【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及成膜方法。
技术介绍
1、绝缘体的金属氧化物、导电体的金属氧化物及半导体的金属氧化物(也称为氧化物半导体)的薄膜被用于以半导体器件为代表的各种产品中。特别是使用带隙大的氧化镓(ga2o3)的半导体器件作为能够实现高耐压、低损耗及高耐热的下一代开关元件受到关注，有望应用于逆变器等的功率半导体器件。而且，由于宽带隙，也有望应用于led、传感器等光接收和发射装置。
2、近年来，对氧化镓系的p型半导体进行了研究，例如在专利文献1中记载了在使用mgo(p型掺杂源)通过悬浮区熔法(fz法)形成β-ga2o3系晶体时，可以得到表现出p型导电性的基板。
3、专利文献1：日本专利公开2005-340308号公报
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供量产性优异的成膜方法。
2、为了解决上述课题，在本专利技术的一方式中，成膜方法使用金属络合物，该金属络合物在含氧气氛下、升温速度为20℃/min的热重-差热分析中，在480℃～520℃的范围内具有放热峰。
3、为了解决上述课题，在本专利技术的另一方式中，成膜方法为利用包括包含元素周期表第9族的金属的金属络合物及水的原料溶液进行包含所述金属的膜的成膜的方法，其中，所述金属络合物在水中的溶解度为0.01mol/l以上。
4、本专利技术的成膜方法的量产性优异。
【技术保护点】
1.一种成膜方法，使用金属络合物，所述金属络合物在含氧气氛下、升温速度为20℃/min的热重-差热分析中，在480℃～520℃的范围内具有放热峰。
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
4.根据权利要求3所述的成膜方法，其中，
5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，
6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，
7.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，
8.根据权利要求7所述的成膜方法，其中，
9.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
10.根据权利要求9所述的成膜方法，其中，
11.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，
12.根据权利要求11所述的成膜方法，其中，
13.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，
14.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，
15.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，
16.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，<...
【技术特征摘要】
1.一种成膜方法，使用金属络合物，所述金属络合物在含氧气氛下、升温速度为20℃/min的热重-差热分析中，在480℃～520℃的范围内具有放热峰。
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
4.根据权利要求3所述的成膜方法，其中，
5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，
6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，
7.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，
8.根据权利要求7所述的成膜方法，其中，
9.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：志水诚，志保浩司，安藤裕之，塚本直幸，加藤勇次，
申请(专利权)人：株式会社FLOSFIA，
类型：发明
国别省市：
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