的一侧固定连接有提纯机构(2)，所述底板(1)顶部的另一侧固定连接有冷凝机构(3)，所述底板(1)顶部的中部设置有缓冲机构(4)，所述缓冲机构(4)包括支撑台(41)，所述支撑台(41)的底部与底板(1)顶部的中部固定连接，所述支撑台(41)的顶部固定连接有缓冲罐(42)，所述缓冲罐(42)内腔的顶部设置有呼吸管(43)，所述呼吸管(43)的中部设置有呼吸阀(44)，所述缓冲罐(42)内腔的上端固定连接有弹簧(45)，所述弹簧(45)的一端固定连接有气囊(46)，所述气囊(46)的顶部固定连接有充气管(47)，所述充气管(47)的中部设置有充气阀(48)，所述气囊(46)的顶部固定连接有温压传感器(49)，所述缓冲罐(42)的正面设置有显示板(410)，所述缓冲罐(42)内腔的底部固定连接有加热板二(411)，所述支撑台(41)内腔的顶部固定连接有电机(412)，所述电机(412)转轴的表面固定连接有支杆(413)，所述支杆(413)的两端固定连接有刮板(414)，所述缓冲罐(42)内腔一侧的下端
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，其特征在于：所述提纯机构(2)包括支撑腿(21)，所述支撑腿(21)的底部与底板(1)顶部的一侧固定连接，所述支撑腿(21)的顶部固定连接有加热仓(22)，所述加热仓(22)内腔的一侧设置有加料口(23)，所述加热仓(22)的正面固定连接有控制面板(24)。
3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，其特征在于：所述加热仓(22)的顶部设置有收集盖(25)，所述加热仓(22)内腔的底部固定连接有加热板一(26)，所述加热仓(22)内腔底部的中部设置有排杂管(27)，所述收集盖(25)内腔的顶部固定连接蒸汽管(28)。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，其特征在于：所述冷凝机构(3)包括支撑架(31)，所述支撑架(31)的底部与底板(1)顶部的一侧固定连接，所述支撑架(31)的顶部固定连接有冷凝器(32)，所述冷凝器(32)的内部与蒸汽管(28)的一端固定连接，所述冷凝器(32)的一侧设置有出液管(33)。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，包括底板(1)，其特征在于：所述底板(1)顶部的一侧固定连接有提纯机构(2)，所述底板(1)顶部的另一侧固定连接有冷凝机构(3)，所述底板(1)顶部的中部设置有缓冲机构(4)，所述缓冲机构(4)包括支撑台(41)，所述支撑台(41)的底部与底板(1)顶部的中部固定连接，所述支撑台(41)的顶部固定连接有缓冲罐(42)，所述缓冲罐(42)内腔的顶部设置有呼吸管(43)，所述呼吸管(43)的中部设置有呼吸阀(44)，所述缓冲罐(42)内腔的上端固定连接有弹簧(45)，所述弹簧(45)的一端固定连接有气囊(46)，所述气囊(46)的顶部固定连接有充气管(47)，所述充气管(47)的中部设置有充气阀(48)，所述气囊(46)的顶部固定连接有温压传感器(49)，所述缓冲罐(42)的正面设置有显示板(410)，所述缓冲罐(42)内腔的底部固定连接有加热板二(411)，所述支撑台(41)内腔的顶部固定连接有电机(412)，所述电机(412)转轴的表面固定连接有支杆(413)，所述支杆(413)的两端固定连接有刮板(414)，所述缓冲罐(42)内腔一...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡佳，谢方辉，
申请(专利权)人：无锡顺鼎金属科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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