System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种并网混合型ANPC容错系统及其控制方法技术方案_技高网
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一种并网混合型ANPC容错系统及其控制方法技术方案

技术编号:42750318 阅读:10 留言:0更新日期:2024-09-18 13:40
一种并网混合型ANPC容错系统及其控制方法,该系统包括冗余模块,冗余模块包括上、下复用冗余单元,上复用冗余单元由第一复用Si‑IGBT器件S<subgt;1</subgt;、第一晶闸管T<subgt;a1</subgt;、第二晶闸管T<subgt;b1</subgt;、第三晶闸管T<subgt;c1</subgt;组成;S<subgt;1</subgt;的集电极与并联桥臂上公共线相连,S<subgt;1</subgt;的发射极与T<subgt;a1</subgt;的阳极相连,T<subgt;a1</subgt;的阴极与A相桥臂上钳位管M<subgt;a2</subgt;的漏极相连;T<subgt;b1</subgt;的阳极与T<subgt;a1</subgt;的阳极相连,T<subgt;b1</subgt;的阴极与B相桥臂上钳位管M<subgt;b2</subgt;的漏极相连;T<subgt;c1</subgt;的阳极与T<subgt;a1</subgt;的阳极相连,T<subgt;c1</subgt;的阴极与C相桥臂上钳位管M<subgt;c2</subgt;的漏极相连。本发明专利技术冗余器件数量少,容错能力强,容错情形广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子变换器故障容错,具体是涉及一种并网混合型anpc容错系统及其控制方法。


技术介绍

1、基于每相桥臂4sic&2si异质器件混合型有源中点钳位逆变器(active neutralpoint converter,anpc)因其高功率密度、低成本与低损耗等优点,在高效大功率电能变换场合具有良好的应用前景。然而,为了充分发挥sic器件低开关损耗与耐高温的优势,其长期处于高频工作模式,这增加了sic器件故障发生的概率。其中,最为常见的故障类型为器件开路故障,会导致混合型anpc结构的不对称,极度降低设备的电能质量,长时间运行会引发系统二次故障,造成较大的经济损失。因此,相应的容错控制策略对于变换器系统的稳定、可靠、高效运行具有至关重要的作用。

2、目前,基于三电平变换器容错手段类型可分为硬件型方案与软件型方案。硬件型方案通过增设硬件电路来弥补变换器故障失效状态,维持系统持续供电,主要包括:并联冗余开关、桥臂输出端加装双向晶闸管、添加第四冗余桥臂。但是,现有硬件方案添加的冗余器件数量较大,存在成本高的缺点;或冗余数量小,存在容错性能差的缺点。软件型方案利用自身冗余开关状态,重构开关序列以保障系统正常运行,根据失效开关类型与容错策略采用的开关状态,可分为全两电平调制、故障相两电平调制、开关状态失效区域两电平调制、开关状态替代型三电平调制、混合型电平调制。然而,基于软件型方案可以容错故障类型有限,在某些情况下不能实施。

3、综上,为实现容错成本与性能的折中,亟需研究具备冗余器件数量最小化、容错能力最大化等特点的并网混合型anpc容错系统,这对于提升系统可靠性,维持系统的持续、安全运行具有重要意义。


技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是,克服上述
技术介绍
的不足,提供一种并网混合型anpc容错系统及其控制方法,冗余器件数量少,容错能力强,容错情形广。

