层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统制造方法及图纸

技术编号：42732880 阅读：0 留言：0更新日期：2024-09-18 13:30

本发明专利技术提供一种适合于半导体元件的层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统。一种层叠结构体，具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及作为功率器件等有用的层叠结构体、具有该层叠结构体的半导体元件及电力转换装置、控制系统。

技术介绍

1、在专利文献1中记载了使用包括乙酰丙酮铱和乙酰丙酮镓的原料溶液进行氧化物半导体的成膜。另外，在专利文献2中记载了使用包括乙酰丙酮铱、乙酰丙酮镓和作为掺杂剂原料的镁的有机金属盐的原料溶液进行p型氧化物半导体膜的成膜。

2、此外，
技术介绍
部分通过技术上或操作上的前后文的逻辑性提供本专利技术的实施方式，以帮助本领域技术人员理解本专利技术的范围和有用性。除非明确指定，否则本说明书的描述不应因为仅包括在
技术介绍
部分中而被认为是现有技术。

3、专利文献1：国际公开wo2022/030647

4、专利文献2：国际公开wo2022/030648

5、以下提出本公开的简略概述，以向本领域技术人员提供基本理解。该概述不旨在特别指定本公开的实施方式的重要要素或限定本专利技术的范围。本专利技术的概述的目的是以简化形式提出本说明书中公开的一些概念作为稍后提出的更详细说明的前序。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供适合于半导体元件的层叠结构体。

2、为了解决上述课题，本公开的一方式的层叠结构体是包括表面具有沟道的第一氧化物层和沿着所述沟道层叠且至少具有底部、侧壁部及曲线部的第二氧化物层的层叠结构体，所述第二氧化物层的所述底部的中心与所述侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。

3、另外，为了解决上述问题，本公开的一方式的层叠结构体

4、本专利技术的层叠结构体适合于半导体元件。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种层叠结构体，其特征在于，

2.一种层叠结构体，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的层叠结构体，其中，

4.根据权利要求2所述的层叠结构体，其中，

5.根据权利要求2所述的层叠结构体，其中，

6.根据权利要求2所述的层叠结构体，其中，

7.根据权利要求6所述的层叠结构体，其中，

8.根据权利要求1或2所述的层叠结构体，其中，

9.根据权利要求1或2所述的层叠结构体，其中，

10.根据权利要求1或2所述的层叠结构体，其中，

11.根据权利要求1或2所述的层叠结构体，其中，

12.根据权利要求11所述的层叠结构体，其中，

13.根据权利要求12所述的层叠结构体，其中，

14.一种半导体元件，包括：权利要求1或2所述的层叠结构体；以及电极。

15.一种电力转换装置，使用权利要求14所述的半导体元件。

16.一种控制系统，使用权利要求14所述的半导体元件。

【技术特征摘要】