【技术实现步骤摘要】
本技术涉及芯片封装，特别涉及一种igbt单管叠片封装结构。
技术介绍
1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，简称igbt)，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“cpu”，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
2、其中igbt单管作为igbt产品的系列之一，一直在光伏逆变器、焊机等领域扮演着重要的角色。传统的igbt单管封装形式主要为to-220、to-3p、to-247等插装式封装，其优点在于产品安装以及更换简单。然而，igbt单管封装与mos单管不同，往往需要在同一封装结构中并联一颗fred作为续流使用，这就使得单颗芯片面积通常会有一定的限制。进而限制了产品电流规格，使得应用中不得不采用单管并联方案。
3、随着近年封装技术的不断成熟，封装管控水平不断提高，传统的247芯片布局封装方式已经接近极限，如果进一步扩大芯片面积，就需要使用新的封装技术进行实现。
技术实现思路
1、本技术解决了相关技术中的问题，提出一种igbt单管叠片封装结构
2、为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：一种igbt单管叠片封装结构，包括第一底板、第一芯片、跳线板、第二芯片和第二底板，所述第一底板与集电极管脚相连，所述第一芯片通过第一焊料层与第一底板相连，所述第二芯片通过第一焊料层与第二底板相连，所述跳线板的两侧分别通过第二焊料层与第一芯片和第二芯片相连，所述跳线板与发射极管脚采用clip跳线方式连接，所述第一底板与第二底板采用clip跳线方式连接。
3、作为优选方案，所述第一底板、第二底板和跳线板的材质均为铜。
4、作为优选方案，所述第二底板的表面与单管本体的表面齐平。
5、作为优选方案，所述第一焊料层为高铅焊料。
6、作为优选方案，所述第二焊料层为锡膏。
7、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
8、(1)芯片采用纵向堆叠布局，可封装的双芯片面积扩大，相对于to-247封装来说，增幅可达75％，相对于to-247plus封装来说，增幅能接近100％；
9、(2)功率端(c极和e极)采用clip跳线，使得通流能力不再受限于键合线的通流能力，由于clip使用纯铜，有效通流能力相比al材质的键合线高出超过50％；
10、(3)第二底板的表面与单管本体表面齐平，可以实现双面散热。
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1.一种IGBT单管叠片封装结构，其特征在于：包括第一底板、第一芯片、跳线板、第二芯片和第二底板，所述第一底板与集电极管脚相连，所述第一芯片通过第一焊料层与第一底板相连，所述第二芯片通过第一焊料层与第二底板相连，所述跳线板的两侧分别通过第二焊料层与第一芯片和第二芯片相连，所述跳线板与发射极管脚采用clip跳线方式连接，所述第一底板与第二底板采用clip跳线方式连接。
2.根据权利要求1所述的IGBT单管叠片封装结构，其特征在于：所述第一底板、第二底板和跳线板的材质均为铜。
3.根据权利要求1所述的IGBT单管叠片封装结构，其特征在于：所述第二底板表面与单管本体表面齐平。
4.根据权利要求1所述的IGBT单管叠片封装结构，其特征在于：所述第一焊料层为高铅焊料。
5.根据权利要求1所述的IGBT单管叠片封装结构，其特征在于：所述第二焊料层为锡膏。
【技术特征摘要】
1.一种igbt单管叠片封装结构，其特征在于：包括第一底板、第一芯片、跳线板、第二芯片和第二底板，所述第一底板与集电极管脚相连，所述第一芯片通过第一焊料层与第一底板相连，所述第二芯片通过第一焊料层与第二底板相连，所述跳线板的两侧分别通过第二焊料层与第一芯片和第二芯片相连，所述跳线板与发射极管脚采用clip跳线方式连接，所述第一底板与第二底板采用clip跳线方式连接。
2.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：周昕，林茂，俞义长，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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