2、本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是,一种并网混合型anpc容错系统,包括混合型anpc三电平电路和冗余模块,所述冗余模块包括上复用冗余单元与下复用冗余单元,上复用冗余单元由第一复用si-igbt器件s1、第一晶闸管ta1、第二晶闸管tb1、第三晶闸管tc1组成;第一复用si-igbt器件s1的集电极与并联桥臂上公共线相连,第一复用si-igbt器件s1的发射极与第一晶闸管ta1的阳极相连,第一晶闸管ta1的阴极与a相桥臂上钳位管ma2的漏极相连;第二晶闸管tb1的阳极与第一晶闸管ta1的阳极相连,第二晶闸管tb1的阴极与b相桥臂上钳位管mb2的漏极相连;第三晶闸管tc1的阳极与第一晶闸管ta1的阳极相连,第三晶闸管tc1的阴极与c相桥臂上钳位管mc2的漏极相连;下复用冗余单元由第二复用si-igbt器件s2、第四晶闸管ta2、第五晶闸管tb2、第六晶闸管tc2组成;第二复用si-igbt器件s2的发射极与并联桥臂下公共线相连,第二复用si-igbt器件s2的集电极与第四晶闸管ta2的阴极相连,第四晶闸管ta2的阳极与a相桥臂下钳位管ma3的源极相连;第五晶闸管tb2的阴极与第四晶闸管ta2的阴极相连,第五晶闸管tb2的阳极与b相桥臂下钳位管mb3的源极相连;第六晶闸管tc2的阴极与第四晶闸管ta2的阴极相连,第六晶闸管tc2的阳极与c相桥臂下钳位管mc3的源极相连。

3、进一步,所述混合型anpc三电平电路包括桥臂模块、稳压电容模块和滤波模块,桥臂模块与稳压电容模块并联后输出端再与滤波模块串联构成anpc三电平电路拓扑;桥臂模块包括三相并联的桥臂,其中每相桥臂包括4个sic-mosfet器件mki和2个si-igbt器件skj,每个sic-mosfet器件mki反并联二极管,每个si-igbt器件skj反并联二极管;每相桥臂的4个sic-mosfet器件mki为上外管mk1、上钳位管mk2、下钳位管mk3、下外管mk4;稳压电容模块由2个电容c1、c2串联组成,其中点端口连接至每相桥臂钳位点;滤波模块由三相电感l组成。

4、一种并网混合型anpc容错系统的控制方法,包括以下步骤:

5、步骤s1:根据开路故障器件,启动相应冗余器件,切换成容错型拓扑;

6、步骤s2:基于故障类型,重构器件的开关状态逻辑;

7、步骤s3:根据逆变器闭环控制与零序电压中点平衡策略生成的调制波,利用同相载波层叠调制方法,产生pwm信号,实现系统的容错控制。

8、进一步,步骤s1中,根据开路故障器件,启动相应冗余器件,切换成容错型拓扑的具体方法为:当上外管mk1发生开路故障,导通晶闸管tk1,投入第一复用si-igbt器件s1,上复用冗余单元运行工作;当下外管mk4发生开路故障,导通晶闸管tk2,投入第二复用si-igbt器件s2,下复用冗余单元运行工作。

9、进一步,步骤s2中,基于故障类型,重构器件的开关状态逻辑,基于的故障类型具体为:按sic-mosfet器件故障的数量及位置,将故障分为单管故障、单相双管故障、单相多管故障、异相双管故障、异相多管故障。

10、进一步,步骤s2中,发生单管或单相双管的双外管故障时,冗余器件替代故障器件,开关状态逻辑不变;发生异相双管故障时,故障相桥臂器件及其冗余器件按相应三电平开关状态逻辑工作;发生单相多管或单相双管的外管及钳位管或异相多管故障时,故障桥臂健康器件及其冗余器件按对应两电平开关状态逻辑工作;健康桥臂器件开关状态逻辑维持不变。

11、进一步,步骤s2中,对于单相双管故障:

12、单相中,2个外管开路故障时,即上外管mk1与下外管mk4开路故障时,记为sd-ⅰ型故障,对于sd-ⅰ型故障,据步骤s1的具体方法,启动相应冗余器件,故障相桥臂按器件原来开关状态逻辑进行混合型anpc三电平调制,原本上外管mk1的pwm信号给到第一复用si-igbt器件s1,原本下外管mk4的pwm信号给到第二复用si-igbt器件s2;

