【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于二极管晶圆切割处理控制领域，涉及一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统。
技术介绍
1、随着半导体技术的飞速发展，晶圆作为半导体器件的基础材料，其制造过程中的每一步都至关重要，晶圆切割后的清洗是半导体制造中的关键环节之一，直接影响晶圆的成品率和最终产品的性能，因此，对晶圆清洗过程进行高效、精确的监测和控制成为半导体制造业的重要需求。
2、现有的二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统虽满足一定要求，但仍存在局限性表现，具体为：1、现有技术往往会忽视晶圆之间的差异性问题，包括晶圆的污染程度、材料特性等，对所有晶圆都采用相同的清洗参数，如清洗时间和清洗温度等，导致部分晶圆可能因污染较重而清洗不彻底，留下残留物或污染物，影响后续工艺和产品质量；而另一部分晶圆则可能因过度清洗而受损。
3、2、在现有技术中，晶圆的清洁液的使用往往基于经验，未根据晶圆的实际情况进行调整，导致在一些情况下，清洁液的纯度和用量可能超过实际需求，造成不必要的浪费，同时，过度使用清洁液也增加了生产成本。
4、3、由于缺乏实时反馈机制，现有技术往往无法及时预警不合格的清洗结果，这导致有污染风险的晶圆可能继续进入下一道昂贵且复杂的加工步骤，最终可能导致产品报废，增加生产成本并降低成品率。
技术实现思路
1、鉴于此，为解决上述
技术介绍
中所提出的问题，现提出一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统。
2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：本专利技术提供一种二
3、清洁液类型设置模块：用于采集清洗后的晶圆切割表面的图像，识别清洗后的晶圆切割表面的图像中各污染物类型以及污染物特征值，分析清洗后的晶圆切割表面的各污染物类型对应的污染系数，进而分析晶圆切割表面的清洁液类型和清洁液的纯度。
4、清洗质量合格判定模块：用于采集再次清洗后的晶圆切割表面的图像，分析再次清洗后的晶圆切割表面的污染程度指数，进而判断再次清洗后的晶圆切割表面的清洗质量是否合格，进行预警。
5、数据库：用于存储晶圆切割表面的各污染等级对应的晶圆清洗时间，存储晶圆的各材料类型对应的清洗温度，存储晶圆的各尺寸和厚度对应的晶圆的清洗压力，存储晶圆切割表面的各污染物类型对应的清洁液类型。
6、相较于现有技术，本专利技术的有益效果如下：（1）本专利技术通过采集晶圆切割表面的图像，分析晶圆切割表面的污染程度指数，判断晶圆切割表面的污染等级，进而与采集的晶圆的材料类型、尺寸和厚度分别设置晶圆的清洗时间、清洗温度和清洗压力，使清洗过程更加具有针对性，不同的污染等级和类型的晶圆可以得到相应的清洗处理，避免了相同的清洗方式可能带来的不足或过度清洗问题，这种个性化设置有助于减少清洗过程中的损伤风险，同时提高清洗效率和效果。
7、（2）本专利技术通过采集清洗后的晶圆切割表面的图像，识别清洗后的晶圆切割表面的图像中各污染物类型以及污染物特征值，分析清洗后的晶圆切割表面的各污染物类型对应的污染系数，进而分析晶圆切割表面的清洁液类型和清洁液的纯度，这种个性化的清洁液使用方案既能确保晶圆切割表面的清洗效果达到预期，又能够减少不必要的清洁液消耗与浪费，从而降低生产成本，同时，还能避免清洁剂的过度使用，既能减少化学物质的排放，降低对环境的污染，又能节约成本，进而提高经济效益。
8、（3）本专利技术通过采集再次清洗后的晶圆切割表面的图像，分析再次清洗后的晶圆切割表面的污染程度指数，进而判断再次清洗后的晶圆切割表面的清洗质量是否合格，进行预警，可以在清洗过程后迅速获得晶圆表面的污染程度信息，为后续工序提供及时的质量反馈，加速生产流程，并且通过及时发现并预警不合格的清洗结果，可以避免有污染风险的晶圆进入下一道昂贵且复杂的加工步骤，减少因污染导致的产品报废，显著提升成品率和降低生产成本。
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1.一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述分析晶圆切割表面的污染程度指数，包括：
3.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述判断晶圆切割表面的污染等级，包括：
4.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述分别设置晶圆的清洗温度、清洗压力和清洗时间的具体过程为：
5.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述识别清洗后的晶圆切割表面的图像中各污染物类型，包括：
6.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：识别清洗后的晶圆切割表面的图像中各污染物特征值，包括：
7.根据权利要求6所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：分析清洗后的晶圆切割表面的各污染物类型对应的污染系数的具体计算公式为：，其中和分别示设定的清洗后的晶圆切割表面的图像中的污染物区
8.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：分析晶圆切割表面的清洁液类型和清洁液的纯度，包括：
9.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述分析再次清洗后的晶圆切割表面的污染程度指数，包括：
10.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述判断再次清洗后的晶圆切割表面的清洗质量是否合格，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述分析晶圆切割表面的污染程度指数，包括：
3.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述判断晶圆切割表面的污染等级，包括：
4.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述分别设置晶圆的清洗温度、清洗压力和清洗时间的具体过程为：
5.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：所述识别清洗后的晶圆切割表面的图像中各污染物类型，包括：
6.根据权利要求1所述的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，其特征在于：识别清洗后的晶圆切割表面的图像中各污染物特征值，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：白俊春，程斌，贾永，华洪周，陆杨，
申请(专利权)人：江苏芯港半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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