13、单相中,1个外管故障与1个钳位管开路故障时,即上外管mk1与上钳位管mk2开路故障,或上外管mk1与下钳位管mk3开路故障,或下外管mk4与上钳位管mk2开路故障,或下外管mk4与下钳位管mk3开路故障时,记为sd-ⅱ型故障,对于sd-ⅱ型故障,据步骤s1的具体方法,启动相应冗余器件,故障相桥臂按两电平进行调制;上外管mk1与上钳位管mk2开路故障,或上外管mk1与下钳位管mk3开路故障时,其对应器件开关状态逻辑如表c-1所示;下外管mk4与上钳位管mk2开路故障,或下外管mk4与下钳位管mk3开路故障时,其对应器件开关状态逻辑如表c-2所示;

14、单相中,2个钳位管开路故障时,即上钳位管mk2与下钳位管mk3开路故障时,记为sd-ⅲ型故障,对于sd-ⅲ型故障,不投入冗余单元,故障相桥臂按传统二极管钳位型三电平变换器调制模式工作。

15、进一步,步骤s2中,对于单相多管故障:

16、单相中,2个外管与1个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种并网混合型ANPC容错系统,包括混合型ANPC三电平电路和冗余模块,其特征在于:所述冗余模块包括上复用冗余单元与下复用冗余单元,上复用冗余单元由第一复用Si-IGBT器件S1、第一晶闸管Ta1、第二晶闸管Tb1、第三晶闸管Tc1组成;第一复用Si-IGBT器件S1的集电极与并联桥臂上公共线相连,第一复用Si-IGBT器件S1的发射极与第一晶闸管Ta1的阳极相连,第一晶闸管Ta1的阴极与A相桥臂上钳位管Ma2的漏极相连;第二晶闸管Tb1的阳极与第一晶闸管Ta1的阳极相连,第二晶闸管Tb1的阴极与B相桥臂上钳位管Mb2的漏极相连;第三晶闸管Tc1的阳极与第一晶闸管Ta1的阳极相连,第三晶闸管Tc1的阴极与C相桥臂上钳位管Mc2的漏极相连;下复用冗余单元由第二复用Si-IGBT器件S2、第四晶闸管Ta2、第五晶闸管Tb2、第六晶闸管Tc2组成;第二复用Si-IGBT器件S2的发射极与并联桥臂下公共线相连,第二复用Si-IGBT器件S2的集电极与第四晶闸管Ta2的阴极相连,第四晶闸管Ta2的阳极与A相桥臂下钳位管Ma3的源极相连;第五晶闸管Tb2的阴极与第四晶闸管Ta2的阴极相连,第五晶闸管Tb2的阳极与B相桥臂下钳位管Mb3的源极相连;第六晶闸管Tc2的阴极与第四晶闸管Ta2的阴极相连,第六晶闸管Tc2的阳极与C相桥臂下钳位管Mc3的源极相连。

2.如权利要求1所述的并网混合型ANPC容错系统,其特征在于:所述混合型ANPC三电平电路包括桥臂模块、稳压电容模块和滤波模块,桥臂模块与稳压电容模块并联后输出端再与滤波模块串联构成ANPC三电平电路拓扑;桥臂模块包括三相并联的桥臂,其中每相桥臂包括4个SiC-MOSFET器件Mki和2个Si-IGBT器件Skj,每个SiC-MOSFET器件Mki反并联二极管,每个Si-IGBT器件Skj反并联二极管;每相桥臂的4个SiC-MOSFET器件Mki为上外管Mk1、上钳位管Mk2、下钳位管Mk3、下外管Mk4;稳压电容模块由2个电容C1、C2串联组成,其中点端口连接至每相桥臂钳位点;滤波模块由三相电感L组成。

3.一种并网混合型ANPC容错系统的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:

4.如权利要求3所述的并网混合型ANPC容错系统的控制方法,其特征在于:步骤S1中,根据开路故障器件,启动相应冗余器件,切换成容错型拓扑的具体方法为:当上外管Mk1发生开路故障,导通晶闸管Tk1,投入第一复用Si-IGBT器件S1,上复用冗余单元运行工作;当下外管Mk4发生开路故障,导通晶闸管Tk2,投入第二复用Si-IGBT器件S2,下复用冗余单元运行工作。

5.如权利要求3所述的并网混合型ANPC容错系统的控制方法,其特征在于:步骤S2中,基于故障类型,重构器件的开关状态逻辑,基于的故障类型具体为:按SiC-MOSFET器件故障的数量及位置,将故障分为单管故障、单相双管故障、单相多管故障、异相双管故障、异相多管故障。

6.如权利要求5所述的并网混合型ANPC容错系统的控制方法,其特征在于:步骤S2中,对于单管故障,若是上钳位管Mk2或下钳位管Mk3发生开路故障,则故障相桥臂按传统二极管钳位型三电平变换器调制模式工作;若是上外管Mk1或下外管Mk4发生开路故障,则根据步骤S1的具体方法,启动相应冗余器件,故障相桥臂按器件原来开关状态逻辑进行混合型ANPC三电平调制,原本上外管Mk1的PWM信号给到第一复用Si-IGBT器件S1,或原本下外管Mk4的PWM信号给到第二复用Si-IGBT器件S2。

7.如权利要求5所述的并网混合型ANPC容错系统的控制方法,其特征在于:步骤S2中,对于单相双管故障:

8.如权利要求7所述的并网混合型ANPC容错系统的控制方法,其特征在于:步骤S2中,对于单相多管故障:

9.如权利要求5所述的并网混合型ANPC容错系统的控制方法,其特征在于:步骤S2中,对于异相双管故障:

10.如权利要求5所述的并网混合型ANPC容错系统的控制方法,其特征在于:步骤S2中,对于异相多管故障:

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【技术特征摘要】

1.一种并网混合型anpc容错系统,包括混合型anpc三电平电路和冗余模块,其特征在于:所述冗余模块包括上复用冗余单元与下复用冗余单元,上复用冗余单元由第一复用si-igbt器件s1、第一晶闸管ta1、第二晶闸管tb1、第三晶闸管tc1组成;第一复用si-igbt器件s1的集电极与并联桥臂上公共线相连,第一复用si-igbt器件s1的发射极与第一晶闸管ta1的阳极相连,第一晶闸管ta1的阴极与a相桥臂上钳位管ma2的漏极相连;第二晶闸管tb1的阳极与第一晶闸管ta1的阳极相连,第二晶闸管tb1的阴极与b相桥臂上钳位管mb2的漏极相连;第三晶闸管tc1的阳极与第一晶闸管ta1的阳极相连,第三晶闸管tc1的阴极与c相桥臂上钳位管mc2的漏极相连;下复用冗余单元由第二复用si-igbt器件s2、第四晶闸管ta2、第五晶闸管tb2、第六晶闸管tc2组成;第二复用si-igbt器件s2的发射极与并联桥臂下公共线相连,第二复用si-igbt器件s2的集电极与第四晶闸管ta2的阴极相连,第四晶闸管ta2的阳极与a相桥臂下钳位管ma3的源极相连;第五晶闸管tb2的阴极与第四晶闸管ta2的阴极相连,第五晶闸管tb2的阳极与b相桥臂下钳位管mb3的源极相连;第六晶闸管tc2的阴极与第四晶闸管ta2的阴极相连,第六晶闸管tc2的阳极与c相桥臂下钳位管mc3的源极相连。

2.如权利要求1所述的并网混合型anpc容错系统,其特征在于:所述混合型anpc三电平电路包括桥臂模块、稳压电容模块和滤波模块,桥臂模块与稳压电容模块并联后输出端再与滤波模块串联构成anpc三电平电路拓扑;桥臂模块包括三相并联的桥臂,其中每相桥臂包括4个sic-mosfet器件mki和2个si-igbt器件skj,每个sic-mosfet器件mki反并联二极管,每个si-igbt器件skj反并联二极管;每相桥臂的4个sic-mosfet器件mki为上外管mk1、上钳位管mk2、下钳位管mk3、下外管mk4;稳压电容模块由2个电容c1、c2串联组成,其中点端口连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭星涂春鸣肖凡郭祺蒋毅
申请(专利权)人:湖南大学
类型:发明
国别省市:

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